功率晶体管
2SC5902
硅NPN三重扩散台面型
水平偏转输出电视
15.5
±0.5
(10.0)
单位:mm
φ
3.2
±0.1
5
(4.5)
3.0
±0.3
5
■
特点
高击穿电压: V
CBO
≥
1 700 V
广泛的安全工作区
内置自卸车二极管
26.5
±0.5
(23.4)
(2.0)
5
(4.0)
2.0
±0.2
1.1
±0.1
0.7
±0.1
5.45
±0.3
10.9
±0.5
5.5
±0.3
5
5
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(E -B的短)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
*
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
等级
1 700
1 700
7
3
9
14
40
3
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
A
W
3.3
±0.3
18.6
±0.5
(2.0)
浸焊
5
1
2
3
(2.0)
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ : SC- 94
TOP- 3E -A1套餐
内部连接
C
B
E
注)* :非重复性峰值集电极电流
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
发射极 - 基极电压(集电极开路)
正向电压
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
符号
V
EBO
V
F
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
英镑
t
f
I
F
=
4.5 A
V
CB
=
1 000 V,I
E
=
0
V
CB
=
1 700 V,I
E
=
0
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
V
CE
=
5 V,I
C
=
4.5 A
I
C
=
4.5 A,I
B
=
1.13 A
I
C
=
4.5 A,I
B
=
1.13 A
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.1 A,F
=
0.5兆赫
I
C
=
4.5 A ,电阻负载
I
B1
=
1.13 A,I
B2
= 2.25
A
3
5.0
0.5
5
条件
I
E
=
500毫安,我
C
=
0
民
7
2
50
1
10
3
1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
mA
V
V
兆赫
s
s
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
22.0
±0.5
(1.2)
出版日期: 2004年3月
SJD00304AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
功率晶体管
2SC5902
硅NPN三重扩散台面型
水平偏转输出电视
15.5
±0.5
(10.0)
单位:mm
φ
3.2
±0.1
5
(4.5)
3.0
±0.3
5
■
特点
高击穿电压: V
CBO
≥
1 700 V
广泛的安全工作区
内置自卸车二极管
26.5
±0.5
(23.4)
(2.0)
5
(4.0)
2.0
±0.2
1.1
±0.1
0.7
±0.1
5.45
±0.3
10.9
±0.5
5.5
±0.3
5
5
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(E -B的短)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
*
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
等级
1 700
1 700
7
3
9
14
40
3
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
A
W
3.3
±0.3
18.6
±0.5
(2.0)
浸焊
5
1
2
3
(2.0)
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ : SC- 94
TOP- 3E -A1套餐
内部连接
C
B
E
注)* :非重复性峰值集电极电流
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
发射极 - 基极电压(集电极开路)
正向电压
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
符号
V
EBO
V
F
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
英镑
t
f
I
F
=
4.5 A
V
CB
=
1 000 V,I
E
=
0
V
CB
=
1 700 V,I
E
=
0
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
V
CE
=
5 V,I
C
=
4.5 A
I
C
=
4.5 A,I
B
=
1.13 A
I
C
=
4.5 A,I
B
=
1.13 A
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.1 A,F
=
0.5兆赫
I
C
=
4.5 A ,电阻负载
I
B1
=
1.13 A,I
B2
= 2.25
A
3
5.0
0.5
5
条件
I
E
=
500毫安,我
C
=
0
民
7
2
50
1
10
3
1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
mA
V
V
兆赫
s
s
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
22.0
±0.5
(1.2)
出版日期: 2004年3月
SJD00304AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月