FCD5N60TM的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
FCD5N60TM
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
4001117332
零件包装代码
DPAK-3 / TO-252-3
包装说明
DPAK-3
制造商包装代码
369AS
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
17 weeks
风险等级
0.65
Samacsys Description
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 4.6 A, 950 mΩ, DPAK
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
3
雪崩能效等级（Eas）
159 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (ID)
4.6 A
最大漏源导通电阻
0.95 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
13.8 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
FCD5N60TM 场效应管的特性及应用研究
引言
场效应管（FET）是一种重要的电子器件，广泛应用于现代电子电路中，尤其是在功率电子领域。FCD5N60TM是一种高压N型场效应管，其具备优良的开关特性和高耐压能力，因而被广泛应用于电源管理、电机控制和其它高功率应用。本文将对FCD5N60TM的特性、结构和应用进行深入探讨。
FCD5N60TM的结构特征
FCD5N60TM作为一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其基础结构由源极、漏极、栅极和基体材料组成。与传统的双极型晶体管相较，MOSFET采用电场控制电流，具备更高的输入阻抗和更快的开关速度。这种特性使得FCD5N60TM在大多数应用中优于其他类型的场效应管。
FCD5N60TM的额定漏极电压为600V，漏极电流为5A，这使其能够在高电压和高电流的条件下稳定工作。该器件采用了增强型栅极结构，利用氧化硅层隔离栅极和沟道，以确保其在不同工作状态下的可靠性。在生产过程中，采用了先进的硅基材料和工艺，从而提高了器件的耐高温和抗辐射能力。
FCD5N60TM的特性曲线显示出优良的开关行为，尤其是在高频操作下，其沟道电阻（RDS(on)）较小，工作时的功耗低，发热量小。该器件还具备较短的恢复时间，使其在开关电源电路中表现出色。
FCD5N60TM的电气特性分析
FCD5N60TM的电气特性包含多个方面，主要体现在其导通电阻、关断特性以及开关速度上。导通电阻RDS(on)是影响器件功率损耗的关键参数之一。对于FCD5N60TM而言，其RDS(on)在额定条件下通常较低，这表示在 VGS (栅源电压) 大于阈值电压时，器件可以提供较小的导通损耗。
在关断状态下，FCD5N60TM的漏电流非常微小，这使得它在待机状态下的能量消耗显著降低。此外，该器件在高频条件下的开关特性也很出色，在上升时间和下降时间方面表现出优秀的特性。开关速度的提升不仅提高了电路效率，还在一定程度上降低了电磁干扰。
热特性也是FCD5N60TM设计中的关键因素之一。该器件允许工作在较高的温度范围内，并且其热稳定性良好，适合在高温环境下进行长时间运行。由于器件自身的发热以及外部环境的变化，合理的散热设计对确保FCD5N60TM安全运行至关重要。
FCD5N60TM的应用领域
FCD5N60TM的应用范围非常广泛，主要包括开关电源、电动机驱动器以及其他功率转换系统。
开关电源
开关电源是FCD5N60TM的重要应用场景。由于其具备高效的转换能力和较低的功耗，该器件被广泛应用于各种电源模块中，包括适配器、充电器和DC-DC转换器。在开关电源设计中，FCD5N60TM的高耐压和低导通电阻特性确保了较高的能量转换效率，使得整个电源系统更加稳定。
在开关电源的设计中，优化FCD5N60TM的驱动电路以减少开关损耗是设计中的重要考量。合理的控制策略可以使该器件在开关状态之间迅速切换，从而降低功耗并提高电源的稳定性。
电动机驱动器
除了开关电源，FCD5N60TM也在电机驱动器中得到了广泛应用。在电动机驱动应用中，该器件的快速开关能力和高可靠性确保了电动机的高效运作。尤其是在变频驱动或脉宽调制（PWM）控制中的应用，FCD5N60TM能够有效地控制电机的转速和扭矩，提高了系统的响应速度和可靠性。
其他功率转换系统
FCD5N60TM还可用于灯光调光、家电控制以及逆变器等多种功率转换系统。在太阳能逆变器和风能逆变器中，FCD5N60TM起着重要的角色。通过高效转换和管理从可再生能源系统产生的电能，FCD5N60TM的应用有助于提高整体能量利用效率，进一步推动绿色能源的发展。
结论
FCD5N60TM以其卓越的电气特性和广泛的应用领域，在现代电子技术中占据着重要地位。通过对其结构特征和电气特性分析，显然FCD5N60TM具有很强的市场竞争力，并且是未来电子器件发展的重要组成部分。在实际应用过程中，其高效率、低功耗的特性将支持更多智能、高效的电子设备的出现。
FCD5N60TM
ON(安森美)
FDC645N
ON(安森美)
GD25Q80CTIG
GD(兆易创新)
INA240A1D
TI(德州仪器)
IP175GHR
IC PLUS(九阳电子)
IPT60R028G7XTMA1
Infineon(英飞凌)
ISO7331CDWR
TI(德州仪器)
LCMXO3LF-2100C-5BG324C
Lattice(莱迪斯)
LM293ST
ST(意法)
LM4040BIM3X-2.5
TI(德州仪器)
LMP7716MM
TI(德州仪器)
LPC1756FBD80Y
NXP(恩智浦)
LT1083CP
LINEAR(凌特)
LTC6655BHMS8-2.048
LINEAR(凌特)
MC9S12XDT512MAL
Freescale(飞思卡尔)
MCF51AC256AVLKE
Freescale(飞思卡尔)
MMSZ4701T1G
ON(安森美)
NCE40P05Y
NCE Power(新洁能)
OCP2131WPAD
OCS（Orient-Chip Semiconductor）
OPT3101RHFR
TI(德州仪器)
PCA9450CHN
NXP(恩智浦)
PIC32MX795F512HT-80I/PT
Microchip(微芯)
PTS1206M1B1K00P100
Vishay(威世)
RTL8221B-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
S29GL512T10FHI010
SPANSION(飞索)
S29JL032J70TFI220
Cypress(赛普拉斯)
SI53304-B-GM
SILICON LABS(芯科)
STM32F102CBT6
ST(意法)
STTH3R04U
ST(意法)
TPS40041DRBR
TI(德州仪器)
VO615A-9X017T
Vishay(威世)
XC5VLX50-2FFG676C
XILINX(赛灵思)
XC95288XL-10FGG256I
XILINX(赛灵思)
5PB1110NDGI
IDT(Renesas收购)
74AUP1G09GW
Nexperia(安世)
ADAU1966WBSTZ
ADI(亚德诺)
ADC101S021CIMF
TI(德州仪器)
ADG758BCPZ
ADI(亚德诺)
ADM3491ARU
ADI(亚德诺)
AT84CS001VTP
e2v technologies
BCM82790BKFSBG
Broadcom(博通)
BCM847BS
Philips(飞利浦)
CSD87501L
TI(德州仪器)
CYP15G0101DXB-BBI
Cypress(赛普拉斯)
DS1859B-050
Maxim(美信)
DS90UB948TNKDTQ1
TI(德州仪器)
ETRX357-LRS
SILICON LABS(芯科)
FAN7382M1X
Freescale(飞思卡尔)
FCP190N65S3
ON(安森美)
FDB8444TS
Fairchild(飞兆/仙童)
FM25V01A-G
Cypress(赛普拉斯)
IRF9540NS
IR(国际整流器)
IRS2109STRPBF
IR(国际整流器)
IS42S16160G-7BLI
ISSI(美国芯成)
ISO7141FCCDBQ
TI(德州仪器)
LM2679SX-ADJ
NS(国半)
LSF0101DRYR
TI(德州仪器)
LT1054CS8
ADI(亚德诺)
LT1185CQ
LINEAR(凌特)
LT1719IS8
LINEAR(凌特)
MC74AC02DR2G
ON(安森美)
MP6922DSE-LF-Z
MPS(美国芯源)
NVMFS4C05NT1G
ON(安森美)
OPA2325IDR
TI(德州仪器)
OPA365AIDBV
TI(德州仪器)
S-35390A-J8T1G
SEIKO(精工)
SC414MLTRT
Semtech(商升特)
SI53156-A01AGMR
Skyworks(思佳讯)
SN74ALS245ADW
TI(德州仪器)
TPS65270PWPR
TI(德州仪器)
TPS70445PWP
TI(德州仪器)
VN5T006ASP-E
ST(意法)
XC7S50-1FTGB196C
XILINX(赛灵思)
XCZU4CG-2FBVB900I
XILINX(赛灵思)
10M04SAM153I7G
ALTERA(阿尔特拉)
5SDF0131Z0401
ABB
74HC245
TI(德州仪器)
ADA4077-2ARMZ
ADI(亚德诺)
ADG1212YRUZ
ADI(亚德诺)
AL8805W5-7
Diodes(美台)
BGA824N6
Infineon(英飞凌)
BSC0901NSI
Infineon(英飞凌)
CPC1020N
IXYS(艾赛斯)
DS90LV012ATMF
NS(国半)
DSI2X55-12A
IXYS(艾赛斯)
EP4SGX530HH35C2N
ALTERA(阿尔特拉)
EPF6024ATC144-3
ALTERA(阿尔特拉)
FH82C246
FX604P3
CML Innovative Technologies（CML-IT）
IMX678-AAQR1-C
SONY(索尼)
ISL68127IRAZ
Intersil(英特矽尔)
LC4128V-75TN100I
Lattice(莱迪斯)
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice(莱迪斯)
LM2574HVM-5.0
NS(国半)
LM3406HVMHX
NS(国半)
LM833MX
NS(国半)
LT1785CS8
LINEAR(凌特)
MAX14588ETE+T
Maxim(美信)
MBRD1035CTLG
ON(安森美)
MCP4812-E/SN
Microchip(微芯)
MIC4451ZT
Micrel(麦瑞)
MN864739
Panasonic(松下)
MPC8548VJAVHD
NXP(恩智浦)
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
micron(镁光)
MT48LC8M32B2TG-7IT
micron(镁光)
MURS320T3
ON(安森美)
NCP3163BPWR2G
ON(安森美)
NCV887701D1R2G
ON(安森美)
NT6AN512T32AV-J2
Nanya Technology
PEF22554HTV31
Infineon(英飞凌)
PIC16F877A-I/L
MIC(昌福)
PSMN1R8-40YLC
Nexperia(安世)
