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初步
GS8320EV18/32/36T-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
FT引脚用户可配置的过流或管道
手术
双循环取消( DCD )的操作
1.8 V +10 % / - 10 %,核心供电
1.8 V的I / O供电
LBO引脚的直线或交错突发模式
在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错管道模式
字节写( BW)和/或全局写( GW )的操作
内部自定时写周期
用于便携式应用的自动断电
JEDEC标准的100引脚TQFP封装
无铅100引脚TQFP封装
2M ×18 , 1M ×32 , 1M ×36
36MB同步突发静态存储器
250兆赫, 133兆赫
1.8 V V
DD
1.8 V的I / O
交错为了与线性突发顺序( LBO )的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户(引脚14 ) 。抱着FT模式
引脚为低电平时, RAM的流量通过模式,导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式,激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
DCD流水线读
该GS8320EV18 / 32 / 36T是DCD (双循环取消)
流水线同步SRAM 。 SCD (单周期取消)
版本也可以。 DCD的SRAM管道关闭
命令,以相同程度的读命令。 DCD的RAM
持取消选定命令为一个完整周期,然后开始
刚经过的第二个上升沿关闭它们的输出
时钟。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
(BW)的输入与一个或多个单独的字节的写
信号( Bx的) 。此外,全局写( GW)是供
写的字节写入所有字节在同一时间,不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗(休眠模式)通过断言实现
(高)的ZZ的信号,或通过停止时钟(CK) 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS8320EV18 / 32 / 36T工作在1.8 V电源。
所有输入1.8 V兼容。单独的输出电源(V
DDQ
)
引脚用于与内部电路去耦,输出噪声
和1.8 V兼容。
功能说明
应用
该GS8320EV18 / 32 / 36T是37748736位高
性能的同步SRAM与2位猝发地址
计数器。虽然一个类型的最初开发用于第2级
缓存应用程序支持高性能的CPU ,在
设备现在发现在同步SRAM的应用
应用,从DSP总店网络芯片
集的支持。
控制
地址,数据I / O的芯片使能( E1,E2, E3) ,地址脉冲串
控制输入( ADSP , ADSC , ADV ) ,写控制输入
( Bx的,BW , GW)是同步的,并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端( CK) 。输出使能( G)
和断电控制( ZZ )是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下,会产生后续的突发地址
在内部,并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
参数简介
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
2.5 2.7 3.0 3.5 3.8 4.0纳秒
4.0 4.4 5.0 6.0 6.6 7.5纳秒
285
350
6.5
6.5
205
235
265
320
7.0
7.0
195
225
245
295
7.5
7.5
185
210
220 210 185毫安
260 240 215毫安
8.0 8.5 8.5纳秒
8.0 8.5 8.5纳秒
175 165 155毫安
200 190 175毫安
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
冯: 1.02 10/2004
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2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
初步
GS8320EV18/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS8320EV18 100引脚TQFP引脚
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQP
B
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
2M ×18
10
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11
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53
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30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
E
1
E
2
NC
NC
B
B
B
A
E
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V
DD
V
SS
CK
GW
BW
G
ADSC
ADSP
ADV
A
A
A
NC
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DDQ
V
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NC
DQP
A
DQ
A
DQ
A
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SS
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DDQ
DQ
A
DQ
A
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ZZ
DQ
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NC
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DDQ
NC
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LBO
A
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2001年, GSI技术
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GS8320EV18/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS8320EV32 100引脚TQFP引脚
NC
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D3
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
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1M ×32
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31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
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1
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D
B
C
B
B
B
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DD
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CK
GW
BW
G
ADSC
ADSP
ADV
A
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DQ
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DDQ
V
SS
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B
DQ
B
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B
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SS
V
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B
DQ
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V
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A
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DQ
A
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DDQ
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A
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LBO
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2001年, GSI技术
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GS8320EV18/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS8320EV36 100引脚TQFP引脚
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
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SS
DQ
D
DQ
D
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DDQ
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D3
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
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31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
A
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D
B
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CK
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ADSC
ADSP
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B
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LBO
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GS8320EV18/32/36T-250/225/200/166/150/133
TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B1
DQ
C
DQ
D
NC
BW
B
A
, B
B
B
C
, B
D
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
ADSP , ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
TYPE
I
I
描述
地址域的LSB和地址计数器的预置输入
地址输入
I / O
数据输入和输出引脚
无连接
字节写,将所有启用的字节;低电平有效
字节写使能为DQ
A
, DQ
B
数据I / O的;低电平有效
字节写使能为DQ
C
, DQ
D
数据I / O的;低电平有效
时钟输入信号;高电平有效
全局写使能,将所有字节;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前实现;低电平有效
地址选通(处理器,高速缓存控制器) ;低电平有效
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
冯: 1.02 10/2004
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