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二极管
(三相桥式)
DF75BA40/80
UL ; E76102 M)
功率二极管模块
DF75BA
被设计为三相全波整流,其
有六个二极管连接成三相桥式结构。的安装基座
模块被电从简单的散热片的半导体元件分离
建设。输出直流电流75Amp
(Tc=107℃)
反向重复峰值
电压高达800V 。
TjMax=150℃
82±0.5
66±0.3
20±0.1 20±0.1
4±0.2
4±0.2
10±0.3
φ
5.
0.
2
4±0.2
5.5±0.2
10±0.3
安装底座
通过独特的玻璃钝化高可靠性
(应用程序)
AC,DC电机驱动器/ AVR /开关
- 对于三相整流
1 2 3
12±0.3
30±0.1
10±0.3
4.0±0.3
12±0.3
5-M5
14.5
19±0.2
+1.5
22.0
0
铭牌
1.0
+4
5
单位: ㎜
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
D
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
输出电流
(哥伦比亚特区)
正向电流浪涌
I
2
t
工作结温
储存温度
绝缘击穿电压
(均方根)
交流1分钟
MOUNTING
力矩
MOUNTING
(M5)
teminal
(M5)
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
典型的价值
评级
DF75BA40
400
480
条件
三相全波。牛逼
C
=107℃
( TJ = 25 ℃除非另有规定)
DF75BA80
800
960
评级
75
910/1000
4100
-40到+150
-40到+125
2500
2.7(28)
2.7(28)
160
单位
V
V
单位
A
A
A
2
S
V
N½m
(㎏f½B)
g
回循环, 50 / 60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
TJ = 150 ℃在V
RRM
条件
( TJ = 25 ℃除非另有规定)
评级
10.0
1.20
0.24
单位
mA
V
℃/W
T
j
=25℃,I
FM
=75A,Inst.
测量
结到外壳
RTH J- C)热阻抗,最大。
137
20±0.1
42±0.5
隔离
DF75BA40/80
最大正向特性
20
平均正向电流与
功耗
06
T= 5
½2 ℃
功耗帕乌W)
正向电流I(A )
F
10
三相
08
10
12
14
16
18
20
10
正向压降V(V )
F
输出电流I
D
A)
允许外壳温度Tc
(℃)
10
10
10
10
10
10
输出电流与允许的情况下,温度
浪涌正向电流I(A )
F
10
50
周期正向电流浪涌额定值
(不重复)
每一个元素
TJ = 25℃时开始
10
00
60Hz
三相
50
50Hz
10
输出电流I
D
A)
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J-
时间
(周期)
03
瞬态热阻抗
(最大)
02
结到外壳
01
-1
时间
t
秒)
5 1
138
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SanRex
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8
6组二极管75A800V
2组可控硅95A1400V
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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SanSex/三社
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