（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
ES29LV400D
为4Mbit （ 512Kx 8 / 256K ×16 ）
CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存
一般特点
单电源工作
- 2.7V -3.6V读取，编程和擦除操作
最低100,000编程/擦除每个扇区周期
20年的数据保存在125
o
C
软件特点
产业结构
- 16K字节×1 ， 8K字节×2 ， 32K字节×1引导扇区
- 64K字节X 7sectors
顶部或底部启动块
- ES29LV400DT的热门引导块设备
- ES29LV400DB的底部引导块设备
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA （ 6毫米x 8毫米）
- 无铅封装
- 所有无铅产品均符合RoHS标准
低Vcc的禁止写入
在0.18微米工艺技术制造
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪存标准
擦除暂停/删除恢复
数据＃投票和切换的编程/擦除状态
解锁绕道程序
自选模式
经T自动睡眠模式
加
+ 30ns的
硬件特性
硬件复位输入管脚（ RESET ＃ ）
- 提供一个硬件复位装置
- 任何内部装置的操作被终止，并且
设备返回的复位阅读模式
就绪/忙＃输出引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供编程或擦除操作状态
关于是否它被完成的读或仍在
进展
扇区保护/解除保护（ RESET ＃ ， A9 ）
- 硬件锁定的扇区，以防止方法
该部门内的任何编程或擦除操作
提供了两种方法： -
- 在系统内通过RESET ＃引脚的方法
- A9为PROM编程高电压的方法
临时机构unprotection的（ RESET ＃ ）
- 允许以前的临时解除保护
保护部门更改系统数据
设备性能
读取时间
- 为70ns的受规管的Vcc范围（ 3.0V - 3.6V ）
- 为90ns / 120N正常的Vcc范围（ 2.7V - 3.6V ）
编程和擦除时间
- 计划时间： 6US /字节， 8US /字（典型值）
- 扇区擦除时间： 0.7sec /扇区（典型值）
功耗（典型值）
- 为200nA待机或自动睡眠模式
- 7毫安在5 MHz有源读取电流
- 在程序15毫安活跃的写入电流或擦除
ES29LV400D
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2006年Rev.1C 1月5日，
（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
一般产品说明
该ES29LV400是4兆， 3.0伏，只闪光
存储装置中，组织成512K ×8位（字节
模式）或256K ×16位（字模式），这是CON-
figurable通过BYTE ＃ 。四个引导扇区和7
提供主营行业： 16K字节×1 ， 8K字节
×2 ， 32K字节×1和64K字节X 7，该装置是
与ESI的专利，高perfor-制造
曼斯和高可靠性的0.18微米CMOS闪存
技术。该设备可被编程或
擦除在系统与标准的3.0伏的Vcc电源
（2.7V - 3.6V） ，也可在标编程
准EPROM编程器。该器件提供MIN-
100000程序imum耐力/擦除周期
和超过10年的数据保存期。
该ES29LV400提供存取时间快
为70ns ，高速微处理器的允许操作
处理机无需等待。三个独立的控制
提供引脚，以消除总线争：芯片
使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出
使能（OE ＃）。
所有的编程和擦除操作是自动
并在内部进行的，并提供嵌入控制
DED编程/擦除内置在设备中的算法。
设备会自动生成并倍
必要的高电压脉冲被施加到
细胞，进行核查，并计数num-
BER序列。有些状态位（ DQ7 ， DQ6和
DQ5 ）通过数据＃轮询或切换之间的阅读
连续的读周期提供给用户的
编程/擦除操作的内部状态：是否
它成功完成或仍在进展。
该ES29LV400与完全兼容
单电源支持JEDEC标准命令集
来往的Flash 。命令被写入内部
采用标准时序写入命令寄存器
微处理器和数据可以从被读出
单元阵列中的设备与作为所用的相同的方式
其他EPROM或闪存设备。
ES29LV400D
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2006年Rev.1C 1月5日，
