MMBD1503A 的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
MMBD1503A
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
4001119982
零件包装代码
SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P
包装说明
SOT-23, 3 PIN
制造商包装代码
318
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.70
Factory Lead Time
8 weeks 4 days
风险等级
0.85
Samacsys Description
High Conductance Low Leakage Diode
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.12
应用
GENERAL PURPOSE
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.15 V
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值正向电流
2 A
元件数量
2
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
0.2 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
最大功率耗散
0.35 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
200 V
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
MMBD1503A 通用二极管的特性与应用
MMBD1503A 是一种常用的二极管，其广泛应用于各种电子电路中。作为一种通用二极管，其主要特性包括低反向电流、高速开关特性和适应各种工作环境的能力。这些特性使得 MMBD1503A 成为电子设备设计中的重要元件之一。
1. 二极管的基本原理
二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，其基本工作原理是利用 PN 结的特性。当正向电压施加于二极管的阳极时，电子和空穴的复合使得电流通过二极管；而当反向电压施加于二极管时，PN 结处的耗尽区增宽，导致几乎没有电流通过。当电压超过一定阈值，即反向击穿电压时，二极管可能会被损坏。因此，了解二极管的工作原理对于掌握其特性至关重要。
2. MMBD1503A 的电气特性
MMBD1503A 二极管的主要电气特性包括正向电压、反向电流和工作频率等。正向电压的典型值在 0.6V 到 0.7V 之间，适合于低电压应用。反向电流则一般非常小，通常在微安级别，意味着其在反向偏置时对电路的影响非常有限。工作频率范围较广，通常可以高达几百兆赫兹，使其适用于各种高频应用中。
此外，MMBD1503A 也具备一定的热稳定性，其最大工作环境温度为 150℃，使其能够在复杂的环境条件下可靠工作。这一特性使得该二极管可以广泛应用于工业和消费电子领域，例如电源设备、开关电源和通用信号处理等。
3. 应用领域
由于其优越的性能，MMBD1503A 被广泛应用于多种电子电路中。在开关电源中，MMBD1503A 常用作整流二极管，其能够有效转换交流电为直流电。此外，该二极管还可以应用于保护电路中，防止过电流和反向电流对设备的损害。
在信号处理领域，MMBD1503A 被用于高频信号的整流和探测电路。其高开关速度使得信号损失最小，能够保留信号的完整性。这对于射频电路和微波电路尤其重要，因为在这些应用中，任何信号失真都可能影响系统的性能。
在逻辑电路中，MMBD1503A 还可作为逻辑门中的重要组成部分，通过实现逻辑操作为数字电路提供必要的功能。在此类应用中，其快速响应和低功耗的特性为设计师提供了良好的设计灵活性。
4. 整流特性
作为整流二极管，MMBD1503A 能够将交流电源中的正负半周期转换为直流电。其整流效率高、损耗低，尤其在用于高频开关电源时，能够降低系统的能耗。在进行整流时，MMBD1503A 的选择不仅仅是考虑其电流和电压额定值，还需关注其在不同频率下的性能表现。由于其反向恢复时间短，使得在高频条件下，MMBD1503A 的表现依旧稳定。
5. 反向恢复特性
反向恢复时间是影响二极管性能的一个重要指标。对于 MMBD1503A 来说，其反向恢复时间短，通常在 20ns 到 30ns 之间，这意味着其能够快速从正向工作状态切换到反向工作状态。这一特性使得 MMBD1503A 在高频开关电源和高速脉冲信号处理中尤为重要，能够有效减少由于反向恢复引起的信号失真。
6. 串联与并联应用
在许多应用场合，设计师常常需要将多个二极管串联或并联使用。串联配置可以提高二极管的耐压能力，而并联配置则可以增加其处理电流的能力。MMBD1503A 便是这种设计灵活性的重要体现。在串联配置时，需要确保各二极管具有相似的正向电压，以避免因电流不均衡导致某个二极管过热或失效。
并联配置则需要注意不同二极管之间的匹配，以保证电流的均匀分配。一般来说，对于相同型号的二极管，在并联使用时，若有一定的正向电压差异，可能导致一个二极管承担过多的电流，这将影响整个电路的稳定性。
7. 材料与封装
MMBD1503A 采用硅材料制造，具有较高的洛伦兹淬火效应和希尔德效应，展现出良好的温度稳定性与电气性能。此外，它的封装形式一般为 SMD (表面贴装设备) 类型，这种封装不仅节省空间，而且在电路板组装时容易处理。因此，MMBD1503A 在现代电子设备中得到广泛应用。
封装也将直接影响到其散热性能。由于高功耗应用中，二极管的工作温度是一个重要参数，因此在设计时应考虑适当的散热设施，提高设备的整体可靠性。
8. 对比其他二极管
与其他类型的二极管相比，MMBD1503A 在高频特性和整流性能方面表现突出。例如，与传统的硅二极管相比，其反向恢复特性更佳，适合在高频环境下工作。此外，其小尺寸和低成本优势也使其在广泛的消费电子产品中得以推广。
9. 未来的发展趋势
考虑到目前电子产品向小型化、智能化和高性能化的发展趋势，MMBD1503A及类似通用二极管的需求将进一步增长。在这些趋势下，二极管的设计和制造将持续向高频、高效率和低功耗发展。激光切割和微加工技术的进步预计将使得二极管的封装更加紧凑，以满足日益严格的空间要求。
随着新能源汽车、智能家居和物联网应用的发展，对二极管的需求也将更为广泛。二极管在这些领域所起的重要角色也将推动相关技术的进一步创新。设计师在选用二极管时需要关注其在各类应用中的性能表现，包括温度系数和电流承受能力等等，以满足未来电子产品的复杂需求。
MMBD1503A
ON(安森美)
MMBTH10LT1G
ON(安森美)
MP1530DM-LF-Z
MPS(美国芯源)
PIC16F877-20I/PQ
MIC(昌福)
RURG80100
Fairchild(飞兆/仙童)
A3214ELHLT-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
FS400R07A1E3
Infineon(英飞凌)
MCP4728A0T-E/UN
Microchip(微芯)
NCP1234BD65R2G
ON(安森美)
D203S
GC
LM2670SX-ADJ
NS(国半)
LT8609AEMSE#TRPBF
LINEAR(凌特)
ADUC7024BSTZ62
ADI(亚德诺)
HMC988LP3ETR
ADI(亚德诺)
MBI5026GF
MBI(台湾聚积)
MF-R010
Bourns(伯恩斯)
PIC16F1829-I/ML
Microchip(微芯)
SN74HC175DR
TI(德州仪器)
AD7874ARZ
ADI(亚德诺)
BL02RN2R1M2B
MURATA(村田)
CC10-2405SR-E
TDK-Lambda
IAUC41N06S5L100
Infineon(英飞凌)
MMSZ5260BT1G
ON(安森美)
NT5TU32M16FG-AC
Nanya Technology
NTMFS6H801NT1G
ON(安森美)
RNA51957BFP#H0
Renesas(瑞萨)
STM32F373CBT6
ST(意法)
PCA9538PWR
NXP(恩智浦)
PIC18F2620-I/SO
Microchip(微芯)
SC16IS750IPW
NXP(恩智浦)
ACNV2601-500E
Avago(安华高)
ADL5545ARKZ-R7
ADI(亚德诺)
ATF1502AS-10AU44
Atmel(爱特梅尔)
L78M10ABDT-TR
ST(意法)
M27C1001-12F1
ST(意法)
MIC5235YM5-TR
Micrel(麦瑞)
SI7469DP-T1-E3
Vishay(威世)
SN54LS245J
MOT(仁懋)
SN65LVDS048APWR
TI(德州仪器)
AD7940BRJZ-REEL7
ADI(亚德诺)
ADUM5028-5BRIZ
ADI(亚德诺)
BD9G101G-TR
Rohm(罗姆)
BSC011N03LS
Infineon(英飞凌)
BTT6100-2EKA
Infineon(英飞凌)
KTY82/110
Philips(飞利浦)
MCP39F511-E/MQ
Microchip(微芯)
74AC14SCX
ON(安森美)
IPB025N10N3G
Infineon(英飞凌)
OPA2369AIDGKR
TI(德州仪器)
SN74HC125PWR
TI(德州仪器)
20TQC100MYF
Panasonic(松下)
B340A
LITEON(台湾光宝)
F280049CPZQR
TI(德州仪器)
MC9S12DG256VPVE
MOTOROLA(摩托罗拉)
NCP1014AP065G
ON(安森美)
NCP170ASN330T2G
ON(安森美)
SPX5205M5-L-5-0/TR
EXAR(艾科嘉)
ST26C31BDR
ST(意法)
74LCX125MTCX
Fairchild(飞兆/仙童)
BAR43FILM
ST(意法)
IRFL4315TRPBF
Vishay(威世)
L6566BTR
ST(意法)
MCP2562FD-E/SN
Microchip(微芯)
NCV4269AD250R2G
ON(安森美)
SHT30-DIS-B
Sensirion(瑞士盛思锐)
TPS3839K33DBZR
TI(德州仪器)
XC6SLX45-2FGG676C
XILINX(赛灵思)
3224W-1-202E
Bourns(伯恩斯)
ADS8505IBDWR
TI(德州仪器)
AT24C128C-SSHM-B
Atmel(爱特梅尔)
BSC109N10NS3G
Infineon(英飞凌)
EPM7064AETC44-10N
ALTERA(阿尔特拉)
OPA2379AIDCNR
TI(德州仪器)
STM32F100R4T6B
ST(意法)
TLV627432YFPR
TI(德州仪器)
TMP431DDGKR
TI(德州仪器)
ATSAMC21N18A-AN
Microchip(微芯)
BQ29209TDRBRQ1
TI(德州仪器)
CY7C65632-28LTXCT
Cypress(赛普拉斯)
M95040-WMN6TP
ST(意法)
MC9S08GT32ACFBE
Freescale(飞思卡尔)
RTL8201BL
REALTEK(瑞昱)
SN74HCT14PWR
TI(德州仪器)
TCA6507PWR
TI(德州仪器)
TPIC7218QPFPRQ1
TI(德州仪器)
ATXMEGA128A4U-CU
Atmel(爱特梅尔)
BCM5461SA1IPFG
Broadcom(博通)
BP5609
（BPS）上海晶丰明源
