IRL1004S/1004L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
40
–––
–––
–––
1.0
63
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.04 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– 0.0065
V
GS
= 10V ，我
D
= 78A
––– 0.009
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 65A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 78A
––– 25
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
A
––– 250
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– -100
V
GS
= -16V
––– 100
I
D
= 78A
––– 32
nC
V
DS
= 32V
––– 43
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
16 –––
V
DD
= 20V,
210 –––
I
D
= 78A,
25 –––
ns
R
G
= 2.5,
14 –––
R
D
= 0.18Ω ，见图。 10
铅之间，
7.5
nH
–––
而中心的模具接触
5330 –––
V
GS
= 0V
1480 –––
pF
V
DS
= 25V
320 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ????
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管） ？
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 130
展示
A
G
整体反转
––– ––– 520
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 78A ，V
GS
= 0V
––– 78 120
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 78A
––– 180 270
NC的di / dt = 100A / μs的????
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流移交的
包参考设计提示＃ 93-4
使用IRL1004数据和测试条件
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.23mH
R
G
= 25, I
AS
= 78A 。 （参见图12）
I
SD
≤
78A ， di / dt的
≤
370A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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IRL1004S/1004L
10000
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
100
10
2.7V
1
2.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
I
D
= 130A
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
T
J
= 175
°
C
1.5
10
1.0
1
0.5
0.1
2.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRL1004S/1004L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
40
–––
–––
–––
1.0
63
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.04 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– 0.0065
V
GS
= 10V ，我
D
= 78A
––– 0.009
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 65A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 78A
––– 25
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
A
––– 250
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– -100
V
GS
= -16V
––– 100
I
D
= 78A
––– 32
nC
V
DS
= 32V
––– 43
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
16 –––
V
DD
= 20V,
210 –––
I
D
= 78A,
25 –––
ns
R
G
= 2.5,
14 –––
R
D
= 0.18Ω ，见图。 10
铅之间，
7.5
nH
–––
而中心的模具接触
5330 –––
V
GS
= 0V
1480 –––
pF
V
DS
= 25V
320 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ????
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管） ？
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 130
展示
A
G
整体反转
––– ––– 520
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 78A ，V
GS
= 0V
––– 78 120
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 78A
––– 180 270
NC的di / dt = 100A / μs的????
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流移交的
包参考设计提示＃ 93-4
使用IRL1004数据和测试条件
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.23mH
R
G
= 25, I
AS
= 78A 。 （参见图12）
I
SD
≤
78A ， di / dt的
≤
370A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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10000
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
100
10
2.7V
1
2.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
I
D
= 130A
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
T
J
= 175
°
C
1.5
10
1.0
1
0.5
0.1
2.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
40
–––
–––
–––
1.0
63
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.04 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– 0.0065
V
GS
= 10V ，我
D
= 78A
––– 0.009
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 65A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 78A
––– 25
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
A
––– 250
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– -100
V
GS
= -16V
––– 100
I
D
= 78A
––– 32
nC
V
DS
= 32V
––– 43
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
16 –––
V
DD
= 20V,
210 –––
I
D
= 78A,
25 –––
ns
R
G
= 2.5,
14 –––
R
D
= 0.18Ω ，见图。 10
铅之间，
7.5
nH
–––
而中心的模具接触
5330 –––
V
GS
= 0V
1480 –––
pF
V
DS
= 25V
320 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ????
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管） ？
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 130
展示
A
G
整体反转
––– ––– 520
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 78A ，V
GS
= 0V
––– 78 120
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 78A
––– 180 270
NC的di / dt = 100A / μs的????
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流移交的
包参考设计提示＃ 93-4
使用IRL1004数据和测试条件
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.23mH
R
G
= 25, I
AS
= 78A 。 （参见图12）
I
SD
≤
78A ， di / dt的
≤
370A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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10000
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
100
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2.7V
1
2.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
I
D
= 130A
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
T
J
= 175
°
C
1.5
10
1.0
1
0.5
0.1
2.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
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0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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