BZX84-V-G-Series
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
3
硅平面功率齐纳二极管
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。标准齐纳
电压容差为± 5 ％ 。替换“ C”与“B”
2 ％的容差。
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
1
2
20421
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2; 5
脉冲电流
单身
单位
V
mA
记
**
请参阅文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
订购信息
设备名称
BZX84-V-G-series
BZX84-V-G-series
订购代码
BZX84-V-series-G-18
BZX84-V-series-G-08
每卷胶带单位
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
3000 （上7"卷轴8mm带）
最小起订量
10 000
15 000
包
包名称
SOT-23
重量
8.1毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
功耗
测试条件
T
AMB
= 25 °C,
设备上的玻璃基板，
ACC 。第7页布局
T
AMB
= 25 °C,
设备上的玻璃基板，
ACC 。第7页布局
符号
P
合计
价值
300
单位
mW
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
R
thJA
T
j
T
英镑
420
150
- 65至+ 150
K / W
°C
°C
修订版1.1 ， 29月， 11
文档编号： 83458
1
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受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
BZX84-V-G-Series
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威世半导体
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。
BZX84C2V4-V-G
BZX84C2V7-V-G
BZX84C3V0-V-G
BZX84C3V3-V-G
BZX84C3V6-V-G
BZX84C3V9-V-G
BZX84C4V3-V-G
BZX84C4V7-V-G
BZX84C5V1-V-G
BZX84C5V6-V-G
BZX84C6V2-V-G
BZX84C6V8-V-G
BZX84C7V5-V-G
BZX84C8V2-V-G
BZX84C9V1-V-G
BZX84C10-V-G
BZX84C11-V-G
BZX84C12-V-G
BZX84C13-V-G
BZX84C15-V-G
BZX84C16-V-G
BZX84C18-V-G
BZX84C20-V-G
BZX84C22-V-G
BZX84C24-V-G
BZX84C27-V-G
BZX84C30-V-G
BZX84C33-V-G
BZX84C36-V-G
BZX84C39-V-G
BZX84C43-V-G
BZX84C47-V-G
BZX84C51-V-G
BZX84C56-V-G
BZX84C62-V-G
BZX84C68-V-G
BZX84C75-V-G
G50
G51
G52
G53
G54
G55
G56
G57
G58
G59
G60
G61
G62
G63
G64
G65
G66
G67
G68
G69
G70
G71
G72
G73
G74
G75
G76
G77
G78
G79
G80
G81
G82
G83
G84
G85
G86
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
V
马克斯。
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
Z
ZK
at
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
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BZX84-V-G-Series
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威世半导体
反向
泄漏
当前
I
R
在V
R
μA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
产品型号
记号
CODE
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。
BZX84B2V4-V-G
BZX84B2V7-V-G
BZX84B3V0-V-G
BZX84B3V3-V-G
BZX84B3V6-V-G
BZX84B3V9-V-G
BZX84B4V3-V-G
BZX84B4V7-V-G
BZX84B5V1-V-G
BZX84B5V6-V-G
BZX84B6V2-V-G
BZX84B6V8-V-G
BZX84B7V5-V-G
BZX84B8V2-V-G
BZX84B9V1-V-G
BZX84B10-V-G
BZX84B11-V-G
BZX84B12-V-G
BZX84B13-V-G
BZX84B15-V-G
BZX84B16-V-G
BZX84B18-V-G
BZX84B20-V-G
BZX84B22-V-G
BZX84B24-V-G
BZX84B27-V-G
BZX84B30-V-G
BZX84B33-V-G
BZX84B36-V-G
BZX84B39-V-G
BZX84B43-V-G
BZX84B47-V-G
BZX84B51-V-G
BZX84B56-V-G
BZX84B62-V-G
BZX84B68-V-G
BZX84B75-V-G
H50
H51
H52
H53
H54
H55
H56
H57
H58
H59
H60
H61
H62
H63
H64
H65
H66
H67
H68
H69
H70
H71
H72
H73
H74
H75
H76
H77
H78
H79
H80
H81
H82
H83
H84
H85
H86
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.0
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
喃。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
275
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
-9
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
9
9
10
10
Z
ZK
at
I
ZT2
温度
系数
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
分钟。
马克斯。
-4
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
修订版1.1 ， 29月， 11
文档编号： 83458
3
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
Ω
100
T
J
= 25 °C
5
4
威世半导体
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
T
J
= 100 °C
r
zj
3
2
33
27
22
18
15
12
10
6.8/8.2
6.2
T
J
= 25 °C
10
5
4
3
2
10
-5
0
18114
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
0.1
18119
2
5
1
2
5
V
F
10
I
Z
2
5
百毫安
图。 1 - 正向特性
mW
500
图。 4 - 动态电阻与齐纳电流
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
400
R
zj
3
2
P
合计
300
47 + 51
43
39
36
10
2
7
200
5
4
3
2
100
0
0
18115
100
200 °C
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
T
AMB
I
Z
10
mA
图。 2 - 容许功耗与环境温度
图。 5 - 动态电阻与齐纳电流
K / W
10
3
1000
5
4
3
2
T
J
= 25 °C
r
zj
R
ZTH
5
4
3
2
R
ZTH
= R
THA
X V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
100
5
4
3
2
10
2
5
4
3
2
10
5
4
3
2
2.7
3.6
4.7
5.1
5.6
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.1
18117
2
5
1
1
18121
2
3
4 5
1
2
5
10
I
Z
2
5
百毫安
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 3 - 动态电阻与齐纳电流
图。 6 - 热微分电阻与齐纳电压
修订版1.1 ， 29月， 11
文档编号： 83458
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BZX84-V-G-Series
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威世半导体
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
Ω
100
7
5
4
R
zj
3
2
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
60
10
7
5
4
3
2
40
20
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
1
2
3
4 5
1
10
2
0
0
18125
3 4 5
100 V
20
40
60
80
100 V
18122
V
Z
V
Z
图。 7 - 动态电阻与齐纳电压
毫伏/°C的
25
20
15
10
5
0
-5
1
18123
2
3
4 5
图。 10 - 齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
V
9
8
Δ
V
Z
Δ
T
j
5毫安
I
Z
= 1毫安
20毫安
7
Δ
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
51
43
36
I
Z
= 2毫安
0
20
40
60
80 100 120
T
j
140 °C
10
2
3 4 5
100 V
V
Z
18126
图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖
齐纳电压
图。 11 - 更改齐纳电压与结温
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
15
10
V
1.6
1.4
1.2
Δ
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100 V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 12 - 更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
图。 9 - 更改齐纳电压与结温
修订版1.1 ， 29月， 11
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