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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1006页 > CEU4060A
CED4060A/CEU4060A
1998年3月
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
60V , 15A ,R
DS ( ON)
=85m
@V
GS
=10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
6
D
G
S
G
D
S
G
CEU系列
TO-252AA(D-PAK)
CED系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对最大额定值(TC = 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
20
15
45
15
50
0.3
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
6-17
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
CED4060A/CEU4060A
电气特性(T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
b
符号
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ,我
D
=7.5A
V
GS
=10V, V
DS
=10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 7.5A
最小典型最大单位
60
25
V
A
100 nA的
2
2.7
68
15
6
335
150
40
4
85
V
m
A
S
P
F
P
F
P
F
6
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
a
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
=30V,
I
D
= 15A,
V
GS
= 10V,
R
= 25
10
65
15
30
10
20
100
30
50
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 48V ,我
D
=15A,
V
GS
= 10V
6-18
2.4
4
CED4060A/CEU4060A
电气特性(T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 7.5A
最小典型最大单位
0.8
1.2
V
漏源二极管的特性
a
笔记
a.Pulse测试:脉冲宽度300秒,占空比2 % 。
设计b.Guaranteed ,不受生产测试。
30
V
GS
=10,9,8,7,V
25
15
125 C
10
20
-55 C
25 C
6
I
D
,漏电流( A)
20
15
10
5
0
V
GS
=6V
I
D
,漏电流( A)
6
5
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
700
600
1.8
图2.传输特性
R
DS ( ON)
归一化
漏源,导通电阻
V
GS
=10V
1.6
1.4
1.2
25 C
1.0
-55 C
0.8
0.6
TJ = 125℃
C,电容(pF )
500
400
西塞
300
200
科斯
100
0
0
10
20
30
CRSS
40
50
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压( V)
I
D
,漏电流( A)
图3.电容
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
6-19
CED4060A/CEU4060A
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
0.88
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.09
1.06
1.04
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
-50 -25
ID = 250一
6
0
25
50
75 100 125 150
TJ ,结温( C)
TJ ,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
10
图6.击穿电压变化
随温度
20.0
V
GS
=0V
10.0
g
FS
,跨导( S)
6
4
2
V
DS
=10V
0
0
2
4
6
8
10
是,源极 - 漏极电流( A)
8
1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
,漏源电流(A )
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.跨导变化
与漏极电流
15
V
GS
,门源电压( V)
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
70
12
9
6
3
0
I
D
,漏电流( A)
V
DS
=48V
I
D
=15A
R
(
DS
)
ON
LIM
it
10
0
10
s
s
10
10
ms
DC
1m
s
1
0.5
1
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
10
60 100
0
2
4
6
8
10
12 14
16
QG ,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源电压(V )
图9.栅极电荷
6-20
图10.最大安全
工作区
CED4060A/CEU4060A
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
10%
6
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R(T ) ,归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
-4
-3
-2
-1
t
2
1. R
JA
(吨) = R (t)的R *
JA
2. R
JA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P
DM
* R
JA
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
10
10
10
1
10
10
方波脉冲持续时间(秒)
图13.归瞬态热阻抗曲线
6-21
CED4060A/CEU4060A
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
60V , 15A ,R
DS ( ON)
= 85mΩ @V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
60
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
20
15
45
50
0.3
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
3
50
单位
C / W
C / W
1998.March
6 - 54
http://www.cetsemi.com
CED4060A/CEU4060A
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= 7.5A
0.8
V
DS
= 48V ,我
D
= 15A,
V
GS
= 10V
V
DD
= 30V ,我
D
= 15A,
V
GS
= 10V ,R
= 25
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 7.5A
V
DS
= 10V ,我
D
= 7.5A
2
2.7
68
6
335
150
40
10
65
15
30
10
2.4
4
15
1.2
20
100
30
50
13
60
25
100
-100
4
85
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
6
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
6 - 55
CED4060A/CEU4060A
30
V
GS
=10,9,8,7V
25
20
25 C
I
D
,漏电流( A)
20
15
10
V
GS
=5V
5
V
GS
=4V
0
0
2
4
6
I
D
,漏电流( A)
16
12
V
GS
=6V
5
4
T
J
=125 C
0
0
1
2
3
4
5
-55 C
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
西塞
科斯
CRSS
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
I
D
=7.5A
V
GS
=10V
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
25
50
75
100
125
150
10
10
0
10
-25
0
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
6 - 56
CED4060A/CEU4060A
V
GS
,门源电压( V)
15
V
DS
=48V
I
D
=15A
R
DS ( ON)
极限
10s
I
D
,漏电流( A)
12
100s
10
1
9
1ms
10ms
DC
6
3
10
0
T
C
=25 C
T
J
=175 C
单脉冲
10
0
6
10
1
0
0
4
8
12
16
10
2
QG ,总栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷
V
DS
,漏源电压(V )
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
10%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R(T ) ,归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
θJC
(吨) = R (t)的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
方波脉冲持续时间(毫秒)
图11.归瞬态热阻抗曲线
6 - 57
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
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20918
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联系人:肖小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室(本公司为一般纳税人,可开增值税发票)
CEU4060A
C
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地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路2008号华联发综合楼810-812
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CET
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