74LVT573 74LVTH573低压八路透明锁存器带3态输出
1999年3月
修订后的2005年3月
74LVT573 74LVTH573
低电压八路透明锁存器
具有三态输出
概述
该LVT573和LVTH573包括八个锁存器与
三态输出的总线组织系统的应用。
该锁存器是透明的数据时，锁存
使能（ LE ）为高。当LE为低电平时，数据满足
的输入时序要求，进行锁存。数据显示在
当输出使能总线（OE）为LOW 。当OE
高电平时，总线输出处于高阻抗状态。
该LVTH573数据输入包括bushold ，消除了
无需外部上拉电阻持有未使用的输入。
这些八进制锁存器是专为低电压（ 3.3V ）
V
CC
应用，但与有能力提供一个TTL
接口为5V环境。该LVT573和LVTH573
均选用先进的BiCMOS技术
实现类似于5V ABT而高速动作
保持低功耗。
特点
s
在输入输出接口功能的系统
5V V
CC
s
Bushold数据输入不再需要外部
上拉电阻持有未使用的输入（ 74LVTH573 ）
也有不bushold功能（ 74LVT573 ）
s
直播插入/拔出许可
s
上电/掉电高阻抗提供无干扰
总线负载
s
输出源/汇
32毫安/
64毫安
s
与74系列573功能兼容
s
闭锁性能超过500 mA。
s
ESD性能：
人体模型
!
2000V
机器型号
!
200V
带电器件模型
!
1000V
订购代码：
订单号
74LVT573WM
74LVT573SJ
74LVT573MSA
74LVT573MTC
74LVT573MTCX_NL
（注1 ）
74LVTH573WM
74LVTH573SJ
74LVTH573MSA
74LVTH573MTC
74LVTH573MTCX_NL
（注1 ）
包
数
M20B
M20D
MSA20
MTC20
MTC20
M20B
M20D
MSA20
MTC20
MTC20
包装说明
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
无铅20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚紧缩小型封装（ SSOP ） ， JEDEC MO- 150 ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
无铅20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
无铅20引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
20引脚紧缩小型封装（ SSOP ） ， JEDEC MO- 150 ， 5.3毫米宽
20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
无铅20引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米
WIDE
也可在磁带和卷轴装置。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
根据JEDEC J- STD- 020B无铅封装。
注1 ：
“ _NL ”表示无铅封装（每JEDEC J- STD- 020B ） 。设备只在磁带和卷轴可用。
2005仙童半导体公司
DS012450
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74LVT573 74LVTH573
逻辑符号
引脚说明
引脚名称
D
0
–D
7
LE
OE
数据输入
锁存使能输入
输出使能输入
三态输出锁存器
描述
IEEE / IEC
O
0
–O
7
真值表
输入
LE
X
H
H
OE
H
L
L
L
D
n
X
L
H
X
输出
O
n
Z
L
H
O
0
接线图
H
L
Z
X
O
0
L
高电压电平
低电压电平
高阻抗
非物质
上一页
0
之前HIGH到锁存器的低转换启动
功能说明
该LVT573和LVTH573包含8 D型锁存器带3态输出标准。当锁存使能（ LE ）输入
为高电平，在D个数据
n
输入端进入锁存器。在这种条件下，锁存器是透明的，即，锁存器的输出将
每一次改变状态的D型输入改变。当LE为低电平时，锁存器存储，这是存在于信息
D型LE输入的高电平至低电平转换之前的准备时间。 3态输出的标准控制
由输出使能（ OE ）输入。当OE为低电平时，标准输出在2态模式。当OE为高电平，则
标准输出处于高阻抗状态，但是，这并不与输入新的数据进入锁存器干扰。
逻辑图
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟。
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2
74LVT573 74LVTH573
绝对最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
储存温度
价值
条件
单位
V
V
输出三态
输出高电平或者低电平状态（注3 ）
V
I
GND
V
O
GND
V
O
!
V
CC
输出高国
V
O
!
V
CC
输出低电平状态
V
mA
mA
mA
mA
mA
0.5
4.6
0.5
7.0
0.5
7.0
0.5
7.0
50
50
64
128
r
64
r
128
65
150
q
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
I
OH
I
OL
T
A
电源电压
输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
自由空气工作温度
输入边沿速率，V
IN
0.8V–2.0V, V
CC
3.0V
参数
民
2.7
0
最大
3.6
5.5
单位
V
V
mA
mA
32
64
40
0
85
10
q
C
NS / V
'
t/
'
V
注2 ：
绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
注3 ：
I
O
绝对最大额定值必须遵守。
DC电气特性
符号
参数
V
CC
(V)
2.7
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7–3.6
2.7
3.0
V
OL
输出低电压
2.7
2.7
3.0
3.0
3.0
I
我（ HOLD ）
（注5 ）
I
我（OD）的
（注5 ）
I
I
Bushold输入过驱动
目前的状态改变
输入电流
控制引脚
数据引脚
I
关闭
I
PU / PD
I
OZL
I
OZH
关机漏电流
上电/掉电三态
输出电流
三态输出漏电流
三态输出漏电流
3.6
3.6
3.6
0
0–1.5V
3.6
3.6
3.0
Bushold输入最小驱动
3.0
75
V
CC
0.2
2.4
2.0
0.2
0.5
0.4
0.5
0.55
V
V
2.0
0.8
T
A
民
40
q
C到
85
q
C
典型值
（注4 ）
最大
单位
条件
V
IK
V
IH
V
IL
V
OH
输入钳位二极管电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
1.2
V
V
V
I
I
18毫安
V
O
d
0.1V或
V
O
t
V
CC
0.1V
I
OH
I
OH
I
OH
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
I
OL
V
I
V
I
100
P
A
8毫安
32毫安
100
P
A
24毫安
16毫安
32毫安
64毫安
0.8V
2.0V
75
500
P
A
P
A
10
（注6 ）
（注7 ）
V
I
5.5V
0V或V
CC
0V
V
CC
0.5V至3.0V
GND或V
CC
0.5V
3.0V
V
I
V
I
V
I
500
r
1
5
1
P
A
r
100
r
100
5
5
P
A
P
A
P
A
P
A
0V
d
V
I
或V
O
d
5.5V
V
O
V
I
V
O
V
O
3
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74LVT573 74LVTH573
DC电气特性
符号
I
OZH
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
I
CCZ
参数
三态输出漏电流
电源电流
电源电流
电源电流
电源电流
增加电源电流
（注8）
注4 ：
所有典型值是在V
CC
3.3V ，T
A
25
q
C.
注5 ：
适用于bushold版本仅（ 74LVTH573 ） 。
（续）
T
A
民
V
CC
(V)
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
40
q
C到
85
q
C
典型值
（注4 ）
10
0.19
5
0.19
0.19
0.2
最大
单位
条件
V
CC
V
O
d
5.5V
输出高电平
输出低电平
输出禁用
V
CC
d
V
O
d
5.5V,
输出禁用
一个输入在V
CC
0.6V
其他输入在V
CC
或GND
P
A
mA
mA
mA
mA
mA
'
I
CC
注6 ：
外部驱动器，必须有至少指定的电流以从低到高的转换。
注7 ：
外部驱动器必须吸收至少指定电流从高电平到低电平切换。
注8 ：
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是V
CC
或GND 。
动态切换特性
符号
V
OLP
V
OLV
参数
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
V
CC
(V)
3.3
3.3
（注9 ）
T
A
民
25
q
C
典型值
0.8
最大
单位
V
V
条件
C
L
为50 pF ，R
L
500
:
（注10 ）
（注10 ）
0.8
注9 ：
其特征在于， SOIC封装。保证参数，但未经测试。
注10 ：
定义为（n ）输出最大数量。
1数据输入驱动0V至3V 。被测的输出保持低电平。
AC电气特性
T
A
40
q
C到
85
q
C
C
L
为50 pF ，R
L
500
:
符号
参数
民
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
t
S
t
H
t
W
t
OSHL
t
OSLH
注11 ：
所有典型值是在V
CC
3.3V ，T
A
25
q
C.
V
CC
3.3V
r
0.3V
典型值
（注11 ）
最大
4.4
4.1
4.4
4.4
5.1
5.1
4.6
4.9
民
1.5
1.5
1.9
1.9
1.5
1.5
2.0
2.0
0.6
1.7
3.0
1.0
1.0
V
CC
2.7V
最大
4.9
4.7
4.9
5.0
6.6
5.9
4.9
5.5
单位
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间
输出禁止时间
建立时间，D
n
以LE
保持时间，D
n
以LE
LE脉冲宽度
输出到输出偏斜（注12 ）
1.5
1.5
1.9
1.9
1.5
1.5
2.0
2.0
0.7
1.5
3.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.0
1.0
ns
注12 ：
歪斜是指实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。该
规范适用于任何输出以相同的方向切换，无论是高到低（叔
OSHL
）或低到高（T
OSLH
).
电容
（注13 ）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
V
CC
V
CC
开放式，V
I
3.0V, V
O
条件
0V或V
CC
0V或V
CC
典型
4
6
单位
pF
pF
注13 ：
电容的测量是在频率f
1 MHz时，每MIL -STD -883方法3012 。
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4
74LVT573 74LVTH573
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
20引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 013 ， 0.300"宽
包装数M20B
5
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