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型号： IRF640NPBF
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：*IRF640NPBF
标准包装：50
封装：TO-220
批号：2013+
数量：18900
备注：深圳市勤思达科技有限公司授权分销IR系列，全新进口原装，公司常备大量的库存，部分型号可以直接原厂订货
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