【2004年3月AS7C1024B5V 128K X 8 CMOS SRAM特点工业和商业温度组织：】,IC型号AS7C1024B-10JC,AS7C1024B-10JC PDF资料,AS7C1024B-10JC经销商,ic,电子元器件-51电子网

2004年3月

AS7C1024B

5V 128K X 8 CMOS SRAM

特点

工业和商业温度

组织： 131,072字× 8位

高速

- 10/12/15/20 ns地址访问时间

- 5/6/7/8 ns输出使能访问时间

低功耗：ACTIVE

- 605毫瓦/ MAX @ 10纳秒

-

300万SOJ

400万SOJ

8 X20毫米TSOP 1

8× 13.4毫米sTSOP 1

ESD保护

≥

2000伏

闩锁电流

≥

200毫安

低功耗：待机

- 55毫瓦/ MAX CMOS

6T 0.18微米CMOS技术

易于扩展内存与CE1 ， CE2 ， OE输入

TTL / LVTTL兼容，三态I / O

32引脚JEDEC标准封装

管脚配置

32引脚SOJ （ 300万）

32引脚SOJ （ 400万）

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

CC

A15

CE2

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

逻辑框图

V

CC

GND

输入缓冲器

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

I/O7

行解码器

512 x 256 x 8

ARRAY

(1,048,576)

SENSE AMP

32引脚（ 8× 20毫米） TSOP I

32针（8× 13.4毫米） sTSOP1

A11

A9

A8

A13

WE

CE2

A15

V

CC

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

OE

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

A0

A1

A2

A3

I/O0

WE

OE

CE1

CE2

列解码器

控制

电路

选购指南

-10

最大地址访问时间

最大输出使能访问

时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

10

5

110

10

-12

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

-15

15

7

90

10

AS7C1024B

-20

20

8

80

10

单位

ns

mA

12

6

100

10

3/26/04, v 1.2

半导体联盟

9 P. 1

AS7C1024B

功能说明

该AS7C1024B是组织为131072字× 8高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件

位。它是专为需要快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。

平等地址访问和周期时间（T

AA

, t

RC

, t

WC

）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T

OE

）的5/6/7/8 NS是理想的高

高性能的应用。活跃的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）允许轻松扩展内存与多个银行系统。

当CE1是高还是CE2为低电平时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我

SB

力。如果总线是

静态的，那么完全待机功耗达到（我

SB1

）。例如， AS7C1024B保证不超过55毫瓦的名义下全面待命

条件。

写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ）。输入引脚上的I / O0通过我的数据/ O7是

写在WE （写周期1）和CE1和CE2是（写周期2）的活性 - 无效边缘的上升沿。为了防止总线冲突，外部

设备应该驱动的I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ）。

读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ），用写使能（ WE）高。该芯片驱动I /

O引脚的输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能无效时，输出使能无效，或写使能是激活的，

输出驱动器保持在高阻抗模式。

绝对最大额定值

参数

在V电压

CC

相对于GND

任何引脚相对于GND电压

功耗

存储温度（塑料）

环境温度与V

CC

应用的

DC电流转换成输出（低电平）

符号

V

t1

V

t2

P

D

T

英镑

T

BIAS

I

OUT

民

–0.50

–

–65

–55

–

最大

+7.0

V

CC

+0.50

1.0

+150

+125

20

单位

V

W

°C

mA

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

真值表

CE1

H

X

L

CE2

X

L

H

WE

X

H

L

OE

X

H

L

X

数据

高Z

D

OUT

D

IN

模式

待机（我

SB

, I

SB1

)

待机（我

SB

, I

SB1

)

禁止输出（I

CC

)

阅读（我

CC

)

写（

ICC

)

关键： X =无关，L =低，H =高

3/26/04, v 1.2

半导体联盟

9 P. 2

AS7C1024B

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

工作环境

温度

产业

符号

V

CC

V

IH

V

IL

T

A

T

A

民

4.5

2.2

–0.5

0

–40

公称

5.0

-

–

最大

5.5

V

CC

+ 0.5

0.8

70

85

单位

V

°C

V

IL

分= -1.0V脉冲宽度小于5ns的

V

IH

最大值= V

CC

+ 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。

直流工作特性（在工作范围内）

1

-10

参数

输入漏

当前

输出漏

当前

工作电源

电源电流

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

I

CC

I

SB

待机功耗

电源电流

测试条件

V

CC

=最大，V

IN

= GND到V

CC

V

CC

=最大， CE1 = V

IH

or

CE2 = V

IL

, V

OUT

= GND到V

CC

V

CC

=最大， CE1

≤

V

IL

,

CE2

≥

V

IH

, f = f

最大

,

I

OUT

= 0毫安

V

CC

=最大， CE1

≥

V

IH

和/或

CE2

≤

V

IL

, f = f

最大

V

CC

=最大， CE1

≥

V

CC

–0.2V

I

SB1

V

OL

V

OH

和/或CE2

≤

0.2V

V

IN

≤

0.2V或

V

IN

≥

V

CC

- 0.2V ， F = 0

I

OL

= 8毫安， V

CC

=分钟

I

OH

= -4毫安，V

CC

=分钟

-

10

–

10

–

10

–

10

民

最大

-12

民

最大

-15

民

最大

-20

民

最大

单位

A

mA

-

1

110

50

–

1

100

45

–

1

90

45

–

1

80

40

mA

输出电压

-

2.4

0.4

-

–

2.4

0.4

–

2.4

0.4

–

2.4

0.4

–

V

电容（ F = 1兆赫，T

a

= 25

°C,

V

CC

=标称）

2

参数

输入电容

I / O容量

符号

C

IN

C

I / O

信号的

A， CE1 ， CE2 ， WE ， OE

I / O

测试条件

V

IN

= 0V

V

IN

= V

OUT

= 0V

最大

5

7

单位

pF

3/26/04, v 1.2

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AS7C1024B

读周期（在整个工作范围内）

3,9,12

-10

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出使能（ OE ）访问时间

t

RC

t

AA

t

ACE1

t

ACE2

t

OE

10

-

3

-

0

–

0

–

-

10

5

-

4

-

4

-

10

12

–

3

–

0

–

0

–

-12

–

12

6

–

5

–

5

–

12

15

–

3

–

0

–

0

–

-15

–

15

7

–

6

–

6

–

15

20

–

3

–

0

–

0

–

-20

笔记

3

3, 12

5

4, 5, 12

4, 5

4, 5, 12

–

20

8

–

7

–

7

–

20

ns

符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

从地址变更吨输出保持

OH

CE1低到低Z输出

t

CLZ1

CE2高到低Z输出

CE1低到高Z输出

CE2低到高Z输出

OE低到低Z输出

OE高到高Z输出

电时间

关机时间

t

CLZ2

t

CHZ1

t

CHZ2

t

OLZ

t

OHZ

t

PU

t

PD

关键开关波形

瑞星输入

下降输入

未定义/无所谓

读取波形1 （地址控制）

3,6,7,9,12

t

RC

地址

D

OUT

t

AA

数据有效

t

OH

读取波形2 （ CE1 ， CE2和OE控制）

3,6,8,9,12

CE1

CE2

OE

D

OUT

当前

供应

t

ACE1

,

tACE2

t

CLZ1

, t

CLZ2

t

PU

数据有效

t

PD

50%

I

CC

I

SB

t

OE

t

OLZ

t

OHZ

t

CHZ1

, t

CHZ2

t

RC1

3/26/04, v 1.2

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9 P. 4

AS7C1024B

写周期（在整个工作范围内）

11, 12

-10

参数

写周期时间

芯片使能（ CE1 ）写结束

芯片使能（ CE2 ）写结束

地址设置写到底

地址建立时间

把脉冲宽度

写恢复时间

从写结束地址保持

有效的数据写入结束

数据保持时间

写使能到输出中高Z

从输出的写端活跃

符号

t

WC

t

CW1

t

CW2

t

AW

t

AS

t

WP

t

WR

t

AH

t

DW

t

DH

t

WZ

t

OW

MIN MAX MIN

10

8

0

7

0

5

0

-

1

5

-

12

9

0

8

0

6

0

–

1

-12

最大

–

6

–

15

10

0

9

0

8

0

–

1

-15

最小最大

–

7

–

20

12

0

12

0

10

0

–

2

-20

民

最大

–

8

–

单位

ns

4, 5

12

笔记

写波形1 （我们控制）

10,11,12

t

WC

t

AW

地址

t

WP

WE

t

AS

D

IN

t

WZ

D

OUT

t

DW

数据有效

t

OW

t

DH

t

WR

t

AH

3/26/04, v 1.2

半导体联盟

9第5页