UTC 2N5088 / 2N5089 NPN外延硅晶体管
NPN通用放大器
描述
该设备是专为低噪声，高增益，一般
目的放大器应用从集电极电流
1μA至50mA 。
1
TO-92
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：收藏家
最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
等级
符号
2N5088
2N5089
单位
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
30
25
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
35
30
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
4.5
V
集电极电流连续
Ic
100
mA
工作和存储
T
j,
T
英镑
-55 ~ +150
°C
结温范围
注1：这些评级是基于150度C的最高结温
注2 ：这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低负载应用进行咨询
周期操作。
热特性
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到
环境
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
最大
625
5
83.3
200
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
1
QW-R201-040,A
UTC 2N5088 / 2N5089 NPN外延硅晶体管
电气特性
(Ta=25
°
C，除非另有说明）
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（注）
2N5088
2N5089
集电极 - 基极击穿电压
2N5088
2N5089
集电极截止电流
2N5088
2N5089
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CEO
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
=0
民
最大
单位
30
25
V
（ BR ） CBO
I
C
= 100μA ，我
E
=0
35
30
I
CBO
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0
I
EBO
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
EB
= 4.5V ，我
C
=0
50
100
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
300
400
350
450
300
400
900
1200
50
50
V
V
V
V
nA
nA
nA
nA
基本特征
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 5.0V ，我
C
=100A
V
CE
= 5.0V ，我
C
=1.0mA
V
CE
= 5.0V ，我
C
=10mA
（注）
I
C
= 10毫安，我
B
=1.0mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=5.0V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基射极电压上
V
BE
（上）
小信号特性
电流增益带宽积
f
T
V
CE
= 5.0毫安， IC = 500
A，F = 20MHz的
集电极 - 基极电容
建行
V
CB
= 5.0V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
发射极 - 基极电容
CEB
V
EB
= 0.5V ， IC = 0 ， F = 100kHz的
小信号电流增益
h
FE
V
CE
= 5.0V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
2N5088
2N5089
噪声系数
NF
V
CE
= 5.0V ， IC = 100
A，R
s
=10k
,
2N5088
F = 10kHz至15.7kHz
2N5089
注：脉冲测试：脉冲Width≤300
S，占空比= 2.0 ％ 。
0.5
0.8
50
4
10
350
450
1400
1800
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
pF
dB
dB
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
2
QW-R201-040,A
UTC 2N5088 / 2N5089 NPN外延硅晶体管
典型特征
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
3
QW-R201-040,A
UTC 2N5088 / 2N5089 NPN外延硅晶体管
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
4
QW-R201-040,A
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世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
5
QW-R201-040,A
