DMTH6016LK3-13的详细参数
参数名称
参数值
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
8328326755
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
24 weeks
Date Of Intro
2018-07-02
风险等级
1.7
Samacsys Description
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Samacsys Manufacturer
Diodes Incorporated
Samacsys Modified On
2024-05-23 14:56:45
YTEOL
5.55
雪崩能效等级（Eas）
11.7 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
46.9 A
最大漏源导通电阻
0.017 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
27.1 pF
JEDEC-95代码
TO-252
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
70 A
参考标准
MIL-STD-202
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
DMTH6016LK3-13 场效应管分析
引言
场效应管（Field Effect Transistor，FET）作为一种重要的电子元器件，广泛用于现代电子电路中。相比于传统的双极性晶体管，场效应管具有高输入阻抗、低功耗和良好的线性特性等优点。DMTH6016LK3-13是一款特定型号的场效应管，因其独特的性能和应用而受到关注。本文将探讨DMTH6016LK3-13的结构特点、工作原理、特性参数及其在各类电路中的应用。
DMTH6016LK3-13 的结构特点
DMTH6016LK3-13是一种增强型N通道场效应管，通常采用平面工艺制造。该器件的结构包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G)，其中源极和漏极为外部接入电源的两端，而栅极则用于控制导通状态。与传统的双极性晶体管不同，场效应管是通过电场来控制的器件，其栅极与导电通道之间的绝缘层确保了高输入阻抗。
该器件的主要材料通常为高纯度的硅或其它半导体材料，具备良好的导电性和热稳定性。DMTH6016LK3-13的设计参数使其能够在高频、高速的应用场景中发挥出色的性能。
工作原理
DMTH6016LK3-13的工作原理基于电场效应。当在栅极施加正电压时，栅极下方的导电通道将在半导体中形成，从而允许电子在源极和漏极之间流动。当栅压升高时，通道的导电性增强，漏极电流也随之增加，这一过程是依据控制电压（栅源电压）来调节流过场效应管的电流大小。
此器件的阈值电压是影响其导电状态的重要参数。阈值电压是栅极电压达到一定值时，导电通道开始形成的最低要求电压。一旦栅极电压超过阈值，场效应管便会进入导通状态，即使栅极电压略微变化，器件仍然保持导通，因此具有良好的开关特性。
特性参数
为了充分理解DMTH6016LK3-13的性能特征，需要关注几个关键参数。首先是漏极电流（ID），在特定的栅源电压VG和漏源电压VD下，漏极电流的值反映了器件的导电能力。其次，器件的开关速度是指其由导通状态切换到关断状态所需的时间。开关速度的快慢通常与漏极电流和栅极电容有关，因此在高频应用中尤为重要。
此外，饱和电压（VDS(sat)）是另一个重要的参数。当器件在饱和区工作时，漏源之间的电压将变为相对稳定的值。此时，器件的性能稳定性对电路的整体效率影响重大。同时，数据手册中固定的功耗（PD）和热阻（RθJA）也是设计和应用中需要特别关注的部分，确保器件在工作期间的热管理。
应用领域
DMTH6016LK3-13广泛应用于各种电子设备中，例如开关电源、调光电路以及各种低功耗微控制器的驱动电路。由于其高输入阻抗和低导通电阻，场效应管在射频（RF）放大、无线通信及信号处理领域的应用也日渐增多。
在开关电源中，DMTH6016LK3-13常用作开关管，负责在高频下切换电流，实现高效的能量转换。在这些应用中，场效应管的高开关速度和高效率能够显著提高电源的整体性能。
此外，DMTH6016LK3-13还可以用于逻辑电路的构建。由于其电流控制特性，该器件可用作开关、放大器及逻辑门元件，尤其是在集成电路中，通过合理的布线设计，能够实现更加复杂的逻辑功能，满足现代微电子设备对集成度和性能的严格要求。
结语
DMTH6016LK3-13作为一种高性能的场效应管，其独特的电气特性和广泛的应用场景，使其成为现代电子电路中不可或缺的重要组成部分。随着半导体技术的不断进步，DMTH6016LK3-13以及其他类型的场效应管将在更高效、更小型化的新型电子设备中扮演关键角色。
STM32F407VET6
ST(意法)
STM32F103C8T6
ST(意法)
STM32F103RCT6
ST(意法)
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LM3481MM
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ST(意法)
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ON(安森美)
