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SI7938DP-T1-GE3

发布时间:2024/4/19 16:45:00 访问次数:30 发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 46 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 105 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
零件号别名: SI7938DP-GE3

单位重量: 506.600 mg

B6S-E3/80
ADUM1400ARWZ-RL
ADUM1401ARWZ-RL
BTB24-600BWRG
BAT54SFILM
0314020.MXP
0477002.MXP
BAT54C,215
SMCJ5.0A
BSC100N06LS3GATMA1
DS1992L-F5+
LQP03TN1N5B02D
DG411DY-T1-E3
P6SMB12A

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