ICL7667
数据表
2006年4月4日
FN2853.5
双通道功率MOSFET驱动器
该ICL7667是双单片高速驱动器设计
转换TTL电平信号转换成在高电流输出
电压高达15V 。它的高转速和电流的输出使能
它来驱动较大的容性负载，高转换率和低
传播延迟。具有输出电压摆幅只有
毫伏小于电源电压和最大供给
15V的电压时， ICL7667非常适合用于驱动功率
在高频MOSFET的开关型电源
转换器。该ICL7667的高电流输出减少
在功率MOSFET通过快速充电功率损耗
和放电的栅极电容。该ICL7667的输入
是TTL兼容的，可以通过共同的直接驱动
脉冲宽度调制控制IC 。
特点
快速上升和下降时间
- 为30ns有1000pF的负载
宽电源电压范围
- V
CC
= 4.5V至15V
低功耗
- 与输入低4mW的
- 为20mW与输入高
TTL / CMOS兼容输入功率驱动器
- R
OUT
= 7Ω典型值
直接接口与普通的PWM控制IC
引脚等效于DS0026 / DS0056 ; TSC426
无铅加退火用（符合RoHS）
订购信息
部分
数
ICL7667CBA
ICL7667CBA-T
ICL7667CBAZA
（注）
部分
记号
7667CBA
7667CBA
7667CBAZ
温度。
范围
(
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
包
PKG 。
DWG 。
#
应用
开关电源
DC / DC转换
电机控制器
8 Ld的SOIC （N ） M8.15
8 Ld的SOIC （N ） M8.15
磁带和卷轴
8 Ld的SOIC （N ） M8.15
（无铅）
8 Ld的SOIC （N ） M8.15
磁带和卷轴
（无铅）
8 Ld的PDIP
8 Ld的PDIP *
（无铅）
E8.3
E8.3
引脚
ICL7667 （ PDIP ， SOIC ）
顶视图
ICL7667CBAZA -T 7667CBAZ
（注）
ICL7667CPA
ICL7667CPAZ
（注）
7667CPA
7667CPAZ
0到70
0到70
N / C
IN A
V-
IN B
1
2
3
4
8
7
6
5
N / C
OUT A
V+
OUT B
*无铅PDIPs可用于通孔波焊处理
只。他们不打算在回流焊接工艺使用AP-
并发症。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度
达到或Tures的超越IPC / JEDEC J无铅要求
STD-020.
工作原理图
V
CC
≈
2mA
OUT
IN
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1999年， 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ICL7667
绝对最大额定值
电源电压V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 18V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V- -0.3V至V + + 0.3V
包装耗散，T
A
25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .500mW
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
170
不适用
o
C至150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊流程 -
只有荷兰国际集团。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
工作温度范围
ICL7667C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
ICL7667M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
ICL7667C ，男
T
A
= 25
o
C
参数
DC特定网络阳离子
逻辑1输入电压
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
输出电压高
输出电压低
输出电阻
输出电阻
电源电流
电源电流
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
I
IL
V
OH
V
OL
R
OUT
R
OUT
I
CC
I
CC
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 15V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 15V
V
CC
= 15V, V
IN
= 0V到15V
V
CC
= 4.5V和15V
V
CC
= 4.5V和15V
V
IN
= V
IL
, I
OUT
= -10mA ，V
CC
= 15V
V
IN
= V
IH
, I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 15V
V
CC
= 15V, V
IN
= 3V两个输入端
V
CC
= 15V, V
IN
= 0V两个输入端
2.0
2.0
-
-
-0.1
V
CC
-0.05
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
CC
0
7
8
5
150
-
-
0.8
0.8
0.1
-
0.05
10
12
7
400
2.0
2.0
-
-
-0.1
V
CC
-0.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
CC
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.5
0.1
-
0.1
12
13
8
400
V
V
V
V
A
V
V
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
ICL7667M
-55
o
C
≤
T
A
≤
125
o
C
民
典型值
最大
单位
交换特定网络阳离子
延迟时间
上升时间
下降时间
延迟时间
T
D2
T
R
T
F
T
D1
科幻gure 3
科幻gure 3
科幻gure 3
科幻gure 3
-
-
-
-
35
20
20
20
50
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
60
40
40
40
ns
ns
ns
ns
注：所有典型值进行了表征，但未经测试。
2
FN2853.5
2006年4月4日
ICL7667
典型性能曲线
（续）
100
100
I
CC
（MA ）
I
CC
（MA ）
V
CC
= 15V
10
10
V
CC
= 15V
V
CC
= 5V
1
1
V
CC
= 5V
C
L
= 10pF的
100k
1M
10M
100A
10K
100K
C
L
= 1nF的
1M
10M
100mA
10k
频率（Hz）
频率（Hz）
图5.我
CC
与频率
50
50
图6.空载我
CC
与频率
40
40
t
D1
和T
f
（纳秒）
t
r
和T
D2
（纳秒）
30
t
f
20
t
D1
10
C
L
= 1nF的
0
5
30
t
r
= T
D2
20
10
C
L
= 10pF的
0
5
10
15
10
V
CC
(V)
15
V
CC
(V)
图7.延迟时间和下降时间VS V
CC
图8.上升时间VS V
CC
详细说明
该ICL7667是双高功率CMOS反相器的
输入TTL电平作出响应，而输出可以是摆动
高达15V 。其高输出电流使其能够迅速
充电和放电功率的栅极电容
MOSFET，可减少在开关模式的开关损耗
电源供应器。由于输出级的CMOS ，输出
将摆动到地面和V的毫伏范围内
CC
没有
所要求的任何外部零件或额外电源
DS0026 / 56系列。虽然最特殊的阳离子是在V
CC
= 15V ，传播延迟和规格都差不多
独立的V
CC
.
除了供电的MOS驱动器，所述ICL7667非常适合
对于其他应用，例如总线，控制信号，以及时钟
对大内存的微处理器电路板，其中司机
负载电容是大的，低传输延迟
所需。其他潜在的应用包括外围
电源驱动器和电荷泵电压逆变器。
4
输入级
输入级是一个大的N沟道FET的P沟道
恒定电流源。该电路具有大约一个阈值
1.5V ，相对独立的VCC电压。这意味着
该输入将与TTL通过直接兼容
整个4.5V - 15V V
CC
范围内。作为CMOS ，输入画
小于1μA电流在整个输入电压范围
地面到V
CC
。静态电流或空载供应
在ICL7667的电流由输入电压的影响，会
到接近零，当输入为0逻辑电平，并
上升到7毫安最大当两个输入都在1逻辑
的水平。有少量迟滞，大约为50mV至100mV
在输入端，由周围的正反馈产生
第二阶段。
输出级
该ICL7667输出是一个高功率的CMOS反相器，
地面和VCC之间摇摆。在V
CC
= 15V ，则
逆变器的输出阻抗通常为7Ω 。高
FN2853.5
2006年4月4日
ICL7667
在ICL7667的峰值电流能力，使其能够驱动
1000pF的负载仅为40ns的上升时间。因为
输出级的阻抗非常低，高达300mA的电流将流
通过串联的N沟道和P沟道输出设备
（从V
CC
接地）输出转换期间。这种交叉
当前负责的内部的一个显著部
该ICL7667在高频的功率耗散。它可以是
通过保持输入的上升和下降时间的最小化
ICL7667低于1μs的。
7.输出阶段
2
R电源损耗
上述的总和必须保持在规定的限值之内
可靠的操作。
如上所述，输入逆变器电流是输入电压
依赖性的，与我
CC
0.1毫安最大的一个逻辑0
输入和6毫安最大的一个逻辑1输入。
输出级保安电流是电流流
通过一系列的N沟道和P沟道器件的
形成输出。该电流， 300mA左右，只发生
输出转换期间。
注意事项：
输入数据必须永远
允许V之间保持
IL
和V
IH
因为这可能会
离开输出级处于高电流模式下，迅速
导致破坏设备。如果只有一个驱动程序的
正在使用时，一定要配合未使用的输入到地面。
从来没有
离开输入浮动。平均电源电流
通过输出级的拉深是频率相关的，因为可以
在我看到
CC
VS中的典型频率曲线图
特征图。
输出级余
2
R电源消耗无非是
的输出电流乘以电压降
在输出设备中。除了当前所绘制的
任何电阻性负载，就会有一个输出电流由于
充电和负载电容的充放电。在大多数
高频电路中的电流来进行充电和
放电容量占主导地位，并且功耗
大约
P
AC
=简历
CC2
f
其中，C为负载电容， F =频率
在情况下，负载是一个功率MOSFET和栅极
驱动器的要求都在栅极上的电荷来描述，该
ICL7667的功耗会
P
AC
= Q
G
V
CC
f
其中Q
G
=所需的充电转门，在
库伦， F =频率。
应用笔记
虽然ICL7667是一个简单的双电平转换逆变器，
有几个方面到必须小心注意
支付。
接地
由于输入和高电流输出的电流路径
既包括接地销，这是非常重要的，以最小化
而在接地回公共阻抗。自从
ICL7667是逆变器，任何通用的阻抗会
产生负反馈，并会降低延迟，上升
时间和下降时间。使用一个接地平面，如果可能的话，或使用
单独的接地回路的输入和输出电路。对
在接地回路尽量减少任何普通电感，
分开的输入和输出电路的接地回路尽可能靠近
到ICL7667是可能的。
绕过
快速充电的负载电容的充放电
需要来自电源非常高的电流尖峰。一
电容的并联组合具有低阻抗
在很宽的频率范围内应当被使用。一个4.7μF
钽电容器并联的低电感0.1μF
电容器通常是苏夫网络cient旁路。
输出阻尼
铃声是一个普遍的问题，在任何电路非常快
上升或下降时间。这种振荡将长期加剧
感应线的容性负载。技术来减少
铃声包括：
1.通过使印刷电路板布线，减少电感
尽可能地短。
2.通过使用接地平面或通过紧密降低电感
耦合输出线到其返回路径。
3.使用一个10Ω至30Ω串联电阻与的输出
ICL7667 。虽然这降低了铃声，它也将略有
增加的上升和下降时间。
4.使用良好的旁路技术，以防止电源电压
响。
功率MOS驱动电路
功率MOS驱动程序要求
因为它具有非常高的峰值电流输出端， ICL7667
所述驱动功率MOS器件的栅极。高
电流输出是很重要的，因为它最小化时的
功率MOS器件处于线性区。图9是
电荷VS栅极电压为功率MOSFET的典型曲线。
在区域中的佛罗里达州是由于密勒电容，其中
的漏极 - 栅极电容乘以电压
增益FET的。这种增加的电容发生，而
功率MOSFET处于线性区域，并正在消退
显着的功率。的非常高的电流输出
该ICL7667能迅速克服这个高
电容和快速接通MOSFET完全打开或关闭。
功耗
在ICL7667的功耗主要有三个
组件：
5.输入变频器的电流损耗
6.输出级交叉电流损耗
5
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2006年4月4日
