T2N7002AK,LM

制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 270 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
通道模式: Enhancement
商标名: U-MOSVII-H
系列: T2N7002
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 450 mS
高度: 0.9 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg