厂家：IR
基本参数：类别：分立式半导体
家庭：MOSFET，GaNFET -单
系列：HEXFET?
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9毫欧@ 60A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id) @ 25° C：100A
Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：93nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2900pF @ 25V
功率-最大：170W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF1104PBF
联 系 人：夏先生 朱小姐
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