本司主要业务:
1: 提供大量的原装现货库存,为客户提供产品的配单；
2: 支持小批量订购，国外现货5-7天到深圳；
3: 为客户助寻偏门.冷门.紧缺.军工级及停产器件,
同样的产品，我们比质量、同样的质量，我们比价格、
同样的价格，我们比服务、同样的服务，我们更贴心、
同样的贴心，我们更多一份真诚。
选择我们相信我们我们会一直努力做得更好!
因为芯片采购量的成本不同，市场价格天天变化，本司网上报价和库存数量仅作为参考，不作为实际交易价格，需要最新的价格和库存数量请致电我司销售人员，我司销售人员将竭诚为您服务，如给您造成不便，我们诚恳的向您致歉！
欢迎各位厂家朋友来我司莅临指导工作！热忱欢迎您的光临和洽谈！
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公司地址：深圳市福田区华强北都会100大厦B座26U
参数名称
参数值
Source Content uid
UPA2755GR-E1-AT
Brand Name
Renesas
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
Objectid
1422401034
零件包装代码
SOP
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数
8
制造商包装代码
PRSP0008DN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
9.65
Samacsys Description
Switching N-Channel Power MOSFET
Samacsys Manufacturer
Renesas Electronics
Samacsys Modified On
2022-04-28 13:17:55
雪崩能效等级（Eas）
6.4 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8 A
最大漏极电流 (ID)
8 A
最大漏源导通电阻
0.029 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
32 A
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数规格与技术文档
全部数据手册技术文档
全部
全部
数据手册
技术文档
下载: UPA2755GR-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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