制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 35.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 410 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 417 W
通道模式: Enhancement
系列: EF
封装: Tube
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 113 ns
正向跨导 - 最小值: 23 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 104 ns
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 219 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 6 g
SN74HC595DR
BLM15PX601SN1D
B6S-E3/80
ADUM1400ARWZ-RL
ADUM1401ARWZ-RL
BTB24-600BWRG
BAT54SFILM
0314020.MXP
0477002.MXP
BAT54C,215
SMCJ5.0A
BSC100N06LS3GATMA1
DS1992L-F5+
LQP03TN1N5B02D
