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SI7216DN-T1-GE3

发布时间:2023/5/24 10:28:00 访问次数:52

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
最小工作温度: - 50 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 20.8 W

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