CAT28LV64
64K位CMOS并行EEPROM
特点
■
3.0V至3.6 V电源
■
读访问次数：
■
CMOS和TTL兼容的I / O
■
自动页写操作：
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
- 150 /200 / 250ns的
■
低功耗CMOS功耗：
- 1至32中的5ms的字节
- 页面加载定时器
■
写检测结束：
- 活动： 8 mA最大。
- 待机： 100
A最大。
■
简单的写操作：
- 触发位
–
数据
轮询
■
硬件和软件写保护
■
100,000编程/擦除周期
■
百年数据保留
- 片上的地址和数据锁存
- 自定时写周期自动清零
■
快速写周期时间：
- 5ms的最大值。
■
商用，工业和汽车
温度范围
描述
该CAT28LV64是一个低电压，低功耗， CMOS
并行EEPROM大小为8K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期自动
明确和V
CC
上电/掉电写保护消
附加的定时和保护硬件。
数据
轮询
和切换状态位信号的自的开始和结束
定时写周期。此外，该CAT28LV64设有
硬件和软件写保护。
该CAT28LV64使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件可在JEDEC
批准的28引脚DIP ， 28引脚TSOP ， 28引脚SOIC或32
引脚PLCC封装。
框图
A5–A12
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
8,192 x 8
E
2
舞会
ARRAY
32字节的页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
I/O0–I/O7
A0–A4
ADDR 。 BUFFER
&门锁
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1010号， Rev. D的
CAT28LV64
引脚配置
DIP封装（P ， L）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
SOIC封装（J ， W） （K ， X）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PLCC封装（N ，G ）
A7
A12
NC
NC
VCC
WE
NC
OE
A11
A9
A8
NC
WE
VCC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
TSOP顶视图（采用8mm x 13.4毫米） （ T13 ， H13 ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
顶视图
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
12
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
3.0至3.6 V电源
地
无连接
文档。 1010号， Rev. D的
2
CAT28LV64
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
10
5
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。 1010号， Rev. D的
CAT28LV64
直流工作特性
V
cc
= 3.0V至3.6V ，除非另有规定。
范围
符号
I
CC
I
SBC(3)
I
LI
I
LO
V
IH(3)
V
IL
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
2
–1
–5
2
–0.3
2
0.3
分钟。
典型值。
马克斯。
8
100
1
5
V
CC
+0.3
0.6
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –100A
I
OL
= 1.0毫安
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE
= V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE
= V
IH
交流的特点，读周期
V
cc
= 3.0V至3.6V ，除非另有规定。
28LV64-15
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH
(1)
28LV64-20
分钟。
200
马克斯。
28LV64-25
分钟。
250
马克斯。
单位
ns
250
250
100
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
55
55
0
ns
ns
ns
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OEAccess
时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从输出保持
地址变更
分钟。
150
马克斯。
150
150
70
0
0
50
50
0
0
0
0
200
200
80
50
50
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
(3) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
文档。 1010号， Rev. D的
4
CAT28LV64
图1.交流测试输入/输出波形
(4)
V
CC
- 0.3 V
输入脉冲电平
0.0 V
0.6 V
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
VCC
1.8 K
设备
下
TEST
产量
1. 3K
CL
= 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
交流的特点，写周期
V
cc
= 3.0V至3.6V ，除非另有规定。
28LV64-15
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(2)
t
OES
t
OEH
t
WP(2)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
t
BLC(1)(3)
参数
写周期时间
地址建立时间0
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止期
上电后
字节负载循环时间
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0.05
10
100
民
最大
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
0.1
10
100
28LV64-20
民
最大
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
0.1
10
100
28LV64-25
民
最大
5
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T（ 3 ）计时器
BLC
最大。开始每低到高的转变
WE 。
如果允许超时，页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
（ 4 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
5
文档。 1010号， Rev. D的
CAT28LV64
64K位CMOS并行EEPROM
特点
■
3.0V至3.6 V电源
■
读访问次数：
■
CMOS和TTL兼容的I / O
■
自动页写操作：
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
- 150 /200 / 250ns的
■
低功耗CMOS功耗：
- 1至32中的5ms的字节
- 页面加载定时器
■
写检测结束：
- 活动： 8 mA最大。
- 待机： 100
A最大。
■
简单的写操作：
- 触发位
–
数据
轮询
■
硬件和软件写保护
■
100,000编程/擦除周期
■
百年数据保留
- 片上的地址和数据锁存
- 自定时写周期自动清零
■
快速写周期时间：
- 5ms的最大值。
■
商用，工业和汽车
温度范围
描述
该CAT28LV64是一个低电压，低功耗， CMOS
并行EEPROM大小为8K ×8位。它需要
简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期自动
明确和V
CC
上电/掉电写保护消
附加的定时和保护硬件。
数据
轮询
和切换状态位信号的自的开始和结束
定时写周期。此外，该CAT28LV64设有
硬件和软件写保护。
该CAT28LV64使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件可在JEDEC
批准的28引脚DIP ， 28引脚TSOP ， 28引脚SOIC或32
引脚PLCC封装。
框图
A5–A12
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
8,192 x 8
E
2
舞会
ARRAY
32字节的页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
I/O0–I/O7
A0–A4
ADDR 。 BUFFER
&门锁
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1010号， Rev. D的
CAT28LV64
引脚配置
DIP封装（P ， L）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
SOIC封装（J ， W） （K ， X）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PLCC封装（N ，G ）
A7
A12
NC
NC
VCC
WE
NC
OE
A11
A9
A8
NC
WE
VCC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
TSOP顶视图（采用8mm x 13.4毫米） （ T13 ， H13 ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
顶视图
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
12
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
3.0至3.6 V电源
地
无连接
文档。 1010号， Rev. D的
2
CAT28LV64
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
分钟。
10
5
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz的
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
3
文档。 1010号， Rev. D的
CAT28LV64
直流工作特性
V
cc
= 3.0V至3.6V ，除非另有规定。
范围
符号
I
CC
I
SBC(3)
I
LI
I
LO
V
IH(3)
V
IL
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
2
–1
–5
2
–0.3
2
0.3
分钟。
典型值。
马克斯。
8
100
1
5
V
CC
+0.3
0.6
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –100A
I
OL
= 1.0毫安
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE
= V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE
= V
IH
交流的特点，读周期
V
cc
= 3.0V至3.6V ，除非另有规定。
28LV64-15
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH
(1)
28LV64-20
分钟。
200
马克斯。
28LV64-25
分钟。
250
马克斯。
单位
ns
250
250
100
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
55
55
0
ns
ns
ns
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OEAccess
时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从输出保持
地址变更
分钟。
150
马克斯。
150
150
70
0
0
50
50
0
0
0
0
200
200
80
50
50
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
(3) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
文档。 1010号， Rev. D的
4
CAT28LV64
图1.交流测试输入/输出波形
(4)
V
CC
- 0.3 V
输入脉冲电平
0.0 V
0.6 V
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
VCC
1.8 K
设备
下
TEST
产量
1. 3K
CL
= 100 pF的
CL INCLUDES夹具电容
交流的特点，写周期
V
cc
= 3.0V至3.6V ，除非另有规定。
28LV64-15
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(2)
t
OES
t
OEH
t
WP(2)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
t
BLC(1)(3)
参数
写周期时间
地址建立时间0
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止期
上电后
字节负载循环时间
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0.05
10
100
民
最大
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
0.1
10
100
28LV64-20
民
最大
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
0.1
10
100
28LV64-25
民
最大
5
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T（ 3 ）计时器
BLC
最大。开始每低到高的转变
WE 。
如果允许超时，页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
（ 4 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
5
文档。 1010号， Rev. D的
CAT28LV64
64 kb的CMOS并行
EEPROM
描述
该CAT28LV64是一个低电压，低功耗， CMOS并行
EEPROM大小为8K ×8位。它需要一个简单的接口
在系统编程。芯片上地址和数据锁存器，
自定时写周期，自动清除和V
CC
电/掉电写
保护消除附加的定时和保护硬件。数据
轮询和切换状态位信号的开始和结束自定时
写周期。此外，该CAT28LV64功能的硬件和
软件写保护。
该CAT28LV64采用安森美半导体的制造
先进的CMOS浮栅技术。它的目的是要忍受
100,000编程/擦除周期，具有100年的数据保持能力。
该器件可在JEDEC批准的28引脚DIP ， 28引脚TSOP ，
28引脚SOIC和32引脚PLCC封装。
特点
http://onsemi.com
PDIP28
P，L后缀
CASE 646AE
SOIC28
J，K， W，X后缀
CASE 751BM
3.0 V至3.6 V电源
读访问次数：
- 150/200/250 NS
低功耗CMOS功耗：
- 活动： 8 mA最大。
- 待机： 100
mA
马克斯。
简单的写操作：
- 片上的地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
快速写周期时间：
- 5 ms最大。
商用，工业和汽车温度范围
CMOS和TTL兼容的I / O
自动页写操作：
- 在5毫秒为132个字节
- 页面加载定时器
写检测结束：
- 触发位
- 数据查询
硬件和软件写保护
100,000编程/擦除周期
百年数据保留
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
PLCC32
N，G后缀
CASE 776AK
TSOP28
H13后缀
CASE 318AE
引脚功能
引脚名称
A
0
A
12
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
3.0 V至3.6 V电源
地
无连接
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第15页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启示录7
1
出版订单号：
CAT28LV64/D
CAT28LV64
销刀豆网络gurations
DIP封装（P ， L）
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
SOIC封装（ J，K ， W，X ）
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
PLCC封装（N ，G ）
A
7
A
12
NC
NC
V
CC
WE
NC
TSOP封装（8毫米× 13.4毫米） （ H13 ）
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
V
SS
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
OE
A
11
A
9
A
8
NC
WE
V
CC
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
（俯视图）
http://onsemi.com
2
CAT28LV64
A
5
A
12
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
8,192 x 8
E
2
舞会
ARRAY
32字节的页
注册
V
CC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
I / O缓冲器
定时器
ADDR 。 BUFFER
&门锁
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
I / O
0
-I / O
7
A
0
A
4
图1.框图
表1.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注1 ）
V
CC
相对于地面
包装功率耗散能力（T
A
= 25°C)
引线焊接温度（ 10秒）
输出短路电流（注2 ）
评级
55
+125
65
+150
2.0
V至+ V
CC
+ 2.0 V
2.0
到+7.0
1.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最低直流输入电压是
0.5
五，在转换过程中，可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V，对于小于20毫微秒周期。
2.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
表2.可靠性的特点
（注3）
符号
N
结束
T
DR
V
ZAP
I
LTH
（注4 ）
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
民
10
5
100
2,000
100
最大
单位
周期/字节
岁月
V
mA
3.这些参数，并初步设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供4闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从
1
V到V
CC
+ 1 V.
表3.模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
http://onsemi.com
3
CAT28LV64
表4.电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
I / O
（注5 ）
C
IN
（注5 ）
TEST
输入/输出电容
输入电容
最大
10
6
条件
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
单位
pF
pF
5.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
表5.直流工作特性
(V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，除非另有说明）。
范围
符号
I
CC
I
SBC
（注6 ）
I
LI
I
LO
V
IH
（注6 ）
V
IL
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
I
OH
=
100
mA
I
OL
= 1.0毫安
2
测试条件
CE = OE = V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟，所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
，所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
1
5
2
0.3
2
0.3
民
典型值
最大
8
100
1
5
V
CC
+ 0.3
0.6
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
6. V
IHC
= V
CC
0.3 V到V
CC
+ 0.3 V.
表6.交流的特点，读周期
(V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，除非另有说明）。
28LV6415
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ
（注7 ）
t
OLZ
（注7 ）
t
HZ
（注7,8）
t
OHZ
（注7,8）
t
OH
（注7 ）
参数
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
CE低到有源输出
OE低到输出有效
CE高到输出高阻态
OE高到输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
民
150
150
150
70
0
0
50
50
0
最大
28LV6420
民
200
200
200
80
0
0
55
55
最大
28LV6425
民
250
250
250
100
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
8.输出浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
http://onsemi.com
4
CAT28LV64
V
CC
0.3 V
输入脉冲电平
0.0 V
2.0 V
0.6 V
参考点
图2.交流测试输入/输出波形
（注9 ）
9.输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
V
CC
1.8 K
设备
下
TEST
1. 3 K
C
L
= 100 pF的
产量
C
L
包括夹具电容
图3.交流测试负载电路（例如）
表7.交流的特点，写周期
(V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，除非另有说明）。
28LV6415
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW
（注10 ）
t
OES
t
OEH
t
WP
（注10 ）
t
DS
t
DH
t
INIT
（注11 ）
t
BLC
（注11 ， 12 ）
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
CE脉冲时间
OE建立时间
OE保持时间
WE脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后
上电
字节负载循环时间
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0.05
10
100
民
最大
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
0.1
10
100
28LV6420
民
最大
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
0.1
10
100
28LV6425
民
最大
5
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
小于20 ns的时间10.写脉冲不会启动写周期。
11，此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
的持续时间T 12，计时器
BLC
最大。开始每低到WE高过渡。如果允许超时，页面或字节写操作将开始;但
从高电平变为低电平内吨的过渡
BLC
最大。停止定时器。
http://onsemi.com
5
