GS74116ATP/J/X
SOJ ， TSOP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 7 ， 8 ， 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行： 150/130/105/95毫安
最小周期时间
采用3.3 V单电源
所有输入和输出为TTL兼容
字节控制
全静态工作
工业温度选项： -40°至85°C
封装阵容
记者： 400万， 44引脚封装SOJ
目标价： 400万， 44引脚TSOP II型封装
X ：6毫米×10毫米细间距球栅阵列
包
256K ×16
4MB SRAM的异步
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
7，8， 10，12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
SOJ 256K ×16引脚配置（组合J ）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
顶视图
44-pin
SOJ
描述
该GS74116A是有组织的高速CMOS静态RAM
如262,144字由16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS74116A可在一个6×10毫米微调
间距BGA封装， 400万SOJ和400万TSOP II型
包。
引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
1
-DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
FP -BGA 256K ×16焊球配置（包X）
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
低字节使能输入
（ DQ1到DQ8 ）
高字节使能输入
（ DQ9到DQ16 ）
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
6 ×10mm的凹凸间距
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
16
OE
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
8
A
10
A
13
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
9
A
11
A
14
A
2
CE
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
WE
A
15
NC
DQ
1
DQ
3
V
DD
V
SS
DQ
6
DQ
8
NC
1
2
3
4
5
6
DQ
14
DQ
15
V
SS
V
DD
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
NC
A
12
冯： 1.03 10/2002
1/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
顶视图
TSOP -II 256K ×16引脚配置（包TP ）
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
WE
A
15
A14
A
13
A
12
A
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
顶视图
44 PIN
TSOP II
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
17
CE
WE
控制
OE
UB
_____
LB
_____
COLUMN
解码器
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
16
冯： 1.03 10/2002
2/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
真值表
CE
H
OE
X
WE
X
LB
X
L
UB
X
L
H
L
L
H
L
X
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
读
高Z
写
写
不写，高Z
高Z
高Z
DQ
9
到DQ
16
未选择
读
高Z
读
写
不写，高Z
写
高Z
高Z
V
DD
当前
ISB
1
， ISB
2
L
L
H
L
H
L
L
X
L
L
H
I
DD
L
L
H
X
H
X
X
H
注：X：为“H”或“L”的
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
0.7
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于市盈率
ommended工作条件。暴露于高于推荐电压的时间会影响器件长时间
可靠性。
冯： 1.03 10/2002
3/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
推荐工作条件
参数
电源电压为-7 / -8 / -10 / -12
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
民
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
LO
= 4毫安
民
- 1微安
-1微安
2.4
—
最大
1微安
1微安
—
0.4 V
冯： 1.03 10/2002
4/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
– 0.2V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
7纳秒
8纳秒
10纳秒
12纳秒
7纳秒
-40到85°C
8纳秒
10纳秒
12纳秒
单位
操作
供应
当前
I
DD
150
130
105
90
160
140
115
100
mA
待机
当前
I
SB1
40
30
25
25
50
40
35
35
mA
待机
当前
I
SB2
10
20
mA
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
冯： 1.03 10/2002
5/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
SOJ ， TSOP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 7 ， 8 ， 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行： 150/130/105/95毫安
最小周期时间
采用3.3 V单电源
所有输入和输出为TTL兼容
字节控制
全静态工作
工业温度选项： -40°至85°C
封装阵容
记者： 400万， 44引脚封装SOJ
目标价： 400万， 44引脚TSOP II型封装
X ：6毫米×10毫米细间距球栅阵列
包
256K ×16
4MB SRAM的异步
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
7，8， 10，12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
SOJ 256K ×16引脚配置（组合J ）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
顶视图
44-pin
SOJ
描述
该GS74116A是有组织的高速CMOS静态RAM
如262,144字由16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS74116A可在一个6×10毫米微调
间距BGA封装， 400万SOJ和400万TSOP II型
包。
引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
1
-DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
FP -BGA 256K ×16焊球配置（包X）
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
低字节使能输入
（ DQ1到DQ8 ）
高字节使能输入
（ DQ9到DQ16 ）
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
6 ×10mm的凹凸间距
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
16
OE
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
8
A
10
A
13
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
9
A
11
A
14
A
2
CE
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
WE
A
15
NC
DQ
1
DQ
3
V
DD
V
SS
DQ
6
DQ
8
NC
1
2
3
4
5
6
DQ
14
DQ
15
V
SS
V
DD
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
NC
A
12
冯： 1.03 10/2002
1/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
顶视图
TSOP -II 256K ×16引脚配置（包TP ）
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
WE
A
15
A14
A
13
A
12
A
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
顶视图
44 PIN
TSOP II
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
17
CE
WE
控制
OE
UB
_____
LB
_____
COLUMN
解码器
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
16
冯： 1.03 10/2002
2/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
真值表
CE
H
OE
X
WE
X
LB
X
L
UB
X
L
H
L
L
H
L
X
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
读
读
高Z
写
写
不写，高Z
高Z
高Z
DQ
9
到DQ
16
未选择
读
高Z
读
写
不写，高Z
写
高Z
高Z
V
DD
当前
ISB
1
， ISB
2
L
L
H
L
H
L
L
X
L
L
H
I
DD
L
L
H
X
H
X
X
H
注：X：为“H”或“L”的
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
-0.5到V
DD
+0.5
（ ≤ 4.6 V最大。 ）
0.7
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意：
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于市盈率
ommended工作条件。暴露于高于推荐电压的时间会影响器件长时间
可靠性。
冯： 1.03 10/2002
3/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
推荐工作条件
参数
电源电压为-7 / -8 / -10 / -12
输入高电压
输入低电压
环境温度下，
商用系列
环境温度下，
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
民
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
—
—
—
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意：
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试在T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
LO
= 4毫安
民
- 1微安
-1微安
2.4
—
最大
1微安
1微安
—
0.4 V
冯： 1.03 10/2002
4/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS74116ATP/J/X
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
≤
V
IL
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
IH
所有其它输入
≥
V
IH
or
≤
V
IL
分钟。周期
CE
≥
V
DD
– 0.2V
所有其它输入
≥
V
DD
- 0.2 V或
≤
0.2 V
0至70℃
7纳秒
8纳秒
10纳秒
12纳秒
7纳秒
-40到85°C
8纳秒
10纳秒
12纳秒
单位
操作
供应
当前
I
DD
150
130
105
90
160
140
115
100
mA
待机
当前
I
SB1
40
30
25
25
50
40
35
35
mA
待机
当前
I
SB2
10
20
mA
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589
434
注意：
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
冯： 1.03 10/2002
5/14
2001 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
