FDG6332C 是一款MOS管 品牌：ONSEMI/安森美 封装：SOT-363 引脚数：6 PIN（3000个/圆盘）
这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
FDG6332C的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
FDG6332C
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
4001116806
包装说明
SC-70, 6 PIN
制造商包装代码
419B-02
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Philippines
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
74 weeks
风险等级
1.02
Samacsys Description
FDG6332C, Dual N/P-channel MOSFET Transistor,, 6-Pin SC-70
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.98
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
20 V
最大漏极电流 (ID)
0.7 A
最大漏源导通电阻
0.3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
本公司主营是二三极管，MOS管和逻辑IC等，这边有ON，ST，TI，NXP，ADI，美台，英飞凌和微芯等一系列的原装进口的电子元器件，这边也有国产品牌，如果你这边有需要的话，也是可以添加我们的联系方式。如果你这边有需要的话，或者有技术上的问题，也是添加上面的联系方式
FDG6332C
ON（安森美）
BQ25606RGER
TI(德州仪器)
FNB33060T
ON(安森美)
TNY268PN
Raspberry Pi
BAV199
Diodes(美台)
TPS54360BQDDARQ1
TI(德州仪器)
TLE7259-3GE
Infineon(英飞凌)
KSZ8895MQXI
Microchip(微芯)
BNX016-01
MURATA(村田)
ACPL-C87A-500E
Broadcom(博通)
DAC7554IDGSR
Burr-Brown(TI)
VND5T016ASPTR-E
ST(意法)
LMX2595RHAT
TI(德州仪器)
AT91SAM7XC512B-AU
Atmel(爱特梅尔)
KSZ8721BLI
Micrel(麦瑞)
TBD62083AFWG
TOSHIBA(东芝)
FM22L16-55-TG
RAMTRON
XTR116U/2K5
TI(德州仪器)
LM66100DCKR
TI(德州仪器)
TLE4252D
Infineon(英飞凌)
MC34063EBD-TR
ST(意法)
TMS320F28375DZWTT
TI(德州仪器)
PIC18F66K22-I/PT
Microchip(微芯)
SM-LP-5001E
Bourns(伯恩斯)
MCP6002-I/SN
Microchip(微芯)
XC6SLX150-2FGG484I
XILINX(赛灵思)
SN65DSI86ZQER
TI(德州仪器)
LP2951-33DR
TI(德州仪器)
BG96MA-128-SGN
移远 Quectel
ATMEGA640-16AU
Atmel(爱特梅尔)
74LVC244APW
Philips(飞利浦)
TMS320F28335ZJZA
TI(德州仪器)
ADA4870ARRZ
ADI(亚德诺)
PIC18F4520-I/P
Microchip(微芯)
FDPF12N60NZ
Fairchild(飞兆/仙童)
TLV70218DBVR
TI(德州仪器)
GS2972-IBE3
Gennum Corporation
XC6SLX45-2CSG484I
XILINX(赛灵思)
BTS3410G
Infineon(英飞凌)
IPT015N10N5
Infineon(英飞凌)
REF3433IDBVR
TI(德州仪器)
SN74HC573AN
TI(德州仪器)
PESD5V0L2BT
NXP(恩智浦)
SC28L198A1BE
NXP(恩智浦)
TS922IDT
ST(意法)
A5191HRTLG-XTD
ON(安森美)
ATMEGA32A-MU
Atmel(爱特梅尔)
10CX105YF780E6G
INTEL(英特尔)
ADG1636BRUZ
ADI(亚德诺)
PIC18F6527-I/PT
Microchip(微芯)
W25Q128FWSIG
WINBOND(华邦)
S912ZVL12F0VLF
NXP(恩智浦)
TJA1057T
NXP(恩智浦)
WL1833CAAPRQ1
TI(德州仪器)
MCF51JM128VLH
Freescale(飞思卡尔)
XC7A75T-2FGG484C
XILINX(赛灵思)
AD7327BRUZ
ADI(亚德诺)
MCP6L02T-E/MS
Microchip(微芯)
NT5AD256M16D4-HR
Nanya Technology
MTFC4GACAJCN-4MIT
micron(镁光)
IP101GR
IC PLUS(九阳电子)
ADG436BRZ
ADI(亚德诺)
LMR33630APAQRNXRQ1
TI(德州仪器)
MAX203EEWP
Maxim(美信)
88E2580-A0-DFQ4C000
Marvell(美满)
CD74AC14M
TI(德州仪器)
FS32K144HFT0MLHR
NXP(恩智浦)
BCM54220SB0IFBG
Broadcom(博通)
DAC7512N
TI(德州仪器)
TDA8954J
NXP(恩智浦)
TPS2085DR
TI(德州仪器)
BCM54991ELB0KFEBG
Broadcom(博通)
LTM4630AIY
LINEAR(凌特)
SAK-TC1797-512F180EF
Infineon(英飞凌)
TPS54320RHLR
TI(德州仪器)
LM2596SX-ADJ/NOPB
TI(德州仪器)
DRV8872DDARQ1
TI(德州仪器)
DP83867IRPAPR
TI(德州仪器)
TL7700CPSR
TI(德州仪器)
DS1307Z+T&R
Maxim(美信)
ISPPAC-POWR1014A-01TN48I
Lattice(莱迪斯)
BSP752R
Infineon(英飞凌)
VND5T100LAJTR-E
ST(意法)
INA139NA/3K
Burr-Brown(TI)
TPS1H000AQDGNRQ1
TI(德州仪器)
FM25L16B-GTR
RAMTRON
IRLML5103TRPBF
IR(国际整流器)
AOZ1282CI
Alpha (Taiwan)
FDLL4148
Freescale(飞思卡尔)
SN65DSI83TPAPRQ1
TI(德州仪器)
BC817
NXP(恩智浦)
WL1837MODGIMOCR
TI(德州仪器)
STM32F030K6T6TR
ST(意法)
VIPER22ASTR-E
ST(意法)
SN74LV4T125PWR
TI(德州仪器)
FQD2N100TM
ON(安森美)
ATMEGA88-20AU
Microchip(微芯)
DRV8801PWPR
TI(德州仪器)
MC9S12A256CPVE
Freescale(飞思卡尔)
ATMEGA168-20AU
Atmel(爱特梅尔)
MAX3232ECPWR
TI(德州仪器)
MBRA210LT3G
ON(安森美)
MP4462DN-LF-Z
MPS(美国芯源)
MS561101BA03-50
TE(泰科)
