数据表
MOS场效应
2SK3062
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
5
订购信息
产品型号
2SK3062
2SK3062-S
2SK3062-ZJ
2SK3062-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
描述
该2SK3062是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 8.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 35 A)
R
DS(on)2
= 12 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 35 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 5200 pF的典型。
内置栅极保护二极管
笔记
TO- 220SMD包产生仅在
日本
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
(TO-220AB)
60
±20
+20,
10
±70
±280
100
1.5
150
-55到+150
35
122.5
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
V
DSS
V
GSS （AC）的
V
GSS （DC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
2.
开始总胆固醇= 25 ° C，V
DD
= 30 V ，R
G
= 25
, V
GS
= 20
→
0 V
（ TO- 263 ， TO- 220SMD ）
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供应及其他信息。
文档编号
D13101EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2001年4月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1998,1999
