制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H2PAK-2
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerMESH
系列: STH3N150-2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 61 ns
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 4 g
S9S08DZ48F2CLH
GSIB1580-E3/45
CDCLVC1102PWR
BSS215PH6327XTSA1
PTVS6V0S1UR,115
40CPQ045PBF
PMDT290UNE,115
LF412CN/NOPB
IRF7316TRPBF
IRF7313TRPBF
IRF7319TRPBF
