EN29F002A / EN29F002AN
EN29F002A / EN29F002AN
2兆位（ 256K ×8位）快闪记忆体
特点
5.0V ±为10％的读/写操作
读取时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
快速读取访问时间
- 为70ns用C
负载
= 100pF的
- 为45nS ， 55ns用C
负载
= 30pF的
部门架构：
一个16K字节的引导扇区，两个8K字节
参数部门，一是32K字节
3 64K字节的主要部门
引导块顶部/底部编程
架构
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
五金
RESET
针
（上EN29F002AN N / A ）
单扇区和芯片擦除
扇区保护/临时机构
撤消（
RESET
= V
ID
)
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
商用和工业温度
范围
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
概述
该EN29F002A / EN29F002AN是2兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。
组织成256K字，每字8位，存储器的2M布置在七个扇区（以
顶部/底部配置） ，其中一个16K字节的引导扇区，二8K字节扇区参数，以及四个主要
部门（一个32K字节和三个64K字节） 。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F002A /
EN29F002AN提供5.0V电压读出和写入操作。存取时间快为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29F002A / EN29F002AN有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写
启用（
宽E
）控制消除总线争用问题。此装置被设计成允许
无论是单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以
SUSTAIN
a
最低
of
100K
编程/擦除
周期
on
每
部门。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
A版，发行日期： 2003年3月26日
EN29F002A / EN29F002AN
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A17
DQ0-DQ7
功能
地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件复位
部门撤消
电源电压
(5V
±
10% )
地
CE
OE
WE
RESET
在EN29F002AN N / A
图1.逻辑图
VCC
18
A0 - A17
EN29F002AT/B
8
DQ0 - DQ7
CE
OE
WE
RESET
（正/一对
EN29F002AN)
VCC
VSS
VSS
表2块结构
热门引导块
扇形
6
5
4
3
2
1
0
底部引导块，
地址
30000H - 3FFFFH
20000H - 2FFFFh
10000H - 1FFFFH
08000H - 地址0FFFFh
06000h - 07FFFh
04000h - 05FFFh
00000H - 03FFFh
大小（字节）
64
64
64
32
8
8
16
地址
3C000h - 3FFFFH
3A000h - 3BFFFh
38000h - 39FFFh
30000H - 37FFFh
20000H - 2FFFFh
10000H - 1FFFFH
00000H - 地址0FFFFh
大小（字节）
16
8
8
32
64
64
64
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
2
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EN29F002A / EN29F002AN
框图
VCC
VSS
RESET
在EN29F002AN N / A
块保护
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
地址锁存
X解码器
细胞矩阵
A0-A17
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
3
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EN29F002A / EN29F002AN
图2： PDIP
PDIP顶视图
NC在EN29F002AN
VPP
RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
WE
NC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图3： TSOP
A17
WE
NC在EN29F002AN
RESET
EN29F002A
图4： PLCC
PLCC顶视图
A12
A16
V
CC
A17
A12
A16 VCC
A17
NC
A15 RESET我们
A15 VPP PGM
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
NC在EN29F002AN在RESET引脚
DQ2 DQ3 DQ5
DQ1 VSS DQ4 DQ6
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
4
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EN29F002A / EN29F002AN
表3.操作模式
2M FLASH USER MODE表
用户模式
CE
WE
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
OE
X
X
L
H
L
L
L
VID
VID
H
X
RESET
A9
X
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
A9
X
A8
X
X
A8
X
L / H
L / H
X
X
X
A8
X
A6
X
X
A6
X
L
L
L
L
H
A6
X
A1
X
X
A1
X
L
L
H
X
H
A1
X
A0
X
X
A0
X
L
H
L
X
L
A0
X
AX /年
X
X
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
X
DQ(0-7)
高阻
高阻
DQ(0-7)
高阻
生产厂家
ID
器件ID （T / B ）
01h(protected)
00h(unprotected)
X
X
DIN(0-7)
X
（上EN29F002AN N / A ）
RESET
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
VID
待机
读
输出禁用
读
制造商ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
ENABLE行业
保护
部门撤消
写
临时机构
撤消
注意事项：
1 ） L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ） X =无关，无论是V
IH
或V
IL
表4.辨识的装置
2M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
*
制造商ID
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（底部结构）
读取设备ID
（底部结构）
*
*
A6
L
L
L
L
L
L
A1
L
L
L
L
L
L
A0
L
L
H
H
H
H
L
H
L
H
L
H
DQ(7-0)
（十六进制）
CONTINUATION制造商ID
7F
制造商ID
1C
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
92
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
97
注意事项：
这些模式（ A8 = H）被推荐用于制造/设备ID检查。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
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EN29F002A / EN29F002AN
2兆位（ 256K ×8位）快闪记忆体
特点
5.0V ±为10％的读/写操作
读取时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
快速读取访问时间
- 为70ns用C
负载
= 100pF的
- 为45nS ， 55ns用C
负载
= 30pF的
部门架构：
一个16K字节的引导扇区，两个8K字节
参数部门，一是32K字节
3 64K字节的主要部门
引导块顶部/底部编程
架构
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
五金
RESET
针
（上EN29F002AN N / A ）
单扇区和芯片擦除
扇区保护/临时机构
撤消（
RESET
= V
ID
)
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
商用和工业温度
范围
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
概述
该EN29F002A / EN29F002AN是2兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。
组织成256K字，每字8位，存储器的2M布置在七个扇区（以
顶部/底部配置） ，其中一个16K字节的引导扇区，二8K字节扇区参数，以及四个主要
部门（一个32K字节和三个64K字节） 。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F002A /
EN29F002AN提供5.0V电压读出和写入操作。存取时间快为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29F002A / EN29F002AN有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写
启用（
宽E
）控制消除总线争用问题。此装置被设计成允许
无论是单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以
SUSTAIN
a
最低
of
100K
编程/擦除
周期
on
每
部门。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
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表1.引脚说明
引脚名称
A0-A17
DQ0-DQ7
功能
地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件复位
部门撤消
电源电压
(5V
±
10% )
地
CE
OE
WE
RESET
在EN29F002AN N / A
图1.逻辑图
VCC
18
A0 - A17
EN29F002AT/B
8
DQ0 - DQ7
CE
OE
WE
RESET
（正/一对
EN29F002AN)
VCC
VSS
VSS
表2块结构
热门引导块
扇形
6
5
4
3
2
1
0
底部引导块，
地址
30000H - 3FFFFH
20000H - 2FFFFh
10000H - 1FFFFH
08000H - 地址0FFFFh
06000h - 07FFFh
04000h - 05FFFh
00000H - 03FFFh
大小（字节）
64
64
64
32
8
8
16
地址
3C000h - 3FFFFH
3A000h - 3BFFFh
38000h - 39FFFh
30000H - 37FFFh
20000H - 2FFFFh
10000H - 1FFFFH
00000H - 地址0FFFFh
大小（字节）
16
8
8
32
64
64
64
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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框图
VCC
VSS
RESET
在EN29F002AN N / A
块保护
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
地址锁存
X解码器
细胞矩阵
A0-A17
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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图2： PDIP
PDIP顶视图
NC在EN29F002AN
VPP
RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
WE
NC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图3： TSOP
A17
WE
NC在EN29F002AN
RESET
EN29F002A
图4： PLCC
PLCC顶视图
A12
A16
V
CC
A17
A12
A16 VCC
A17
NC
A15 RESET我们
A15 VPP PGM
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
NC在EN29F002AN在RESET引脚
DQ2 DQ3 DQ5
DQ1 VSS DQ4 DQ6
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
4
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表3.操作模式
2M FLASH USER MODE表
用户模式
CE
WE
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
OE
X
X
L
H
L
L
L
VID
VID
H
X
RESET
A9
X
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
A9
X
A8
X
X
A8
X
L / H
L / H
X
X
X
A8
X
A6
X
X
A6
X
L
L
L
L
H
A6
X
A1
X
X
A1
X
L
L
H
X
H
A1
X
A0
X
X
A0
X
L
H
L
X
L
A0
X
AX /年
X
X
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
X
DQ(0-7)
高阻
高阻
DQ(0-7)
高阻
生产厂家
ID
器件ID （T / B ）
01h(protected)
00h(unprotected)
X
X
DIN(0-7)
X
（上EN29F002AN N / A ）
RESET
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
VID
待机
读
输出禁用
读
制造商ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
ENABLE行业
保护
部门撤消
写
临时机构
撤消
注意事项：
1 ） L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ） X =无关，无论是V
IH
或V
IL
表4.辨识的装置
2M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
*
制造商ID
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（底部结构）
读取设备ID
（底部结构）
*
*
A6
L
L
L
L
L
L
A1
L
L
L
L
L
L
A0
L
L
H
H
H
H
L
H
L
H
L
H
DQ(7-0)
（十六进制）
CONTINUATION制造商ID
7F
制造商ID
1C
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
92
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
97
注意事项：
这些模式（ A8 = H）被推荐用于制造/设备ID检查。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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EN29F002A / EN29F002AN
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2兆位（ 256K ×8位）快闪记忆体
特点
5.0V ±为10％的读/写操作
读取时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
快速读取访问时间
- 为70ns用C
负载
= 100pF的
- 为45nS ， 55ns用C
负载
= 30pF的
部门架构：
一个16K字节的引导扇区，两个8K字节
参数部门，一是32K字节
3 64K字节的主要部门
引导块顶部/底部编程
架构
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
五金
RESET
针
（上EN29F002AN N / A ）
单扇区和芯片擦除
扇区保护/临时机构
撤消（
RESET
= V
ID
)
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
商用和工业温度
范围
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
概述
该EN29F002A / EN29F002AN是2兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。
组织成256K字，每字8位，存储器的2M布置在七个扇区（以
顶部/底部配置） ，其中一个16K字节的引导扇区，二8K字节扇区参数，以及四个主要
部门（一个32K字节和三个64K字节） 。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F002A /
EN29F002AN提供5.0V电压读出和写入操作。存取时间快为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29F002A / EN29F002AN有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写
启用（
宽E
）控制消除总线争用问题。此装置被设计成允许
无论是单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以
SUSTAIN
a
最低
of
100K
编程/擦除
周期
on
每
部门。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
A版，发行日期： 2003年3月26日
EN29F002A / EN29F002AN
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A17
DQ0-DQ7
功能
地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件复位
部门撤消
电源电压
(5V
±
10% )
地
CE
OE
WE
RESET
在EN29F002AN N / A
图1.逻辑图
VCC
18
A0 - A17
EN29F002AT/B
8
DQ0 - DQ7
CE
OE
WE
RESET
（正/一对
EN29F002AN)
VCC
VSS
VSS
表2块结构
热门引导块
扇形
6
5
4
3
2
1
0
底部引导块，
地址
30000H - 3FFFFH
20000H - 2FFFFh
10000H - 1FFFFH
08000H - 地址0FFFFh
06000h - 07FFFh
04000h - 05FFFh
00000H - 03FFFh
大小（字节）
64
64
64
32
8
8
16
地址
3C000h - 3FFFFH
3A000h - 3BFFFh
38000h - 39FFFh
30000H - 37FFFh
20000H - 2FFFFh
10000H - 1FFFFH
00000H - 地址0FFFFh
大小（字节）
16
8
8
32
64
64
64
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框图
VCC
VSS
RESET
在EN29F002AN N / A
块保护
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
地址锁存
X解码器
细胞矩阵
A0-A17
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图2： PDIP
PDIP顶视图
NC在EN29F002AN
VPP
RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
WE
NC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图3： TSOP
A17
WE
NC在EN29F002AN
RESET
EN29F002A
图4： PLCC
PLCC顶视图
A12
A16
V
CC
A17
A12
A16 VCC
A17
NC
A15 RESET我们
A15 VPP PGM
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
NC在EN29F002AN在RESET引脚
DQ2 DQ3 DQ5
DQ1 VSS DQ4 DQ6
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表3.操作模式
2M FLASH USER MODE表
用户模式
CE
WE
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
OE
X
X
L
H
L
L
L
VID
VID
H
X
RESET
A9
X
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
A9
X
A8
X
X
A8
X
L / H
L / H
X
X
X
A8
X
A6
X
X
A6
X
L
L
L
L
H
A6
X
A1
X
X
A1
X
L
L
H
X
H
A1
X
A0
X
X
A0
X
L
H
L
X
L
A0
X
AX /年
X
X
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
X
DQ(0-7)
高阻
高阻
DQ(0-7)
高阻
生产厂家
ID
器件ID （T / B ）
01h(protected)
00h(unprotected)
X
X
DIN(0-7)
X
（上EN29F002AN N / A ）
RESET
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
VID
待机
读
输出禁用
读
制造商ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
ENABLE行业
保护
部门撤消
写
临时机构
撤消
注意事项：
1 ） L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ） X =无关，无论是V
IH
或V
IL
表4.辨识的装置
2M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
*
制造商ID
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（顶结构）
读取设备ID
（底部结构）
读取设备ID
（底部结构）
*
*
A6
L
L
L
L
L
L
A1
L
L
L
L
L
L
A0
L
L
H
H
H
H
L
H
L
H
L
H
DQ(7-0)
（十六进制）
CONTINUATION制造商ID
7F
制造商ID
1C
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
92
CONTINUATION器件ID
7F
器件ID
97
注意事项：
这些模式（ A8 = H）被推荐用于制造/设备ID检查。
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