MTP40N10E
首选设备
功率MOSFET
40安培， 100伏
N沟道TO- 220
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。高效节能的设计也
提供了漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。设计
低电压，在电源高速开关应用，
变换器和PWM马达控制，这些设备是特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
IDSS和VDS （ ON）指定高温
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 75伏直流电， VGS = 10伏，峰值
IL = 40 APK， L = 1.0 mH的， RG = 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
价值
100
100
±20
±40
40
29
140
169
1.35
-55
150
800
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
mJ
2
漏
° C / W
R
θJC
R
θJA
TL
0.74
62.5
260
°C
MTP40N10E
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
1
2
TO–220AB
CASE 221A
风格5
4
S
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40安培
100伏
RDS （ ON） = 40毫欧
N沟道
D
G
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
MTP40N10E
LLYWW
3
来源
3
1
门
订购信息
设备
MTP40N10E
包
TO–220AB
航运
50单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第2版
出版订单号：
MTP40N10E/D
MTP40N10E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 100伏， VGS = 0伏）
（ VDS = 100伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±20
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 20 ADC）
漏极 - 源极导通电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 40 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 20的ADC ， TJ = 125°C ）
正向跨导（ VDS = 8.4伏， ID = 20 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（参见图8）
（S网络
（ VDS = 80伏直流电， ID = 40的ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 50伏直流电， ID = 40的ADC ，
VGS = 10 VDC ，
VDC
RG = 9.1
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
（ IS = 40 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 40 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
反向恢复时间
（参见图14）
（S网络
（ IS = 40 ADC ， VGS = 0伏，
ADC
VDC
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复存储
收费
内部封装电感
内部排水电感
（从接触被测螺纹的标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
3.反映的典型值。 CPK
+
最大极限 - 典型值
3西格玛
LD
–
–
LS
–
7.5
–
3.5
4.5
–
–
nH
TRR
ta
tb
QRR
VSD
–
–
–
–
–
–
0.96
0.88
152
117
35
1.0
1.0
–
–
–
–
–
C
ns
VDC
–
–
–
–
–
–
–
–
19
165
75
97
80
15
40
29
40
330
150
190
110
–
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
2305
620
205
3230
1240
290
pF
激酶（CPK
≥
2.0 ） （注3 ）
VGS （ TH）
2.0
–
激酶（CPK
≥
2.0 ） （注3 ）
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
17
–
–
21
1.9
1.7
–
姆欧
0.033
0.04
VDC
2.9
6.7
4.0
–
VDC
毫伏/°C的
欧
V（ BR ） DSS
激酶（CPK
≥
2.0 ） （注3 ）
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
10
100
100
NADC
100
–
–
112
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
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2
MTP40N10E
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（IG （AV） ）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V GS保持几乎恒定的水平
被誉为高原电压， VSGP 。因此，上升和下降
时间可近似由下：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
8000
7000
C，电容（pF ）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
-10
-5
VGS
0
VDS
CRSS
5
10
15
20
科斯
25
西塞
西塞
CRSS
VDS = 0 V
VGS = 0 V
电容（西塞）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
TJ = 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
MTP40N10E
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
Q3
20
30
40
VDS
50
60
70
80
QG ，总栅极电荷（ NC）
ID = 40 A
TJ = 25°C
Q1
Q2
QT
VGS
80
72
64
10,000
VDD = 50 V
ID = 40 A
VGS = 10 V
TJ = 25°C
VDS ，漏极至源极电压（伏）
48
40
32
24
16
8
0
T， TIME （ NS ）
56
1000
100
tr
tf
TD （关闭）
10
TD （上）
1.0
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
40
35
I S ，源电流（安培）
30
25
20
15
10
5
0
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.0
VGS = 0 V
TJ = 25°C
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度为25 ℃的情况下，温度（T ） 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
讨论
in
AN569,
“瞬间
热
电阻一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
（ IDM ），也不额定电压（ VDSS ）超标和
过渡时间（ TR ， TF ）不超过10
s.
此外，该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过（ TJ（MAX） - TC） / （r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（ IDM ） ，能量等级在额定指定
连续电流（ID ） ，根据业
自定义。能量等级必须降低温度
如显示在所附的图中（图12） 。最大
能在低于额定连续电流ID可以安全地
假定为等于指定的值。
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