添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:0755-83030533  13751165337
51电子网联系电话:+86-0755-83030533
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第161页 > KM681000BLGE-7
KM681000B家庭
128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
初步
CMOS SRAM
概述
该KM681000B家庭是由三星先进的制造
CMOS工艺技术。该系列可支持各种
的工作温度范围和具有各种封装类型
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低
数据保持电压,用于电池后备低操作
数据保持电流。
工艺技术: 0.6
§-
CMOS
组织: 128Kx8
电源电压: 5.0V单
10%
低数据保持电压: 2V (最小值)
三态输出与TTL兼容
封装类型: JEDEC标准
32 - DIP , 32 - SOP , 32 - TSOP I R / F
产品系列
功耗
产品
家庭
KM681000BL
KM681000BL-L
KM681000BLE
KM681000BLE-L
KM681000BLI
KM681000BLI-L
Industrial(-40~85
)
70/100ns
Extended(-25~85
)
70/100ns
操作
温度
速度
PKG型
待机
(I
SB1
,最大值)
100
§
20
§
100
§
50
§
100
§
50
§
70mA
操作
(I
CC2
)
Commercial(0~7
)
55/70ns
32-DIP,32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
引脚说明
功能框图
A
0~3,
A
8~11
N.C
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
32-DIP
32-SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CS
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
I型 - 前进
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
V
SS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
y解码器
X解码器
A
4~7,
A
12~16
CELL
ARRAY
控制逻辑
CS
1
, CS
2
WE
,
OE
I / O
1
~
8
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
I / O缓冲器
32-TSOP
I型反转
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
CS
1
A
10
OE
名字
A
0
~A
16
WE
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
无连接
CS
1
, CS
2
OE
I / O
1
-I / O
18
VCC
VSS
N.C
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
产品列表&订购信息
产品列表
商用产品温度
(0~70
)
部件名称
KM681000BLP-5
KM681000BLP-5L
KM681000BLP-7
KM681000BLP-7L
KM681000BLG-5
KM681000BLG-5L
KM681000BLG-7
KM681000BLG-7L
KM681000BLT-5
KM681000BLT-5L
KM681000BLT-7
KM681000BLT-7L
KM681000BLR-5
KM681000BLR-5L
KM681000BLR-7
KM681000BLR-7L
初步
CMOS SRAM
扩展温度产品
(-25~85
)
部件名称
KM681000BLGE-7
KM681000BLGE-7L
KM681000BLGE-10
KM681000BLGE-10L
KM681000BLTE-7
KM681000BLTE-7L
KM681000BLTE-10
KM681000BLTE-10L
KM681000BLRE-7
KM681000BLRE-7L
KM681000BLRE-10
KM681000BLRE-10L
工业温度产品
(-40~85
)
部件名称
KM681000BLGI-7
KM681000BLGI-7L
KM681000BLGI-10
KM681000BLGI-10L
KM681000BLTI-7
KM681000BLTI-7L
KM681000BLTI-10
KM681000BLTI-10L
KM681000BLRI-7
KM681000BLRI-7L
KM681000BLRI-10
KM681000BLRI-10L
功能
32-DIP,55ns,L-pwr
32-DIP,55ns,LL-pwr
32-DIP,70ns,L-pwr
32-DIP,70ns,LL-pwr
32-SOP,55ns,L-pwr
32-SOP,55ns,LL-pwr
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32 - TSOP楼55ns , L- PWR
32 - TSOP楼55ns , LL- PWR
32 - TSOP楼为70ns , L- PWR
32 - TSOP楼为70ns , LL- PWR
32 TSOP R, 55ns ,L-压水堆
32 - TSOP R, 55ns , LL- PWR
32 - TSOP R,为70ns , L- PWR
32 - TSOP R,为70ns , LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns , L- PWR
32 - TSOP楼为70ns , LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns , L- PWR
32 - TSOP楼为100ns , LL- PWR
32 - TSOP R,为70ns , L- PWR
32 - TSOP R,为70ns , LL- PWR
32 TSOP的R,为100ns ,L-压水堆
32 - TSOP R,为100ns , LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns , L- PWR
32 - TSOP楼为70ns , LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns , L- PWR
32 - TSOP楼为100ns , LL- PWR
32 - TSOP R,为70ns , L- PWR
32 - TSOP R,为70ns , LL- PWR
32 TSOP的R,为100ns ,L-压水堆
32 - TSOP R,为100ns , LL- PWR
订购信息
KM6 8 ×1000 B X X X - XX X
L- Low低功耗,空白,低功率或高功率
访问时间: 5 = 55ns , 7 =为70ns , 10 = 100ns的
工作温度:空白= Commerial , I =工业级,E =扩展,
封装类型: P- DIP ,G = SOP , T = TSOP前进, R = TSOP反转
L-低功率或低低功耗,空白,大功率
模具版本: B = 3代
密度: 1000 =为1Mbit
银行= 5V ,V = 3.0 3.6V , U = 2.7 3.3V
组织: 8 = X8
美国证券交易委员会的标准SRAM
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
绝对最大额定值
*
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260
, 10秒(仅限铅)
单位
V
V
W
-
初步
CMOS SRAM
备注
-
-
-
-
KM681000BL/L-L
KM681000BLE/LE-L
KM681000BLI/LI-L
-
*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个stres唯一的等级和功能操作
器件在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
*
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
4.5
0
2.2
-0.5***
典型**
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
* 1 )商业产品:T已
A
= 0至70
除非另有规定
2 )扩展产品:T已
A
= -25 85
除非另有规定
3 )工业产品:T已
A
= -40 85
除非另有规定
** T
A
=25
*** V
IL
(分钟) = - 3.0V的
50ns的脉冲宽度
电容*
( F = 1MHz的,T
A
=25
)
输入电容
输入/输出电容
*电容采样不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
Vin=0V
Vio=0V
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
DC和工作特性
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
KM681000BL
KM681000BL-L
待机
电流( CMOS)的
KM681000BLE
KM681000BLE-L
KM681000BLI
KM681000BLI-L
I
SB1
V
OL
V
OH
I
SB
测试条件*
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或WE = V
白细胞介素,
V
IO =
V
ss
到V
cc
CS
1
=V
IL
, CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
, I
IO
=0mA
周期时间= 1
§
100 %的占空
CS
1
0.2V , CS
2
V
CC
-0.2V
I
IO
= 0毫安CS
1
=V
IL
, CS
2
=V
IH
分周期内, 100 %的占空
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH ,
CS
2
=V
IL
L(低功耗)
LL ( Low低功耗)
L(低功耗)
LL ( Low低功耗)
L(低功耗)
LL ( Low低功耗)
初步
CMOS SRAM
Mi
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
典型**
-
-
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
15**
10***
70
0.4
-
3
100
20
100
50
100
50
单位
§
§
mA
mA
mA
V
V
mA
CS
1
Vcc-0.2V
CS
2
VCC- 0.2V或
CS
2
0.2V
其他输入= 0 Vcc的
§
§
§
§
§
§
* 1 )商业产品:T已
A
= 0至70
, VCC = 5.0V
的10% ,除非另有说明
2 )扩展产品:T已
A
= -25 85
, VCC = 5.0V
的10% ,除非另有说明
2 )工业产品:T已
A
= -40 85
, VCC = 5.0V
的10% ,除非另有说明
** 20mA小于Exteneded和工业产品
*** 15毫安的扩展和工业产品
A.C特性
测试条件
( 1.测试负载和测试输入/输出参考) *
输入脉冲电平
输入&上升下降时间
输入和输出参考电压
输出负载(见右)
*请参阅DC操作条件
价值
0.8 2.4V
5ns
1.5V
C
L
=100pF+1TTL
备注
-
-
-
-
*包括范围和夹具电容
C
L
*
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
测试条件
( 2.温度和Vcc的条件)
产品系列
KM681000BL/L-L
KM681000BLE/LE-L
KM681000BLI/LI-L
温度
0~70
-25~85
-40~85
电源( VCC)
5.0V
10%
5.0V
10%
5.0V
10%
速度斌
55/70ns
70/100ns
70/100ns
初步
CMOS SRAM
评论
广告
EXTENDED
产业
参数列表中为每个SPEED BIN
速箱
参数表
符号
55ns
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
100ns
100
-
-
-
10
5
0
0
10
100
80
0
80
60
0
0
40
0
5
最大
-
100
100
50
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
CO1,
t
CO2
t
OE
t
LZ1,
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
初步
CMOS SRAM
概述
该KM681000B家庭是由三星先进的制造
CMOS工艺技术。该系列可支持各种
的工作温度范围和具有各种封装类型
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低
数据保持电压,用于电池后备低操作
数据保持电流。
工艺技术: 0.6
§-
CMOS
组织: 128Kx8
电源电压: 5.0V单
10%
低数据保持电压: 2V (最小值)
三态输出与TTL兼容
封装类型: JEDEC标准
32 - DIP , 32 - SOP , 32 - TSOP I R / F
产品系列
功耗
产品
家庭
KM681000BL
KM681000BL-L
KM681000BLE
KM681000BLE-L
KM681000BLI
KM681000BLI-L
Industrial(-40~85
)
70/100ns
Extended(-25~85
)
70/100ns
操作
温度
速度
PKG型
待机
(I
SB1
,最大值)
100
§
20
§
100
§
50
§
100
§
50
§
70mA
操作
(I
CC2
)
Commercial(0~7
)
55/70ns
32-DIP,32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
引脚说明
功能框图
A
0~3,
A
8~11
N.C
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
32-DIP
32-SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CS
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
I型 - 前进
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
V
SS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
y解码器
X解码器
A
4~7,
A
12~16
CELL
ARRAY
控制逻辑
CS
1
, CS
2
WE
,
OE
I / O
1
~
8
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
I / O缓冲器
32-TSOP
I型反转
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
CS
1
A
10
OE
名字
A
0
~A
16
WE
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
无连接
CS
1
, CS
2
OE
I / O
1
-I / O
18
VCC
VSS
N.C
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
产品列表&订购信息
产品列表
商用产品温度
(0~70
)
部件名称
KM681000BLP-5
KM681000BLP-5L
KM681000BLP-7
KM681000BLP-7L
KM681000BLG-5
KM681000BLG-5L
KM681000BLG-7
KM681000BLG-7L
KM681000BLT-5
KM681000BLT-5L
KM681000BLT-7
KM681000BLT-7L
KM681000BLR-5
KM681000BLR-5L
KM681000BLR-7
KM681000BLR-7L
初步
CMOS SRAM
扩展温度产品
(-25~85
)
部件名称
KM681000BLGE-7
KM681000BLGE-7L
KM681000BLGE-10
KM681000BLGE-10L
KM681000BLTE-7
KM681000BLTE-7L
KM681000BLTE-10
KM681000BLTE-10L
KM681000BLRE-7
KM681000BLRE-7L
KM681000BLRE-10
KM681000BLRE-10L
工业温度产品
(-40~85
)
部件名称
KM681000BLGI-7
KM681000BLGI-7L
KM681000BLGI-10
KM681000BLGI-10L
KM681000BLTI-7
KM681000BLTI-7L
KM681000BLTI-10
KM681000BLTI-10L
KM681000BLRI-7
KM681000BLRI-7L
KM681000BLRI-10
KM681000BLRI-10L
功能
32-DIP,55ns,L-pwr
32-DIP,55ns,LL-pwr
32-DIP,70ns,L-pwr
32-DIP,70ns,LL-pwr
32-SOP,55ns,L-pwr
32-SOP,55ns,LL-pwr
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32 - TSOP楼55ns , L- PWR
32 - TSOP楼55ns , LL- PWR
32 - TSOP楼为70ns , L- PWR
32 - TSOP楼为70ns , LL- PWR
32 TSOP R, 55ns ,L-压水堆
32 - TSOP R, 55ns , LL- PWR
32 - TSOP R,为70ns , L- PWR
32 - TSOP R,为70ns , LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns , L- PWR
32 - TSOP楼为70ns , LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns , L- PWR
32 - TSOP楼为100ns , LL- PWR
32 - TSOP R,为70ns , L- PWR
32 - TSOP R,为70ns , LL- PWR
32 TSOP的R,为100ns ,L-压水堆
32 - TSOP R,为100ns , LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns , L- PWR
32 - TSOP楼为70ns , LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns , L- PWR
32 - TSOP楼为100ns , LL- PWR
32 - TSOP R,为70ns , L- PWR
32 - TSOP R,为70ns , LL- PWR
32 TSOP的R,为100ns ,L-压水堆
32 - TSOP R,为100ns , LL- PWR
订购信息
KM6 8 ×1000 B X X X - XX X
L- Low低功耗,空白,低功率或高功率
访问时间: 5 = 55ns , 7 =为70ns , 10 = 100ns的
工作温度:空白= Commerial , I =工业级,E =扩展,
封装类型: P- DIP ,G = SOP , T = TSOP前进, R = TSOP反转
L-低功率或低低功耗,空白,大功率
模具版本: B = 3代
密度: 1000 =为1Mbit
银行= 5V ,V = 3.0 3.6V , U = 2.7 3.3V
组织: 8 = X8
美国证券交易委员会的标准SRAM
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
绝对最大额定值
*
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260
, 10秒(仅限铅)
单位
V
V
W
-
初步
CMOS SRAM
备注
-
-
-
-
KM681000BL/L-L
KM681000BLE/LE-L
KM681000BLI/LI-L
-
*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个stres唯一的等级和功能操作
器件在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
*
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
4.5
0
2.2
-0.5***
典型**
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
* 1 )商业产品:T已
A
= 0至70
除非另有规定
2 )扩展产品:T已
A
= -25 85
除非另有规定
3 )工业产品:T已
A
= -40 85
除非另有规定
** T
A
=25
*** V
IL
(分钟) = - 3.0V的
50ns的脉冲宽度
电容*
( F = 1MHz的,T
A
=25
)
输入电容
输入/输出电容
*电容采样不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
Vin=0V
Vio=0V
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
DC和工作特性
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
KM681000BL
KM681000BL-L
待机
电流( CMOS)的
KM681000BLE
KM681000BLE-L
KM681000BLI
KM681000BLI-L
I
SB1
V
OL
V
OH
I
SB
测试条件*
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或WE = V
白细胞介素,
V
IO =
V
ss
到V
cc
CS
1
=V
IL
, CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
, I
IO
=0mA
周期时间= 1
§
100 %的占空
CS
1
0.2V , CS
2
V
CC
-0.2V
I
IO
= 0毫安CS
1
=V
IL
, CS
2
=V
IH
分周期内, 100 %的占空
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH ,
CS
2
=V
IL
L(低功耗)
LL ( Low低功耗)
L(低功耗)
LL ( Low低功耗)
L(低功耗)
LL ( Low低功耗)
初步
CMOS SRAM
Mi
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
典型**
-
-
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
15**
10***
70
0.4
-
3
100
20
100
50
100
50
单位
§
§
mA
mA
mA
V
V
mA
CS
1
Vcc-0.2V
CS
2
VCC- 0.2V或
CS
2
0.2V
其他输入= 0 Vcc的
§
§
§
§
§
§
* 1 )商业产品:T已
A
= 0至70
, VCC = 5.0V
的10% ,除非另有说明
2 )扩展产品:T已
A
= -25 85
, VCC = 5.0V
的10% ,除非另有说明
2 )工业产品:T已
A
= -40 85
, VCC = 5.0V
的10% ,除非另有说明
** 20mA小于Exteneded和工业产品
*** 15毫安的扩展和工业产品
A.C特性
测试条件
( 1.测试负载和测试输入/输出参考) *
输入脉冲电平
输入&上升下降时间
输入和输出参考电压
输出负载(见右)
*请参阅DC操作条件
价值
0.8 2.4V
5ns
1.5V
C
L
=100pF+1TTL
备注
-
-
-
-
*包括范围和夹具电容
C
L
*
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
测试条件
( 2.温度和Vcc的条件)
产品系列
KM681000BL/L-L
KM681000BLE/LE-L
KM681000BLI/LI-L
温度
0~70
-25~85
-40~85
电源( VCC)
5.0V
10%
5.0V
10%
5.0V
10%
速度斌
55/70ns
70/100ns
70/100ns
初步
CMOS SRAM
评论
广告
EXTENDED
产业
参数列表中为每个SPEED BIN
速箱
参数表
符号
55ns
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
100ns
100
-
-
-
10
5
0
0
10
100
80
0
80
60
0
0
40
0
5
最大
-
100
100
50
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
CO1,
t
CO2
t
OE
t
LZ1,
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
修订版0.3
1996年4月
查看更多KM681000BLGE-7PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    KM681000BLGE-7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    KM681000BLGE-7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    KM681000BLGE-7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息

电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
KM681000BLGE-7
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
KM681000BLGE-7
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
KM681000BLGE-7
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
KM681000BLGE-7
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
KM681000BLGE-7
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
KM681000BLGE-7
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KM681000BLGE-7
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KM681000BLGE-7
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
KM681000BLGE-7
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:82571829 29059095 83798256 82786758 82577629
联系人:曾小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路2008号华联发综合楼810-812
KM681000BLGE-7
M/A-COM
23+
12556
假一赔十
专业渠道商二十年,原厂原装正品公司现货欢迎咨询订购QQ:1925232495
查询更多KM681000BLGE-7供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司