使用93LC56和93LC66
AN560
使用93LC56和93LC66
介绍
Microchip Technology Inc.的93LC56 / 66顷低
电源3线的非易失性存储器，并适合
许多嵌入式系统代码和数据存储应用
系统蒸发散。这些设备容易地将最微
控制器在今天的市场上，但Microchip的8位
RISC系列PIC16CXX提供最佳的代码密度
目前市场上的任何微控制器。使用
PIC16C54 ，包含在该装配程序
应用笔记都经过全面测试，并提供
正确的定时和3线序列完全操作
93LC56 / 66在PIC16CXX为基础的嵌入式应用
化。该PIC16C54是主频为10MHz的频率。
本应用笔记的目的是使工程师
有现成的独立代码模块
完成所有必需的功能，以利用这些
使用高效的低功率应用设备
PIC16C54单片机。
93系列器件具有四个基本的I / O引脚：
CS
CLK
DI
DO
芯片选择
时钟
DATA IN
数据输出
3线字节写程序
- 延时子程序
- 启动位例程
- 位例行
- 发送数据程序
- 上电例程
- 擦除/写使能程序（ EWEN ）
- 字节写程序
- 擦除/写禁止例程（ EWDS ）
3线字节写入与数据查询程序
- 数据查询延时子程序
- 启动位例程
- 位例行
- 发送数据程序
- 上电例程
- 擦除/写使能套路
- 写程序
- 擦除/写禁止例程（ EWDS ）
该系列器件采用了一系列的命令来
完成正常的存储器的功能。这些都是
READ，WRITE ， EWEN ， ERASE ， ERAL ， WRAL ， EWDS 。
对于这些功能的更详细的讨论
设备的引用相应的数据表和AN536 ，
还出版了Microchip的技术。
下面的程序被包括在本申请中
请注意，而且功能齐全的独立模块。他们
由那些谁是不是已经打算用于
熟悉的界面为PIC16CXX微控制器
93系列设备。对于那些更有经验，
请参考应用笔记AN530 。
3线连续读程序
- 延时子程序
- 启动位例程
- 位常规
- 接收数据程序
- 位例行
- 发送数据程序
- 上电例程
- 读出程序
8
3线字节读取程序
- 启动位例程
- 接收数据程序
- 位例行
- 发送数据程序
- 上电例程
- 读出程序
作者：
布鲁斯·尼格利
内存产品事业部
1994 Microchip的技术公司
DS00560D第1页
8-99
使用93LC56和93LC66
16c5x / 7X交叉汇编V4.12发布
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0037
0038
0039
0040
0041
0042
0043
0044
0045
0046
0047
0048
0049
0050
0051
PC
操作码
LIST P = 16C54 ， C = 132
;****************************************************************
;
3线字节读程序（ 80个字节）
;
;
该程序演示了如何将一个
;
Microchip的PIC16C54到93LC56和93LC66串行EE
;
装置。该程序将读取连续的8个地址
;
在“随机读”模式。这意味着，操作码
;
和地址的每个字节将被发送到该设备。
;
这个程序会重复，直到永远。
;
;
读取连续的另外一个更有效的方法
;
地址被称为“连续读取”模式。这
;
包括发送操作码和地址的第
;
字节读取，然后继续提供时钟的
;
下一个地址。该设备将自动递增
;
的地址。的连续读取模式的一个例子是
;
在“ 3wseqr.asm ”文件中提供。
;
;
这个程序进行通信的串行EE在
;
x16模式，并假定用户已设置ORG引脚
;
对Vcc的设备。
;
;
定时是基于使用的PIC16C54在“ XT '模式
;
使用4MHz晶振。时钟速度的串行EE
;
将这种设置大约50千赫。
;
;
PIC16C54串行EE连接：
;
;
PIC16C54
串行EE
;
——————
——————
;
引脚10 （ RB4 ） ->片选
;
引脚11 （ RB5 ） ->时钟
;
引脚12 （ RB6 ） ->数据在
;
引脚13 （ RB7 ） ->数据输出
;
ORG = VCC
;
;************************************************************
;
寄存器分配
;************************************************************
STATUS EQU
3h
;状态寄存器
端口_A当量
5h
; 5端口（端口_A ）
port_b当量
6h
; 6口（ B口）通讯线串行EE
EEPROM当量
0ah
;比特缓冲器
ADDR
EQU
0ch
;地址寄存器
DATAI
EQU
0dh
;存储的数据输入寄存器。
DATAO
EQU
0eh
;存储的数据输出寄存器。
TXBUF
EQU
10h
;发送缓冲区
算
EQU
11h
;比特至今发射
位
EQU
12h
;比特传输
bytcnt当量
13h
;读程序字节计数器
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0003
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PC
操作码
0015
0016
0017
0018
0007
0006
LOOPS
EQU
15h
;延时循环计数器
loops2当量
16h
;延时循环计数器
HBYTE
EQU
17h
;对输入数据的高字节
1字节
EQU
18h
;输入数据的低字节
;************************************************************
;
位分配
;************************************************************
di
EQU
7
; EEPROM输入
do
EQU
6
; EEPROM输出
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1994 Microchip的技术公司
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使用93LC56和93LC66
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0076
0077
0078
0079
0080
0081
0082
0083
0084
0085
0086
0087
0088
0089
0090
0091
0092
0093
0094
0095
0096
0097
0098
0099
0100
0101
0102
0007
0006
0005
0004
DATOUT当量
7
;数据输出线（ port_b ）
拿汀
EQU
6
;在数据线（ port_b ）
SCLK
EQU
5
;时钟线（ port_b ）
chpsel当量
4
;芯片选择线（ port_b ）
;
;*************************************************************
ORG
01ffh
开始
GOTO
PWRUP
;设置复位向量
ORG
000h
GOTO
PWRUP
;
;**************************************************************
;
开始位子程序
;
这个程序产生一个起始位
;
（片选和迪高时，时钟为高电平）
;**************************************************************
BSTART
BCF
port_b ，拿汀
;集DATAIN和片选线
BCF
port_b ， chpsel ;低只是为了检查操作
BCF
port_b ， SCLK
;确保时钟开始低了。
NOP
;
BSF
port_b ， chpsel ;设置片选线高
BSF
port_b ，拿汀
;在高线组数据
NOP
BSF
port_b ， SCLK
;设置时钟线为高
;生成的起始位
NOP
NOP
BCF
port_b ， SCLK
;重新设置时钟低
RETLW
0
;
;**************************************************************
;
BITIN例程读取从数据的一个位
;
串行EE的设备，并将其存储在'二'
;**************************************************************
BITIN
BSF
EEPROM ，二
;假设输入位为高
BSF
port_b ， SCLK
;设置时钟线高
NOP
;
BTFSS
port_b ， DATOUT ;读出的数据位
BCF
EEPROM ，二
;输入比特率较低
周一6月6日10时49分10秒1994年
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01FF
0000
0000
0A33
0000
0A33
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0004
0005
0006
0007
0008
0009
000A
000B
000C
04C6
0486
04A6
0000
0586
05C6
0000
05A6
0000
0000
04A6
0800
000D
000E
000F
0010
0011
05EA
05A6
0000
07E6
04EA
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0116
0117
0118
0119
0120
0121
0122
0123
0124
PC
0012
0013
操作码
04A6
0800
BCF
RETLW
port_b ， SCLK
0
;设置时钟线为低
;
;
8
0014
0015
0016
0017
0018
0019
001A
001B
001C
001D
001E
001F
006D
0C08
0031
0403
036D
090D
040D
06EA
050D
02F1
0A18
0800
;****************************************************************
;
接收数据的例程
;
这个例程的一部分读出一个字节的数据
;
进入“达泰名册。
;****************************************************************
RX
CLRF
DATAI
;清除输入缓冲区
MOVLW
.8
; ＃设定位为8
MOVWF
算
BCF
status,0
;确保进位为低电平
RXLP
RLF
DATAI
;旋转缓冲区还剩1位
通话
BITIN
;读取1位
BCF
datai,0
;假设输入位是低
BTFSC
EEPROM ，二
;检查位
BSF
datai,0
;设置高，如果neccessary
DECFSZ数
; 8位呢？
GOTO
RXLP
;没有，做一套
RETLW
0
1994 Microchip的技术公司
DS00560D第3页
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使用93LC56和93LC66
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0151
0152
0153
;
;*************************************************************
;
BITOUT程序
;
这个程序需要在'做'一个数据位和
;
将其发送到串行EE的设备
;*************************************************************
BITOUT
BTFSS
EEPROM ，做
;检查数据位的状态
GOTO
bitlow
;低，转到bitlow
BSF
port_b ，拿汀
;高，集高DATAIN
GOTO
CLKOUT
;和它的时钟
;
bitlow
BCF
port_b ，拿汀
;输出逻辑低
CLKOUT
BSF
port_b ， SCLK
;设置时钟线高
NOP
BCF
port_b ， SCLK
;返回时钟线为低
RETLW
0
;
;****************************************************************
;
发送数据子程序
;
这个例程需要的数据存储在该字节
;
“大陶'寄存器并将其传送到串行EE的设备。
;****************************************************************
TX
MOVF
位，W
;定的比特数对XMIT
MOVWF
算
;
TXLP
BCF
EEPROM ，做
;假定第7位是低
周一6月6日10时49分10秒1994年
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07CA
0A24
05C6
0A25
04C6
05A6
0000
04A6
0800
0029
002A
0212
0031
002B
04CA
16c5x / 7X交叉汇编V4.12发布
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0163
0164
0165
0166
0167
0168
0169
0170
0171
0172
0173
0174
0175
0176
0177
0178
0179
0180
0181
0182
0183
0184
0185
0186
0187
0188
PC
002C
002D
002E
002F
0030
0031
0032
操作码
06F0
05CA
0920
0370
02F1
0A2B
0800
BTFSC
BSF
通话
RLF
DECFSZ
GOTO
RETLW
txbuf,7
EEPROM ，做
BITOUT
TXBUF
算
TXLP
0
;
;
;
;
;
;
;
是第7位清楚了吗？
没有设置数据位= 1
传送1位串行EE
旋转TXBUF左
所有位呢？
不，做的是另位
是的，跳出
0033
0034
0035
0036
0037
0C00
0005
0065
0C80
0006
;
;****************************************************************
;
电程序
;
这是程序的入口点，而在这种情况下，简单地
;
设置端口_A I / O线和引导控制的
;
读程序。
;*****************************************************************
PWRUP
;
MOVLW
b’00000000'
TRIS
端口_A
;设置端口_A所有输出
CLRF
端口_A
;所有线路低
MOVLW
TRIS
b’10000000'
Port_B
0038
0039
0C00
002C
; RB7设定为输入，输出的休息;
;
;
秋季通过并执行读取
;
;*********************************************************************
;
读出程序
;
这个程序读取连续8地址
;
随机模式起始地址为0，这是在做
;
x16模式，并会永远重复。
;*********************************************************************
读
;
MOVLW
.0
;设置起始地址为00
MOVWF
ADDR
;
DS00560D第4页
1994 Microchip的技术公司
8-102
M
特点
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
100 μA典型的读操作工作电流在2.5V
在2.5V 3 μA典型待机电流
ORG引脚可选的内存配置
128× 8或64× 16位的企业（ 93LC46 ）
256× 8或128 ×16位的企业（ 93LC56 ）
512 ×8或256 ×16位组织（ 93LC66 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦除/写设备状态信号
周期
连续读取功能
百万东/西次担保
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC
（ SOIC在JEDEC标准）
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
93LC46/56/66
描述
Microchip Technology Inc.的93LC46 / 56 / 66顷1K ，
2K和4K的低电压串行电可擦除
PROM的（ EEPROM）中。该设备的内存配置
为x8或x16位取决于列弗的外部逻辑
ELS的ORG引脚。先进的CMOS技术
使这些器件非常适用于低功耗的非易失性
内存的应用程序。该93LC系列是可
标准的8引脚PDIP和表面贴装SOIC封装
老少皆宜。旋转的引脚输出93LC46X / 56X / 66X是
在“ SN ”只是封装。
1K / 2K / 4K 2.5V微丝
串行EEPROM
封装类型
PDIP / SOIC
CS
CLK
DI
DO
ROTATED SOIC
NU
V
CC
CS
CLK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
V
SS
DO
DI
93LC46X
93LC56X
93LC66X
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NU
ORG
V
SS
93LC46
93LC56
93LC66
框图
V
CC
V
SS
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
计数器
产量
卜FF器
DO
数据寄存器
DI
ORG
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
注册
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第1页
93LC46/56/66
1.0
电气特性
绝对最大额定值？
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度。电源应用..........................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注意：
条件超过上述“最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC
极特
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
高电平输出电压
低电平输出电压
低电平输入电压
特征
高电平输入电压
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
—
—
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
—
—
3
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.3
—
—
±10
±10
7
3
1
500
—
100
30
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
A
A
A
条件
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
≥
2.7V
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= 2.5V
I
OL
= 400 μA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100 μA ，V
CC
= 2.5V
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V至V
CC
V
IN
/V
OUT
= 0V
（注1和2 ）
T
AMB
= 25 ° C，F
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
（注2 ）
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 2.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 5.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 3.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 2.5V
ORG ， DI = V
SS
或V
CC
I
CC
写工作电流
I
CC
读
D10
I
CCS
注1 ：
此参数在T测试
AMB
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
2:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21712A第2页
2002年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
AC特性
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
符号
F
CLK
T
长实
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
民
—
—
250
250
50
0
250
100
100
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
8
16
—
最大
2
1
—
—
—
—
—
—
—
400
100
500
10
15
30
1M
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
相对于CLK
相对于CLK
CL = 100 pF的
CL = 100 pF的
（注2 ）
CL = 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式（V
CC
=5V ±10%)
WRAL模式（V
CC
=5V ±10%)
相对于CLK
相对于CLK
条件
V
CC
≥
4.5V
V
CC
＆ LT ;
4.5V
特征
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
—
耐力
1M
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V ，座
模式
（注3）
注1 ：
此参数在T测试
AMB
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
2:
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序中估计耐用性
阳离子，请咨询可从Microchip网站获得的总耐力型号：
www.microchip.com 。
图1-1：
CS
V
IH
V
IL
CLK
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
同步数据时序
4
2
3
5
7
8
DI
9
尽诉
OH
（READ ）
V
OL
尽诉
OH
（写）
V
OL
9
10
11
状态有效
10
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第3页
93LC46/56/66
表1-1：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X
0 0 X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
25
9
9
9
25
25
9
表1-2：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
18
10
10
10
18
18
10
表1-3：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
DS21712A第4页
2002年Microchip的科技公司
93LC46/56/66
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
2002年Microchip的科技公司
DS21712A第5页
不建议用于新设计 -
请使用93LC46C ， 93LC56C或93LC66C 。
93LC46/56/66
1K / 2K / 4K 2.5V Microwire串行EEPROM
产品特点：
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
100
A
在2.5V的典型有效的读电流
3
A
在2.5V的典型待机电流
ORG引脚可选的内存配置
128× 8或64× 16位的企业（ 93LC46 ）
256× 8或128 ×16位的企业（ 93LC56 ）
512 ×8或256 ×16位组织（ 93LC66 ）
自定时擦除和写入周期
（包括自动擦除）
WRAL前自动ERAL
电源开/关数据保护电路
工业标准的3线串行I / O
在擦/写周期设备状态信号
连续读取功能
百万东/西循环保证
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC
（ SOIC在JEDEC标准）
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
PDIP / SOIC
CS
CLK
DI
DO
ROTATED SOIC
NU
V
CC
CS
CLK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
V
SS
DO
DI
93LC46X
93LC56X
93LC66X
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NU
ORG
V
SS
93LC46
93LC56
93LC66
框图
V
CC
V
SS
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
计数器
产量
卜FF器
DO
描述：
Microchip Technology Inc.的93LC46 / 56 / 66顷1K ，
2K和4K的低电压串行电可擦除
PROM的（ EEPROM）中。该设备的内存配置
为x8或x16位取决于外部逻辑
ORG引脚的电平。先进的CMOS技术
使这些器件非常适用于低功耗的非易失性
内存的应用程序。该93LC系列是可
标准的8引脚PDIP和表面贴装SOIC
包。旋转的引脚输出93LC46X / 56X / 66X是
在“ SN ”只是封装。
数据寄存器
DI
ORG
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
注册
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21712C第1页
93LC46/56/66
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V到V
CC
+ 1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
4千伏
注意：
条件超过上述“最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这
是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件超过上述表示
本规范的运作上市，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC
极特
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
1
V
OL
2
V
OH
1
V
OH
2
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
高电平输出电压
低电平输出电压
低电平输入电压
特征
高电平输入电压
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
2.4
V
CC
-0.2
—
—
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
—
—
3
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.3
—
—
±10
±10
7
3
1
500
—
100
30
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
A
A
A
条件
V
CC
2.7V
V
CC
2.7V
V
CC
2.7V
V
CC
2.7V
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
A,
V
CC
= 2.5V
I
OL
= 400
A,
V
CC
= 4.5V
I
OL
= 100
A,
V
CC
= 2.5V
V
IN
= 0.1V至V
CC
V
OUT
= 0.1V至V
CC
V
IN
/V
OUT
= 0V
（注1和2 ）
T
A
= 25 ° C，F
CLK
= 1兆赫
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
（注2 ）
F
CLK
= 2兆赫，V
CC
= 5.5V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 3.0V
F
CLK
= 1兆赫，V
CC
= 2.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 5.5V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 3.0V
CLK = CS = 0V ; V
CC
= 2.5V
ORG ， DI = V
SS
或V
CC
I
CC
写工作电流
I
CC
读
D10
I
CCS
注1 ：
2:
此参数在T测试
A
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21712C第2页
2002-2012 Microchip的科技公司
93LC46/56/66
AC特性
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
注1 ：
2:
3:
符号
F
CLK
T
长实
T
CKL
T
CSS
T
CSH
T
CSL
T
DIS
T
DIH
T
PD
T
CZ
T
SV
T
WC
T
EC
T
WL
—
耐力
特征
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
片选低电平时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
数据输出的延迟时间
数据输出禁止时间
状态有效时间
项目周期
V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C
民
—
—
250
250
50
0
250
100
100
—
—
—
—
—
—
1M
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
8
16
—
最大
2
1
—
—
—
—
—
—
—
400
100
500
10
15
30
1M
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
相对于CLK
相对于CLK
CL = 100 pF的
CL = 100 pF的
（注2 ）
CL = 100 pF的
擦/写模式
ERAL模式（V
CC
=5V ±10%)
WRAL模式（V
CC
=5V ±10%)
相对于CLK
相对于CLK
条件
V
CC
4.5V
V
CC
4.5V
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V ，座
模式
（注3）
此参数在T测试
A
= 25℃和f
CLK
= 1兆赫。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请查阅Total Endurance
可从Microchip网站获得的模型
于： www.microchip.com 。
图1-1：
CS
V
IH
V
IL
V
IH
CLK
V
IL
同步数据时序
4
2
3
5
7
V
IH
DI
V
IL
8
9
尽诉
OH
（READ ）
V
OL
尽诉
OH
（写）
V
OL
9
10
11
状态有效
10
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21712C第3页
93LC46/56/66
表1-1：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 XXXX
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 XXXX
A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 XXXX
0 0 XXXX
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
25
9
9
9
25
25
9
表1-2：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC46 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXX
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXX
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXX
00XXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
18
10
10
10
18
18
10
表1-3：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXX
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXX
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXX
00XXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-4：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC56 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXXX
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXXX
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXXX
00XXXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
DS21712C第4页
2002-2012 Microchip的科技公司
93LC46/56/66
表1-5 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 1 （X 16 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXX
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXX
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXX
00XXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
数据输出
D15 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
27
11
11
11
27
27
11
表1-6 ：
指令
读
EWEN
抹去
ERAL
写
WRAL
EWDS
指令集93LC66 ： ORG = 0 （X 8 ORGANIZATION ）
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
00
01
00
00
地址
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXXX
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXXX
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXXX
00XXXXXXX
DATA IN
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
数据输出
D7 - D0
高-Z
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
（ RDY / BSY ）
高-Z
所需物品。 CLK
周期
20
12
12
12
20
20
12
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21712C第5页
