本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
L7C108
L7C109
128K ×8静态RAM
特点
128K ×8与片内静态RAM
选择掉电，输出使能
和单或双芯片选择
最大到15 ns的 - 高速
操作电源， -L版本
主动：140毫安15纳秒
待机：最大1毫安
在2 V的电池数据保留
备份操作
筛选，以MIL -STD - 883 ， B类
或SMD 5962-89598
封装类型：
引脚配置
32引脚陶瓷DIP
32引脚陶瓷SOJ
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
32引脚四方CLCC
A
2
A
1
A
0
NC
V
CC
A
16
NC
32引脚陶瓷LCC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
顶部
意见
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
DQ
8
14 15 16 17 18 19 20
概观
该L7C108和L7C109是高性
曼斯，低功耗CMOS静态RAM 。
所述存储电路被组织成
131,072字每字8位。该
8数据输入和数据输出信号共用I / O
销。该L7C108具有单个主动 -
小芯片使能。该L7C109有两个
器件采用三种速度可
从15 ns的最大访问时间
到45纳秒。
输入和输出为TTL兼容。
操作是从一个单一的+ 5V电源
供应量。功耗是140毫安
保留在不活跃的存储与供给
电压低至2 V.
该L7C108和L7C109提供异步
匹配的访问和周期时间。该
芯片使能和三态I / O总线
一个单独的输出使能控制
简化的几个芯片的连接
用于增加存储容量。
内存位置被指定的
地址引脚
0
至A
16
。对于
L7C108 ，从指定的读取
位置是通过呈现完成
荷兰国际集团的地址及驾驶CE
1
和OE
低，而我们仍然很高。对于
L7C109 ，CE
1
和OE必须是低
而CE
2
而我们在HIGH.The数据
被寻址的存储位置，然后将
出现在一个范围内的数据输出引脚
访问时间。输出引脚留在
当CE为高阻态
1
或OE是
高，或CE
2
写入到所寻址的位置是
完成时，低电平有效的CE
1
和WE输入端都是低电平，和CE
2
可用于终止写能操作
通报BULLETIN 。数据输入和数据输出信号具有
相同的极性。
闭锁和静电放电保护
被提供在芯片上。该L7C108和
L7C109能承受的电流注入
高达200 mA的任何引脚租金不
损害。
DQ
2
DQ
3
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
逻辑器件股份有限公司
www.logicdevices.com
1
1M静态RAM
2012年2月17日LDS - L7C108 / 9 -G
L7C108
L7C109
128K ×8静态RAM
L7C108-109框图
行选择
ROW
地址
9
128的K× 8
存储阵列
CE1
WE
OE
CE2
（仅L7C109 ）
控制
列选择
& COLUMN SENSE
8
I / O
7 - 0
8
列地址
T
RUTH
T
ABLE
模式
待机
待机
待机
待机
读
读
写
*
注意：
对于L7C109只
OE
X
X
X
X
L
H
X
CE1
V
IH
X
V
CC
- 0.2 V
X
L
L
L
CE2*
X
V
IL
X
G
ND
+ 0.2 V
H
H
H
WE
X
X
X
X
H
H
L
DQ
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
动力
I
I
I
I
活跃
高 - z
D
活跃
活跃
逻辑器件股份有限公司
www.logicdevices.com
2
1M静态RAM
2012年2月17日LDS - L7C108 / 9 -G
L7C108
L7C109
128K ×8静态RAM
M
AXIMUM
R
ATINGS
以上这些有用的生命可能受到损害（注1,2 ）
存储温度................................................ ...... 。 ...... ............ ...... -65 ° C至+ 150°C
工作环境温度............................................. ...... ... ....... ... -55 ° C至+ 125°C
Vcc电源电压相对于地............... 。 ........................ ....... ... 。 - 0.5 V至7.0 V
输入信号相对于地面。 .............................. 。 .................. .. ... .. ... -3.0 V至7.0 V
信号应用于高阻抗输出.......................................... ........ ... -3.0 V至7.0 V
输出电流转换成低输出........................... 。 ... ...................... ...... 25毫安
闭锁current….........................……………..…………………………...……................ >200毫安
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
为了满足规定的电气和开关特性
模式
活跃，操作上，军事
数据保留，军事
温度范围（环境）
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
电源电压
4.5 V
2.0 V
V
CC
V
CC
5.5 V
5.5 V
E
LECTRICAL
C
极特
在工作条件（注5 ）
L7C108/109
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
输出高电压
输出低电压
输入高电压
L7C108/109-L
民
2.4
测试条件
V
CC
= 4.5V,
I
OH
= -4毫安
I
OL
= 8毫安
民
2.4
最大
0.4
最大
单位
V
V
V
0.4
2.2
VCC
+0.3
-3.0
-10
-10
0.8
+10
+10
25
5
0.75
8
8
2.2
VCC
+0.5
V
IL
I
Ix
I
OZ
I
CC2
I
CC3
I
CC4
C
IN
C
OUT
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
目前， TTL待机
V
CC
目前，
CMOS
待机
V
CC
目前，数据保留
输入电容
输出电容
V
CC
=
环境温度= 25 ° C，
V
CC
= 5 V
GND
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
-0.5
-10
-10
0.8
+10
+10
25
10
-
8
8
V
μA
μA
mA
mA
mA
pF
pF
L7C108/109
符号参数
I
CC1
V
CC
当前，有源
L7C108/109-L
45
15
20
25
35
45单位
mA
测试条件
15
140
20
25
35
140 140 135 125
140 140
140 130 125
逻辑器件股份有限公司
www.logicdevices.com
3
1M静态RAM
2012年2月17日LDS - L7C108 / 9 -G
L7C108
L7C109
128K ×8静态RAM
开关特性
在整个工作范围
R
EAD
C
YCLE
注意事项5 ， 11 ， 12 ， 22 ， 23 ， 24 （ NS ）
L7C108/109
15/15-L 20/20-L 25/25-L
符号参数
t
AVAV
t
t
t
t
t
t
t
t
t
PU
0
输出使能低到输出有效
0
6
0
3
7
8
0
6
0
地址更改为输出变化
3
15
3
8
10
0
10
0
读周期时间
15
15
3
20
3
10
10
0
15
0
20
20
3
25
3
15
15
0
20
25
25
3
35
3
20
20
35/35-L 45/45-L
35
35
3
45
45
45
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
R
EAD
C
YCLE
- A
地址H1
C
ONTROLLED
注释13 ， 14
t
AVAV
地址
t
AVQV
数据输出
以前的数据有效
数据有效
t
AVQX
t
PU
I
CC
t
PD
R
EAD
C
YCLE
- CE / OE
ONTROLLED
N
OTES
13, 15
CE
t
AVAV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
OE
t
GLQX
数据输出
高阻抗
t
GLQV
数据有效
t
GHQZ
高
阻抗
t
PU
ICC
50%
t
PD
50%
逻辑器件股份有限公司
www.logicdevices.com
4
1M静态RAM
2012年2月17日LDS - L7C108 / 9 -G
L7C108
L7C109
128K ×8静态RAM
开关特性
在整个工作范围
R
EAD
C
YCLE
注意事项5 ， 11 ， 12 ， 22 ， 23 ， 24 （ NS ）
L7C108/109
15/15-L 20/20-L 25/25-L 35/35-L 45/45-L
符号
t
PD
t
CDR
0
参数
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
0
20
0
25
0
35
0
45
D
ATA
R
ETENTION
笔记9,10
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CE
4.5 V
4.5 V
≥2V
t
PD
V
IH
V
IH
W
RITE
C
YCLE
注意事项5 ， 11 ， 12 ， 22 ， 23 ， 24 （ NS ）
L7C108/109
15/15-L 20/20-L 25/25-L 35/35-L 45/45-L
符号
t
AVAV
t
ELWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WHAX
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
t
t
参数
写周期时间
芯片使能低到结束写周期
地址有效到写周期的开始
地址设置为写周期结束
写入结束后地址保持
写使能脉冲宽度低
数据建立到写周期结束
数据保持到结束写入的
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
12
0
15
0
12
7
0
5
7
20
12
0
17
0
15
10
0
5
8
25
20
0
20
0
20
12
0
5
10
35
25
0
25
0
30
20
0
5
25
45
35
0
35
0
40
20
0
5
30
逻辑器件股份有限公司
www.logicdevices.com
5
1M静态RAM
2012年2月17日LDS - L7C108 / 9 -G
