2010年4月
消费者的记忆
产品指南
三星电子保留更改产品，信息的权利，
规格，恕不另行通知。
本文所讨论的产品和规格仅供参考。所有信息讨论
本文提供的"AS IS"的基础上，没有任何形式的担保。
本文及本文讨论的所有信息保持三星的独有财产
电子产品。任何专利，版权，口罩工作，商标或任何其他知识产权的任何许可
右侧是该文件正由一方到另一方，通过暗示，禁止反言或其他 -
明智的。
三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或使用
类似的应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何损失
军事或国防应用程序，或任何政府采购，以这特殊条款或规定
可以申请。
如需更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
所有品牌名称，商标和注册商标均归其各自所有者所有。
2010三星电子有限公司保留所有权利。
-1-
产品指南
1.消费者心目中订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2010年4月
消费者的记忆
11
K 4 X X X X X X X X - X X X X
三星内存
DRAM
产品
密度&刷新
组织
1.三星内存：K
2. DRAM ： 4
3.产品
S
H
T
B
D
J
:
SDRAM
:
DDR SDRAM
:
DDR2 SDRAM
:
DDR3 SDRAM
:
GDDR
:
GDDR3
7.接口（V
DD
, V
DDQ
)
2
8
Q
6
K
:
LVTTL （ 3.3V ， 3.3V ）
:
SSTL_2 （ 2.5V ， 2.5V ）
:
SSTL_18 （ 1.8V ， 1.8V ）
:
SSTL_15 （ 1.5V ， 1.5V ）
:
POD_18 （ 1.8V ， 1.8V ）
速度
温度&电源
套餐类型
调整
接口（V
DD
, V
DDQ
)
银行
8.修订
M
A
B
C
D
E
F
G
:
第一将军
:
第二届创
:
第三将军
:
第四将军
:
第五将军
:
第六届将军
:
7将军
:
8日创
H
I
J
K
L
N
O
S
:
9日创
:
10日创
:
第11届创
:
12日创
:
13日创
:
14日创
:
15日创
:
19将军
4.密度&刷新
64
:
64MB， 4K / 64ms的
28
:
128MB， 4K / 64ms的
56
:
256MB， 8K / 64ms的
51
:
512MB， 8K / 64ms的
1G
:
1GB内存， 8K / 64ms的
2G
:
2GB， 8K / 64ms的
10
:
1GB内存， 8K / 32ms的
9.包装类型
U
Z
:
TSOPII （无铅）
100TQFP （无铅）只为128Mb的GDDR
:
FBGA （无铅）
:
144FBGA （无铅）只为128Mb的GDDR
:
TSOPII （无铅&无卤）
:
FBGA （无铅&无卤）
:
FBGA （无铅&无卤）为64兆DDR ， GDDR 128Mb的
:
FBGA DDP （无铅&无卤）
:
FBGA FLIP - CHIP （无铅&无卤）
5.组织
04
:
x4
08
:
x8
16
:
x16
32
:
x32
31
:
X32 （ 2CS ）
V
L
H
F
M
B
10.温度&电源
6.银行
2
3
4
:
2银行
:
4银行
:
8银行
C
L
I
P
D
Q
:
商业温度。 &普通电源
:
商业温度。 &低功耗
:
工业级温度范围。 &普通电源
:
工业级温度范围。 &低功耗
:
工业级温度范围。 &超低功耗
:
商业温度。 DDR3 + （无缝， BL4 ）
-2-
产品指南
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2010年4月
消费者的记忆
10
11
K 4 X X X X X X X X - X X X X
三星内存
DRAM
产品
密度&刷新
组织
速度
温度&电源
套餐类型
调整
接口（V
DD
, V
DDQ
)
银行
11.速度
75
:
7.5ns ， PC133 （ 133MHz的CL = 3 ）
60
:
6.0ns （ 166MHz的CL = 3 ）
50
:
5.0ns （ 200MHz的CL = 3）的
40
:
4.0ns （ 250MHz的CL = 3）的
B0
:
DDR266 （ 133MHz的@ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
B3
:
DDR333 （ 166MHz的@ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
CC
:
DDR400 （ 200MHz的@ CL = 3 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
E6
:
DDR2-667 （ 333MHz的@ CL = 5 ， tRCD的= 5 ， tRP的= 5 ）
E7
:
DDR2-800 （ 400MHz的@ CL = 5 ， tRCD的= 5 ， tRP的= 5 ）
F7
:
DDR2 / 3-800 （ 400MHz的@ CL = 6 ， tRCD的= 6 ，激进党= 6）
F8
:
DDR2 / 3-1066 （ 533 @ CL = 7 ， tRCD的= 7 ，激进党= 7 ）
H9
:
DDR3-1333 （ 667MHz的@ CL = 9 ， tRCD的= 9 ，激进党= 9 ）
K0
:
DDR3-1600 （ 800MHz的@ CL = 11 ， tRCD的= 11 ，激进党= 11 ）
7A
:
GDDR3-2.6Gbps （ 0.77ns ）
08
:
GDDR3-2.4Gbps （ 0.8ns ）
1A
:
GDDR3-2.0Gbps （ 1.0ns ）
12
:
GDDR3-1.6Gbps （ 1.25ns ）
14
:
GDDR3-1.4Gbps （ 1.4ns ）
-3-
产品指南
2.1 SDRAM
密度
64MB N-二模
银行
4Banks
产品型号
K4S640832N
K4S641632N
K4S280832K
K4S281632K
K4S280832O
K4S281632O
K4S560432J
256Mb的J-模
4Banks
K4S560832J
K4S561632J
K4S560432N
256MB N-二模
4Banks
K4S560832N
K4S561632N
包装&电力，
温度。 （-C / -L ） &速度
LC(L)75
LC(L)50/C(L)60/C(L)75
U
*1
C(L)75
UC(L)50/C(L)60/C(L)75
LC(L)75
LC(L)50/C(L)60/C(L)75
U
*1
C(L)75
UC(L)75
UC(L)60/C(L)75
LC(L)75
LC(L)75
LC(L)60/C(L)75
组织。
8M ×8
4M ×16
16M ×8
8M ×16
16M ×8
8M ×16
64M ×4
32M ×8
16M ×16
64M ×4
32M ×8
16M ×16
LVTTL
8K/64ms
LVTTL
8K/64ms
接口
LVTTL
刷新
4K/64ms
2010年4月
消费者的记忆
2.商业温度消费DRAM组件产品指南
电源（ V）
3.3±0.3V
包
54pin TSOP （II）的
无济于事。
NOW
128MB K-模
4Banks
LVTTL
4K/64ms
3.3±0.3V
54pin TSOP （II）的
*1
NOW
128MB O型模具
4Banks
LVTTL
4K/64ms
3.3±0.3V
54pin TSOP （II）的
3Q’10
3.3±0.3V
54pin TSOP （II）的
*1
NOW
3.3±0.3V
54pin TSOP （II）的
NOW
记
1. 128Mb的K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）
2.2 DDR SDRAM
密度
64MB N-二模
64MB Q-模
128MB L-死
128MB O型模具
银行
4Banks
4Banks
4Banks
4Banks
产品型号
K4H641638N
K4H641638Q
K4H281638L
K4H281638O
K4H560438J
256Mb的J-模
4Banks
K4H560838J
K4H561638J
K4H560438N
256MB N-二模
4Banks
K4H560838N
K4H561638N
K4H510438F
512MB F-模
4Banks
K4H510838F
K4H511638F
K4H510438G
512MB G-模
4Banks
K4H510838G
K4H511638G
记
: 1. V
DD
/V
DDQ
SPEC为128Mb的DDR L-模
DDR500
V
DD
/V
DDQ
2.5V ± 0.125V
DDR400
2.5V ± 0.2V
包装&电力，
温度。 （-C / -L ） &速度
LC （ L） CC
FC （ L） CC
LC （ L） CC
LC （ L） / C （L ） CC
LC(L)CC/C(L)B3
LC(L)B3/C(L)B0
LC(L)CC/C(L)B3
LC(L)CC/C(L)B3
LC(L)B3/C(L)B0
LC(L)CC/C(L)B3
LC(L)CC/C(L)B3
LC(L)B3/C(L)B0
HC(L)CC/C(L)B3
LC(L)CC/C(L)B3
HC(L)CC/C(L)B3
LC(L)CC/C(L)B3
HC(L)CC/C(L)B3
LC(L)B3/C(L)B0
HC(L)CC/C(L)B3
LC(L)CC/C(L)B3
HC(L)CC/C(L)B3
LC(L)CC/C(L)B3
HC(L)CC/C(L)B3
组织。
4M ×16
4M ×16
8M ×16
8M ×16
64M ×4
32M ×8
16M ×16
64M ×4
32M ×8
16M ×16
128M ×4
64M ×8
32M ×16
128M ×4
64M ×8
32M ×16
接口
SSTL_2
SSTL_2
SSTL_2
SSTL_2
刷新
4K/64m
4K/64m
4K/64m
4K/64m
电源（ V）
2.5±0.2V
2.5±0.2V
2.5±0.2V
*1
2.5±0.2V
*1
2.5±0.2V
*2
包
66pinTSOPII
60Ball FBGA
66pinTSOPII
66pinTSOPII
66pinTSOPII
无济于事。
NOW
2Q’10
NOW
2Q’10
SSTL_2
8K/64m
66pinTSOPII
NOW
SSTL_2
8K/64m
2.5±0.2V
*2
66pinTSOPII
66pinTSOPII
60Ball FBGA
66pinTSOPII
60Ball FBGA
66pinTSOPII
60Ball FBGA
66pinTSOPII
60Ball FBGA
66pinTSOPII
60Ball FBGA
66pinTSOPII
60Ball FBGA
NOW
SSTL_2
8K/64m
2.5±0.2V
*2
NOW
SSTL_2
8K/64m
2.5±0.2V
*2
NOW
2. V
DD
/V
DDQ
SPEC 256 / 512Mb的DDR
DDR400
V
DD
/V
DDQ
2.6V ± 0.1V
DDR333/266
2.5V ± 0.2V
-4-
产品指南
2.3 DDR2 SDRAM
密度
128MB O型模具
256MB I-模
256MB N-二模
512MB G-模
银行
4Banks
4Banks
4Banks
4Banks
产品型号
K4T28163QO
K4T56163QI
K4T56163QN
K4T51083QG
K4T51163QG
K4T51043QI
512MB I-模
4Banks
K4T51083QI
K4T51163QI
1GB电子芯片
8Banks
8Banks
K4T1G084QE
K4T1G164QE
K4T1G084QF
K4T1G164QF
包装&电力，
温度。 （-C / -L ） &速度
HCF8/E7/F7/E6
Z
*1
C(L)E7/F7/E6/D5/CC
HCF8/E7/F7/E6
HC(L)F8/E7/F7/E6
HC(L)F8/E7/F7/E6
HC(L)E7/F7/E6
HC(L)E7/F7/E6
HC(L)F8/E7/F7/E6
HC(L)F8/E7/F7/E6
HC(L)F8/E7/F7/E6
BC(L)F8/E7/F7/E6
BC(L)F8/E7/F7/E6
组织。
8M ×16
16M ×16
16M ×16
64M ×8
32M ×16
128M ×4
64M ×8
32M ×16
128M ×8
64M ×16
128M ×8
64M ×16
SSTL_18
SSTL_18
8K/64m
8K/64m
SSTL_18
8K/64m
接口
SSTL_18
SSTL_18
SSTL_18
SSTL_18
刷新
4K/64m
8K/64m
8K/64m
8K/64m
2010年4月
消费者的记忆
电源（ V）
1.8V±0.1V
1.8V±0.1V
1.8V±0.1V
1.8V±0.1V
包
84Ball FBGA
84Ball FBGA
84Ball FBGA
60Ball FBGA
84Ball FBGA
60Ball FBGA
84Ball FBGA
无济于事。
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
NOW
1.8V±0.1V
1.8V±0.1V
1.8V±0.1V
60Ball FBGA
84Ball FBGA
60Ball FBGA
84Ball FBGA
1GB F-模
记
1. 128Mb的I-死DDR2 84ball FBGA支持无卤素封装
2.4 DDR3 SDRAM
密度
1GB电子芯片
2GB B-模
银行
8Banks
8Banks
产品型号
K4B1G0846E
K4B1G1646E
K4B2G0846B
K4B2G1646B
K4B2G0846C
K4B2G1646C
包装&电力，
温度。 （-C / -L ） &速度
HC(L)F7/F8/H9/K0
HC(L)F7/F8/H9/K0
HC(L)F7/F8/H9/K0
HC(L)F7/F8/H9/K0
HC(L)F8/H9/K0
HC(L)F8/H9/K0
组织。
128M ×8
64M ×16
256M ×8
128M ×16
256M ×8
128M ×16
接口
SSTL_15
SSTL_15
刷新
8K/64m
8K/64m
电源（ V）
1.5V±0.075V
1.5V±0.075V
PKG
78ball FBGA
96ball FBGA
78ball FBGA
96ball FBGA
78ball FBGA
96ball FBGA
无济于事。
NOW
NOW
2GB C-模
8Banks
SSTL_15
8K/64m
1.5V±0.075V
NOW
2.5 + DDR3 SDRAM
密度
1GB电子芯片
2GB C-模
银行
8Banks
8Banks
产品型号
K4B1G1646E
K4B2G1646C
包装&电力，
温度。 （-C / -L ） &速度
HQH9
HQH9
组织。
64M ×16
128M ×16
接口
SSTL_15
SSTL_15
刷新
8K/64m
8K/64m
电源（ V）
1.5V±0.075V
1.5V±0.075V
PKG
96ball FBGA
96ball FBGA
无济于事。
NOW
NOW
记
：有关产品的规格或技术文件的详细信息，请与我们联系"semiconductor@samsung.com"
-5-
五月。 2010
DDR3 SDRAM内存
产品指南
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产品指南
1. DDR3 SDRAM内存订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
五月。 2010
DDR3 SDRAM内存
9
10
11
K 4 B X X X X X X X - X X X X
三星内存
DRAM
DRAM类型
密度
位组织
速度
温度&电源
套餐类型
调整
接口（V
DD
, V
DDQ
)
＃内部银行
1.三星内存：K
7.接口（V
DD
, V
DDQ
)
6
:
SSTL （ 1.5V ， 1.5V ）
2. DRAM ： 4
8.修订
3. DRAM类型
B
:
DDR3 SDRAM
M
A
B
C
D
E
F
G
H
:
第一将军
:
第二届创
:
第三将军
:
第四将军
:
第五将军
:
第六届将军
:
第七代
:
第8代
:
第9代
4.密度
51
:
512Mb
1G
:
1Gb
2G
:
2Gb
4G
:
4Gb
9.包装类型
5位组织
04
:
x 4
08
:
x 8
16
:
x16
Z
H
J
M
:
:
:
:
FBGA （无铅）
FBGA （无卤&无铅）
FBGA （无铅， DDP）
FBGA （无卤&无铅， DDP）
10.温度&电源
C
:
商用温度（ 0 ° C 85°C ） &普通电源
L
:
商用温度（ 0 ° C 85°C ） &低功耗
Y
:
商用温度（ 0 ° C 85°C ） &低VDD电压（ 1.35V ）
6 ＃内部银行
3
:
4银行
4
:
8银行
5
:
16家银行
11.速度
F7
:
DDR3-800
F8
:
DDR3-1066
H9
:
DDR3-1333
K0
:
DDR3-1600
（ 400MHz的@ CL = 6 ， tRCD的= 6 ，激进党= 6）
（为533MHz @ CL = 7 ， tRCD的= 7 ，激进党= 7 ）
（为667MHz @ CL = 9 ， tRCD的= 9 ，激进党= 9 ）
（ 800MHz的@ CL = 11 ， tRCD的= 11 ，激进党= 11 ）
-2-
产品指南
3. DDR3 SDRAM模块订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
五月。 2010
DDR3 SDRAM内存
11
12
米乘X X B X X X X X X X - X X X
内存模块
DIMM类型
数据位
DRAM组件类型
深度
在比较＃银行。 &接口
位组织
1.内存模块：M
8.组件版本
M
:
第一将军
B
:
第三将军
D
:
第五将军
F
:
7将军
速度
温度&电源
PCB版本
包
组件版本
2. DIMM类型
3
:
DIMM
4
:
SODIMM
3.数据位
71 :
78 :
91 :
92 :
93 :
x64
x64
x72
x72
x72
204pin无缓冲的SODIMM
240PIN DIMM无缓冲
240PIN ECC无缓冲DIMM
VLP 240PIN DIMM注册
240PIN DIMM注册
A
C
E
G
:
:
:
:
第二届创
第四将军
第六届将军
8日创
9.包
:
FBGA （无铅）
Z
:
FBGA （无铅&无卤）
H
:
FBGA （无铅， DDP）
J
M
:
FBGA （无铅&无卤， DDP）
10. PCB版本
0
:
无
2
:
第二个版本
4
:
第四修订版
1
:
第一个版本
3
:
第3版本
S
:
还原层
4. DRAM组件类型
B
:
DDR3 SDRAM （ 1.5V VDD ）
5.深度
32
:
32M
64
:
64M
28
:
128M
56
:
256M
51
:
512M
1G
:
1G
2G
:
2G
33
65
29
57
52
1K
2K
:
32M （为128MB / 512MB的）
:
64M （为128MB / 512MB的）
:
128M （为128MB / 512MB的）
:
256M （为512MB / 2GB）
:
512M （为512MB / 2GB）
:
1G （为2GB）
:
2G （为2GB）
11.温度&电源
C
:
商用温度（ 0 ° C 85°C ） &普通电源
Y
:
商用温度（ 0 ° C 85°C ） &低VDD电压（ 1.35V ）
在比较6 ＃银行。 &接口
7
:
8Banks & SSTL- 1.5V
12.速度
F7
:
DDR3-800
F8
:
DDR3-1066
H9
:
DDR3-1333
K0
:
DDR3-1600
（ 400MHz的@ CL = 6 ， tRCD的= 6 ，激进党= 6）
（为533MHz @ CL = 7 ， tRCD的= 7 ，激进党= 7 ）
（为667MHz @ CL = 9 ， tRCD的= 9 ，激进党= 9 ）
（ 800MHz的@ CL = 11 ， tRCD的= 11 ，激进党= 11 ）
注意：
PC3-6400(DDR3-800),PC3-8500(DDR3-1066),
PC3-10600 （ DDR3-1333 ） ， PC3-12800 （ DDR3-1600 ）
7位组织
0
:
x4
3
:
x8
4
:
x16
-4-
产品指南
4. DDR3 SDRAM模组产品指南
4.1 240PIN DDR3无缓冲DIMM （ 1.5V产品）
240PIN DDR3无缓冲DIMM
组织。
128Mx 64
密度
1GB
产品型号
M378B2873EH1
M378B2873FH0
M391B2873EH1
M391B2873FH0
M378B5673EH1
256MX 64
2GB
M378B5673FH0
M378B5773CH0
M391B5673EH1
256MX 72
2GB
M391B5673FH0
M391B5773CH0
512Mx 64
4GB
M378B5273BH1
M378B5273CH0
M391B5273BH1
M391B5273CH0
M378B1G73AH0
M391B1G73AH0
速度
CF8/H9
CF8/H9/K0*
CF8/H9
CF8/H9/K0*
CF8/H9
CF8/H9/K0*
CF8/H9/K0*
CF8/H9
CF8/H9/K0*
CF8/H9/K0*
CF8/H9
CF8/H9/K0*
CF8/H9
CF8/H9/K0*
CF8/H9/K0*
CF8/H9/K0*
RAW卡
A(1Rx8)
作文
128M ×8 ×8个
128M ×8 ×8个
128M * 8 * 9个
128M * 8 * 9个
128M * 8 * 16个
128M * 8 * 16个
256M ×8 ×8个
128M * 8 * 18个
128M * 8 * 18个
256M * 8 * 9个
256M * 8 * 16个
256M * 8 * 16个
256M * 8 * 18个
256M * 8 * 18个
512M * 8 * 16个
512M * 8 * 18个
比较。
VERSION
1Gb
1Gb
1Gb
1Gb
1Gb
1Gb
2Gb
1Gb
1Gb
2Gb
2Gb
2Gb
2Gb
2Gb
4Gb
4Gb
E-模
F-模
E-模
F-模
E-模
F-模
C-模
E-模
F-模
C-模
B-模
C-模
B-模
C-模
A-模
A-模
五月。 2010
DDR3 SDRAM内存
国内
银行
8
秩
1
PKG
78球
FBGA
78球
FBGA
78球
FBGA
高度
30mm
无济于事。
NOW
记
128Mx 72
1GB
D(1Rx8)
8
1
30mm
NOW
B(2Rx8)
A(1Rx8)
E(2Rx8)
D(1Rx8)
B(2Rx8)
8
8
2
1
2
1
30mm
NOW
8
78球
FBGA
78球
FBGA
78球
FBGA
78球
FBGA
78球
FBGA
30mm
NOW
8
2
30mm
NOW
512Mx 72
1Gx 64
1Gx 72
4GB
8GB
8GB
E(2Rx8)
B(2Rx8)
E(2Rx8)
8
8
8
2
2
2
30mm
30mm
30mm
NOW
NOW
NOW
*
记
： K0 （ 1600Mbps ）将可通过ES水平
4.2 240PIN DDR3无缓冲DIMM （ 1.35V产品）
240PIN DDR3无缓冲DIMM
组织。
128Mx 72
密度
1GB
产品型号
M391B2873EH1
M391B2873FH0
M391B5673EH1
256MX 72
2GB
M391B5673FH0
M391B5773CH0
512Mx 72
1Gx 72
4GB
8GB
M391B5273BH1
M391B5273CH0
M391B1G73AH0
速度
YF8/H9
YF8/H9
YF8/H9
YF8/H9
YF8/H9
YF8/H9
YF8/H9
YF8/H9
RAW卡
D(1Rx8)
作文
128M * 8 * 9个
128M * 8 * 9个
128M * 8 * 18个
128M * 8 * 18个
256M * 8 * 9个
256M * 8 * 18个
256M * 8 * 18个
512M * 8 * 18个
比较。
VERSION
1Gb
1Gb
1Gb
1Gb
2Gb
2Gb
2Gb
4Gb
E-模
F-模
E-模
F-模
C-模
B-模
C-模
A-模
国内
银行
8
秩
1
PKG
78球
FBGA
78球
FBGA
78球
FBGA
78球
FBGA
高度
30mm
无济于事。
NOW
记
E(2Rx8)
D(1Rx8)
E(2Rx8)
E(2Rx8)
8
8
8
8
2
1
2
2
30mm
NOW
30mm
30mm
NOW
NOW
*
记
： 1.35V产品为1.5V可操作。
-5-
