描述：TMS320F28335PGFA
C2000™32位微控制器针对处理，感测和驱动进行了优化，以改善闭环实时控制应用（如工业电机驱动器）中的性能；太阳能逆变器和数字电源；电动汽车和运输；电机控制;以及感应和信号处理。 C2000系列包括Delfino™Premium Performance系列和Piccolo™Entry Performance系列。
TMS320C2000™32位微控制器针对处理，感测和驱动进行了优化，以提高实时控制应用中的闭环性能。 C2000™微控制器系列包括Delfino™
高级性能微控制器系列和Piccolo™入门级性能微控制器系列。
TMS320F28335PGFA，TMS320F28334，TMS320F28333，TMS320F28332，TMS320F28235，TMS320F28234，TMS320C28x / Delfino™DSC / MCU的成员和TMS320F28232器件高度集成适用于苛刻控制应用的集成，高性能解决方案。
在整个文档中，设备简称为TMS320F28335PGFA，F28334，F28333，F28332，F28235，F28234，和F28232。 F2833x设备比较和F2823x设备比较提供了以下内容的摘要每个设备的功能。
特征：TMS320F28335PGFA
•高性能静态CMOS技术
–高达150 MHz（6.67 ns的循环时间）
– 1.9V / 1.8V内核，3.3V I / O设计
•高性能32位CPU（TMS320C28x）
– IEEE 754单精度浮点单元
（FPU）（仅F2833x）
– 16×16和32×32 MAC操作
– 16×16双MAC
–哈佛巴士架构
–快速的中断响应和处理
–统一内存编程模型
–代码高效（在C / C ++和汇编语言中）
•六通道DMA控制器（用于ADC，McBSP，
ePWM，XINTF和SARAM）
•16位或32位外部接口（XINTF）
–超过2M×16地址
•片上存储器TMS320F28335PGFA
–TMS320F28335PGFA，F28333，F28235：
256K×16闪存，34K×16 SARAM
– F28334，F28234：
128K×16闪存，34K×16内存
– F28332，F28232：
64K×16闪存，26K×16 SARAM
– 1K×16 OTP ROM
•Boot ROM（8K×16）TMS320F28335PGFA
–使用软件引导模式（通过SCI，SPI，
CAN，I2C，McBSP，XINTF和并行I / O）
–标准数学表
•时钟和系统控制
–片内振荡器
–看门狗定时器模块
•GPIO0至GPIO63引脚可以连接至以下之一
八个外部内核中断
•外围中断扩展（PIE）块
支持所有58个外设中断
•128位安全密钥/锁
–保护闪存/ OTP / RAM块
–防止固件逆向工程
•增强的控制外设
–多达18个PWM输出
–高达6 HRPWM输出和150 ps MEP
解析度TMS320F28335PGFA
–多达6个事件捕获输入
–多达2个正交编码器接口
–多达8个32位定时器
（对于eCAP为6，对于eQEP为2）
–多达9个16位定时器
（6个用于ePWM和3个XINTCTR）
•三个32位CPU计时器
•串口外设TMS320F28335PGFA
–最多2个CAN模块
–多达3个SCI（UART）模块
–多达2个McBSP模块（可配置为SPI）
–一个SPI模块
–一条集成电路间（I2C）总线
•12位ADC，16个通道TMS320F28335PGFA
– 80 ns的转换速率
– 2×8通道输入多路复用器
–两个采样保持
–单次/同时转换
–内部或外部参考
•多达88个独立可编程，多路复用
具有输入滤波功能的GPIO引脚
•JTAG边界扫描支持TMS320F28335PGFA
– IEEE标准1149.1-1990标准测试
接入端口和边界扫描架构
•高级仿真功能
–分析和断点功能
–使用硬件进行实时调试
•开发支持包括TMS320F28335PGFA
– ANSI C / C ++编译器/汇编器/链接器
– Code Composer Studio™IDE
– DSP / BIOS™和SYS / BIOS
–数字电动机控制和数字电源软件
图书馆
•低功耗模式和节电
–支持空闲，待机，暂停模式
–禁用单个外设时钟
•字节序：小字节序
•包装选项：TMS320F28335PGFA
–无铅绿色包装
– 176球塑料球栅阵列（BGA）（ZJZ）
– 179球MicroStar BGA™（ZHH）
– 176引脚薄型四方扁平封装（LQFP）
（PGF）
– 176引脚耐热增强型薄型四核
平板包装（HLQFP）（PTP）
•温度选项：TMS320F28335PGFA
– A：–40°C至85°C（PGF，ZHH，ZJZ）
– S：–40°C至125°C（PTP，ZJZ）
– Q：–40°C至125°C（PTP，ZJZ）
2应用：TMS320F28335PGFA
•高级驾驶员辅助系统（ADAS）
•楼宇自动化
•电子销售点
•电动汽车/混合电动汽车（EV / HEV）
动力总成
•工厂自动化
•网格基础设施
•工业运输
•医疗，保健和健身
•电机驱动
•电力输送
•电信基础设施
•测试与测量
产品属性：TMS320F28335PGFA
类型描述选择
类别 集成电路（IC）嵌入式 - 微控制器
制造商 Texas Instruments
系列 C2000™ C28x Delfino™
包装 散装
零件状态 在售
核心处理器 C28x
内核规格 32-位
速度 150MHz
连接能力 CANbus，EBI/EMI，I2C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART
外设 DMA，POR，PWM，WDT
程序存储容量 512KB（256K x 16）
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 -
RAM 大小 34K x 16
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 1.805V ~ 1.995V
数据转换器 A/D 16x12b
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 176-LQFP
供应商器件封装 176-LQFP（24x24）
I/O 数 88
基本产品编号TMS320F28335PGFA
以下型号均有现货库存：TMS320F28335PGFA
OPA3690
TLV1117-33CDCYR
UC1843W
7BT2F15A-362
L293
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OPA3690
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TLV2460MU
TLC081CD
TL074CNSRG4
半导体是高科技行业皇冠上的明珠，尤其是先进工艺制造，全球现在也有只有两三家公司能玩得转，其他厂商要想打入先进芯片生产，不说技术专利及人才等卡脖子问题，光是资金就足以吓退，5nm芯片厂至少需要160亿美元。
据digitimes asia网站总裁的最新文章，他们评估了半导体晶圆厂的建造成本，从90nm工艺开始使用12英寸晶圆之后，每一代工艺的建设成本都在急剧增加，28nmg工艺建厂就要60亿美元，14nm工艺需要100亿美元。
如果是10nm以下节点，7nm工艺要120多亿美元，5nm节点则要160亿美元，约合人民币1019亿元。
上千亿的投入建成的还是50K月产能的，也就是每月生产5万片晶圆，如果追求更高产能，10万片晶圆的大型工厂还要再翻倍到300多亿美元，烧钱速度非常恐怖。
5nm这样的先进工艺建厂费用直接导致越来越多的公司没法跟进投资，因为投资了可能无法回本，三星一直无法赶超台积电，主要原因就是三星的芯片代工营收不过150亿美元，这样的营收能力无法保证他们投资新一代晶圆厂，只能在一两个节点上领先，抓住一两个客户。
