制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 520 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 52 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
系列: IRFB
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: IRFB11N50APBF-BE3
单位重量: 2 g
SM8S36AHE3/2D
SM8S36ATHE3/I
SM8S36AHE3_A/I
NUP1301,215
ISO7221BDR
SP720ABTG
ISO7220ADR
LIS3DHTR
SPB17N80C3
BAS40-04-E3-08
0217002.MXP
CD14538BM96
GRM32DR71E106KA12L
L293DD013TR
BCV62CE6327HTSA1
