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电路设计使输入端能够抵抗100V的surge电压具有DC过电压保护

发布时间:2024/4/25 22:30:17 访问次数:38

在移动电子产品中,大多使用锂电池供电,因此充电方案必不可少,在使用充电接口充电时,势必会遇到浪涌或过电压等情况,OCP9225AH为此而设计。利用独特的电路设计,可使输入端能够抵抗100V的surge电压,并且具有DC过电压保护。

OCP9225AH采用低Ron内部FET,工作范围为3V_DC至28V_DC,导通时Ron仅为18mΩ,很大的降低功率损耗。

OCP9225AH有完全“绿色”兼容的1.237mm*1.912mm WLCSP-12B封装。


RPL-20系列额定电流为20A,采用与RPL-10相同的7×7×4.4mm LGA-M封装尺寸,并将功率密度提升到全新水平。输出电压可编程范围为0.6-5.5V,输入电压范围为4-16V。效率高达94%,可在高达90℃的环境温度下满载运行。

工作频率可在600kHz-1MHz之间设置,并可选择脉冲跳跃模式和强制连续导通模式。

所有新产品均采用集成磁性器件,包括电源良好信号、远程开/关以及针对过热、输入欠压、输出过载和短路的全面保护功能。

在60吉赫兹(GHz)毫米波波段下设计和演示的DMA。60GHz是国际法预留的用于工业、科学和医疗应用的频谱。

这款高功率和高效率解决方案,在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料,具备极高的高性价比。

这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案,能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比,QPD1025的漏极效率有了显著提升,效率高出近15个百分点,这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。

深圳市鸿鑫格电子科技有限公司http://xyxkj1.51dzw.com

在移动电子产品中,大多使用锂电池供电,因此充电方案必不可少,在使用充电接口充电时,势必会遇到浪涌或过电压等情况,OCP9225AH为此而设计。利用独特的电路设计,可使输入端能够抵抗100V的surge电压,并且具有DC过电压保护。

OCP9225AH采用低Ron内部FET,工作范围为3V_DC至28V_DC,导通时Ron仅为18mΩ,很大的降低功率损耗。

OCP9225AH有完全“绿色”兼容的1.237mm*1.912mm WLCSP-12B封装。


RPL-20系列额定电流为20A,采用与RPL-10相同的7×7×4.4mm LGA-M封装尺寸,并将功率密度提升到全新水平。输出电压可编程范围为0.6-5.5V,输入电压范围为4-16V。效率高达94%,可在高达90℃的环境温度下满载运行。

工作频率可在600kHz-1MHz之间设置,并可选择脉冲跳跃模式和强制连续导通模式。

所有新产品均采用集成磁性器件,包括电源良好信号、远程开/关以及针对过热、输入欠压、输出过载和短路的全面保护功能。

在60吉赫兹(GHz)毫米波波段下设计和演示的DMA。60GHz是国际法预留的用于工业、科学和医疗应用的频谱。

这款高功率和高效率解决方案,在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料,具备极高的高性价比。

这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案,能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比,QPD1025的漏极效率有了显著提升,效率高出近15个百分点,这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。

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