C0G （ NP0 ）电介质
一般特定网络阳离子
C0G （ NP0 ）是最常见配方
“温度补偿” EIA I类陶瓷
材料。现代C0G （ NP0 ）配方中含有
钕，钐和其它稀土氧化物。
C0G （ NP0 ）陶瓷提供最稳定的电容器之一
可用介质。电容随温度的变化
为0 ± 30ppm的/ ° C的小于± 0.3 ％C从-55°C
至+ 125°C 。电容的漂移或滞后C0G （ NP0 ）
陶瓷是可忽略的，在小于± 0.05 ％和高达
± 2％的薄膜。典型的电容变化的生活少
超过±为C0G （ NP0 ） 0.1％ ，五分之一，所示由最
其他的电介质。 C0G （ NP0 ）配方中不显示衰老
的特点。
部件号（见完整的零件号解释第2页）
0805
SIZE
（ L" X W" ）
5
电压
6.3V = 6
10V = Z
16V = Y
25V = 3
50V = 5
100V = 1
200V = 2
500V = 7
A
电介质
C0G （ NP0 ） = A
101
电容
代码（单位为pF ）
2西格。数字+
数
零
J
电容
公差
± 0.10 pF的（ <10pF ）
± 0.25 pF的（ <10pF ）
± 0.50 pF的（ <10pF ）
±1％（ ≥ 10 pF）的
±2％ （ ≥ 10 pF）的
±5%
±10%
A
失败
率
A =不
适用
T
2
A
特别
CODE
A =标准。
产品
B
C
D
F
G
J
K
=
=
=
=
=
=
=
终端
包装
2 = 7"卷轴
T =镀镍
4 = 13"卷轴
和Sn
7 =散装卡斯。
7 =镀金
9 =散装
联系
联系
工厂
工厂
1 =钯/银期限
为
倍数
注：请联系工厂对特定的型号终止与宽容选项的可用性。
联系工厂对非指定的电容值。
绝缘电阻（欧姆法拉）
温度COEF网络cient
典型的静电容量变化
信封： 0
±
30 PPM /°C的
电容与频率的关系
+2
绝缘电阻与温度
10,000
电容
电容
+1
0
-1
-2
1,000
+0.5
0
-0.5
100
%
%
-55 -35 -15 +5 +25 +45 +65 +85 +105 +125
1KHz
10千赫
100千赫
1兆赫
10兆赫
0
0
20
40
60
80
100
温度
°C
阻抗与股价值变化
阻抗与频率
0805 - C0G （ NP0 ）
10 pF的与100 pF的与1000 pF的
100,000
频率
阻抗的变化与芯片尺寸
阻抗与频率
1000 PF - C0G （ NP0 ）
10
1206
0805
1812
1210
1.0
10.00
温度
°C
阻抗的变化与陶瓷配方
阻抗与频率
1000pF的 - C0G （ NP0 ）， X7R VS
0805
X7R
NPO
10,000
100
10.0
10 pF的
阻抗，
1000
阻抗，
1,000
阻抗，
1.00
0.10
1.0
0.1
1
10
100
100 pF的
1000 pF的
1000
0.1
10
100
频率， MHz的
0.01
10
100
1000
频率， MHz的
频率， MHz的
4
C0G （ NP0 ）电介质
规格和测试方法
参数/测试
工作温度范围
电容
Q
绝缘电阻
介电强度
NP0规格限制
-55℃至+ 125℃
在特定网络版公差
<30 PF： Q≥ 400 + 20×股价值
≥30 PF： Q≥ 1000
100,000MΩ或1000MΩ - μF ，
以较低者为准
无击穿或视觉缺损
测量条件
温度循环室
频率： 1.0 MHz的± 10 ％的上限≤1000 pF的
1.0千赫±10％的上限> 1000 pF的
电压： 1.0Vrms ± .2V
充电设备的额定电压
60 ± 5秒@室内温度/湿度
充电装置，用300 ％的额定电压的供
1-5秒，瓦特/充电和放电电流
限定到50mA （最大）
注：为额定150 ％充电装置
电压为500V的设备。
变形：2毫米
测试时间：30秒
1mm/sec
耐
曲
讲
外形
电容
变异
Q
绝缘
阻力
无缺陷
± 5 ％或± 0.5 pF的，以较高者为准
满足初始值（如上面）
≥初始值×0.3
每个终端≥ 95％应覆盖
用新鲜的焊锡
无缺陷，两端端子<25浸出％
≤± 2.5 ％或± 0.25 pF的，以较高者为准
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤± 2.5 ％或± 0.25 pF的，以较高者为准
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤± 3.0 ％或± 0.3 pF的，以较高者为准
≥ 30 pF的：
≥10 PF， <30 PF：
<10 PF：
Q≥ 350
Q≥ + 275 ℃/ 2
Q≥ 200 + 10℃
90 mm
可焊性
外形
电容
变异
耐
焊锡热
Q
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
Q
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
Q
（C =额定章）
绝缘
阻力
电介质
实力
外形
电容
变异
负载
湿度
Q
绝缘
阻力
电介质
实力
浸在共晶焊料在230 ± 5℃的设备
为5.0 ± 0.5秒
在共晶焊料在260℃进行60 DIP设备
秒。储存在室温24±2
测量电气性能之前小时。
第1步： -55℃ ± 2°
第2步：房间温度
步骤3 ： + 125℃ ± 2°
步骤4：房间温度
30± 3分钟
≤ 3分钟
30± 3分钟
≤ 3分钟
热
震
重复5次和措施后，
在室温下24小时
负载寿命
充电设备与二次额定电压
试验室设在125℃ ± 2℃
1000小时（ 48 ， -0 ） 。
从试验容器中取出，并稳定在
室温下进行24小时
前测。
≥初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
没有视觉缺陷
≤± 5.0 ％或± 0.5 pF的，以较高者为准
≥ 30 pF的：
≥10 PF， <30 PF：
<10 PF：
Q≥ 350
Q≥ + 275 ℃/ 2
Q≥ 200 + 10℃
存放在试验室设在85℃ ± 2℃ /
1000小时85 ％±5％相对湿度
（ 48 ， -0 ）额定电压应用。
从室中取出，并稳定在
室温下放置24±2小时
前测。
≥初始值×0.3 （见上文）
满足初始值（如上面）
5
