LX1677
TM
AMD64处理器VRM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
描述
主要特点
大电流双相
手术
输出，低至0.800V
双相负载共享
TM
瞬态校正环路
减少了所需
电容
差分放大器
远端电压传感
集成高电流
MOSFET驱动器
200kHz至1MHz的频率
手术
可编程转换速率
对于控制启动顺序
和VID变化
VID变化对飞
电源良好指示器
短路保护
输出过压和
欠压保护
无需电流检测电阻器
应用
该LX1677是一款高度集成的
VRM电源控制器IC
配备两个PWM开关
调节阶段。
这两个恒定频率
电压模式PWM相位
配置为单个双相高
电流输出核心供电。
在两相运行时，高
电流（ >35A ）输出由产生的
一个负载共享
TM
技术，
平衡的2的电流
阶段。功率损耗和噪声，由于
输入电容的ESR ，是
通过操作的PWM最小化
180 °的相位差。
A
同步
短暂
更正
环
提供
输出的异常控制
下垂并在非常高的超调
di / dt的负载变化时，电路可以是
配置为仅下垂，过冲
只或两者。
该架构还减少
电容
需求
而
最大限度地发挥调节器的响应。
一个真正的差分输入放大器
用于远程电压感应的
处理器核心。
一个VID代码生成提供了一个
内部参考，将设置
输出电压。这个VID代码可以
动作和过程中改变
引用会杀了输出电压
在预设速度的新设置。中
在飞行中的电源良好VID变化
指示将保持有效。
电流通过下部相
1 MOSFET将利用其进行采样
R
DS （ ON）
对于限流和关闭
下来。
为了进一步保护，过
电压电路将在指定的跳闸
制定和通过转动钳位输出
关的上MOSFET和接通
下MOSFET管。
上面的MOSFET驱动器使用
自举电容器，以提供在上
在输入电压的驱动电压
且具有6至24伏。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
受美国专利： US6292378 ， US6285571
受美国专利： US6825571 ， US6356063 ， US6605931
AMD速龙 64和AMD
皓龙处理器
处理器核心电压供应
稳压器模块
产品集锦
牛逼R A N s个，即N t个C 0 权证蒂奥N L O O P
V在+ 5 V
V在4月6日至二日V
70nH
5 B是V ID
LX1677
V在4月6日至二日V
VOUT
LX1677
LX1677
包装订购信息
T
J
(°C)
0到70
PW
塑料TSSOP
38-Pin
LX1677CPW
LQ
塑料MLPQ
38-Pin
LX1677CLQ
符合RoHS /无铅过渡DC ： 0518
符合RoHS /无铅过渡DC ： 0512
注：可在磁带&卷轴。追加字母“ TR”的零件编号。 （即LX1677CLQ - TR ）
版权
2000
1.1版， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
第1页
LX1677
TM
AMD64处理器VRM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
绝对最大额定值
封装引脚
WWW .
Microsemi的
.C
OM
注：超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端
.
x
表示相应的销指示符1，2，或3个
热数据
LQ
塑料MLPQ 38引脚
8°C/W
35°C/W
热阻
-
结到
C
日月光
,
θ
JC
热阻
-
结到
A
MBIENT
,
θ
JA
PW
塑料TSSOP 38引脚
12.2°C/W
38°C/W
热阻
-
结到
C
日月光
,
θ
JC
热阻
-
结到
A
MBIENT
,
θ
JA
EA2-
EO2
FB +
FB-
DFOUT
EO1
EA1-
DACOUT
PWGD
GND
VIN
ROSC
ENA
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VS2
1
VID2
VID1
VID0
VS2
HO2
VC2
VCC
电源输入电压（ VCCL ， VCC ） .......................................... ......- 0.3V至6.0V
电池输入电压（ VIN ） ............................................ ..................- 0.3V至24V
限流检测（ ILIM1 ， ILIM3 ） .......................................... ......- 0.3V至30V
上部驱动器电源输入电压（ VC1 ， VC2 ， VC3 ） ........ -0.3到VSX + 6.0V
上部驱动器返回输入电压（ VS1 ， VS2 ） ................................- 5V至24V
差分检测输入电压（ FB + ， FB - ） ....................................- 0.3V至6.0V
VID0 - VID4 ，输入电压............................................ ...................- 0.3V至6V
高边驱动器峰值（ <500ns ）电流（ 110 1 / 2 ， I- MAX ） ............................ + 1A
低端驱动器峰值（ <500ns ）灌电流（ LO1 / 2 ， I- MIN） .................... + 1.5A
工作结温............................................... ................... 150℃
存储温度范围............................................... ............- 65 ℃至150 ℃的
引线温度（焊接10秒） ........................................... ....... 300℃
符合RoHS峰值包回流焊温度
（40次大曝光） ............................................ ......... 260 ° C（ 0 ， -5 ）
FB +
EO2
EA2-
LP2
LP1
ILIM1
FB-
DFOUT
EO1
EA1-
DACOUT
PWGD
GND
VIN
ROSC
ENA
VID4
VID3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
38
37 36
35
34
33
32
ILIM3
31
30
29
28
27
连接至底部
电源GND
26
25
24
23
22
21
13
14
15
16
17
18
19
20
VS3
I- MAX
VC3
VC1
HO1
VS1
LO1
PGN
LO2
VCCL
I- MIN
PGN3
LQ P
ACKAGE
（ TOP VIEW ）
38
19
20
（ TOP VIEW ）
LP2
LP1
ILIM1
ILIM3
VS3
I- MAX
VC3
VC1
HO1
VS1
LO1
PGN
LO2
VCCL
I- MIN
PGN3
VCC
VC2
HO2
PW P
ACKAGE
符合RoHS /无铅100 ％雾锡铅完成
结温计算：T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
该
θ
JA
数字是该设备/ PC板系统的热性能的准则。所有的
上述假设没有环境空气流通。
推荐工作条件
参数
IC输入电源电压
电池输入电压
双相顶边驱动电压回报
短暂的调整阶段驱动程序返回电压
符号
VCC
VIN
VS1 ， VS2
VS3
LX1677
民
典型值
4.5
5.7
0
0
单位
V
V
V
V
最大
5.5
24.0
24.0
5.5
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
版权
2000
1.1版， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
第2页
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TM
AMD64处理器VRM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
功能引脚说明
名字
FB +
FB-
DFOUT
EA1-
EO1
GND
ROSC
ENA
DACOUT
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PWGD
VCC
VC3
PGN3
I- MIN
VS3
I- MAX
ILIM3
LP1
EA2-
EO2
LP2
VIN
LO2
VS2
HO2
VC2
PGN
LO1
ILIM1
VS1
HO1
VC1
VCCL
描述
差分放大器同相输入 - 反馈输出
差分放大器负输入 - 反馈输出
差分放大器输出
第1阶段误差放大器负输入
第1阶段误差放大器输出
模拟地
一个电阻接地设置PWM频率
使能输入 - 逻辑低电平禁止所有的转换阶段
DAC输出电压 - 50uA的双向电流源
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
电源良好输出引脚 - 开漏输出引脚的电源良好指示。高=电源良好
IC电源电压。标称+ 5V
供应瞬态校正相上MOSFET驱动器，自举电压
电源接地引脚的瞬态校正环路驱动程序
输出驱动器的低瞬态校正环路MOSFET
上部驱动器的低压侧瞬态校正环路 - MOSFET驱动器电源回路
输出驱动器为高瞬态校正环路MOSFET
瞬态校正环路电流检测 - 一个电阻器设定的上限为过流检测和关闭。
第2阶段差分放大器正输入端，从第一阶段的输出滤波的反馈
第二阶段积分放大器负输入
的阶段2积分放大器的输出
第2阶段差分放大器负输入端，从第2阶段的输出滤波的反馈
电池电压输入。
驱动器输出相2下MOSFET
上部栅极驱动器的低侧为第2阶段。
驱动器输出相2上MOSFET
供应相2上MOSFET驱动器，自举电压
电源接地引脚为低MOSFET的R电流检测
DS （ ON）
第1阶段。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
驱动器输出相1下MOSFET管
过流限制设置 - 一个电阻设置了过电流检测上限和关闭。
上部栅极驱动器的低侧相＃1 。
驱动器输出相1上MOSFET
供应相1上MOSFET驱动器，自举电压
电压总线为低MOSFET驱动器。标称+ 5V
版权
2000
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AMD64处理器VRM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
电气特性
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度0°C
≤
T
A
≤
70℃下，除非
另外注明，并在以下测试条件： VCC = 5V ， VCCL = 5V ， VIN = 12V ，开关频率= 500KHz的。
参数
调节器
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
测试条件
ENA = VCC ， FB + = FB-
ENA = GND
ENA = VCC ， FB + = FB-
ENA = VCC ， FB + = FB-
共模电压（V
CM
) = 1.4V
民
1
LX1677
典型值
5
0.5
2
最大
9
1
1
4
6
100
单位
mA
A
mA
mA
mV
nA
dB
V
V
兆赫
IC电源电流
低端驱动器工作
当前
高侧驱动器工作
当前
误差放大器：第1阶段
I
Q（ VCC ）
I
Q（ VCCL ）
I
Q（ VCX ）
V
OS
I
EA1
V
ICM
V
EO1(MAX)
V
EO1(MIN)
UGBW
V
OS
A
DA
CMRR
DA
R
IN
V
CM
V
DFOUT （MAX）中
V
DFOUT （MIN）
UGBW
SR
f
最大
f
民
输入失调电压
输入偏置电流
直流开环增益
输入共模范围
输出电压摆幅
单位增益带宽
差分放大器
CMRR > 50分贝
I
EA1
= 2毫安
I
EA1
= -20A
-6
-100
60
0.8
70
2.5
4.0
0.15
20
0.5
输入失调电压
收益
共模抑制比
输入阻抗
输入共模范围
源出/吸入电流
输出电压摆幅
单位增益带宽
压摆率
振荡器
V
CM
=1.4V
0.8V ＆ LT ; V
CM
＆ LT ; 2.5V
测量FB +输入
-6
0.99
1
65
30
5
4.0
0.2
10
5
6
1.01
0
V
DFOUT
= 0V
I
DFOUT
= 2毫安
I
EA1
= -20A
3
mV
V/V
dB
K
V
mA
V
兆赫
V / μs的
最大时钟频率
最低时钟频率
频率稳定度
PWM输出
R
PWM
=10k
R
PWM
=50k
0.9
150
1
200
4
1.1
220
兆赫
千赫
%
%
nS
nS
V
最大占空比
最小脉冲宽度
死区时间
斜坡幅度
第2阶段积分放大器
DC
最大
t
的PWM （MIN）
V
坡道
在瞬态校正开关
瞬态校正不转换
3000pF的负载
3000pF的负载在VCCL 50 ％
VIN = 6V
VIN = 12
VIN = 24V
V
CM
=1.4V
I
EA2
= 2毫安
I
EA2
= -20A
40
50
60
80
0.70
1.40
2.80
100
50
200
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
输入失调电压
直流开环增益
输出电压摆幅
单位增益带宽
V
OS
V
EO2(MAX)
V
EO2(MIN)
UGBW
-6
70
4.0
0.15
20
6
mV
dB
V
兆赫
0.5
版权
2000
1.1版， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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TM
AMD64处理器VRM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
电气特性（续）
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度0°C
≤
T
A
≤
70℃下，除非
另外注明，并在以下测试条件： VCC = 5V ， VCCL = 5V ， VIN = 12V ，开关频率= 500KHz的。
参数
PHASE 2差动放大器
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
OS
A
DA
CMRR
DA
R
B
UGBW
LP1=LP2
测试条件
民
-6
0.98
LX1677
典型值
最大
6
1.02
单位
mV
V/V
dB
K
兆赫
输入失调电压
收益
共模抑制比
输入阻抗
单位增益带宽
瞬态控制回路
共模电压= 0至2 V
1
60
180
4
电压降检测
传播延迟： FB +和
FB-以I- MAX
过冲电压检测
传播延迟： FB +和
FB-到I- MIN
电压跌落检测门限
过冲电压检测
门槛
输出驱动器
50
nS
50
V
DFOUT
瑞星3000pF的负载
V
DFOUT
落3000pF的负载
40
40
nS
mV
mV
司机
上升时间
下降时间
高侧驱动器电压：
[V
HOX
- V
VSX
]
驱动高
驱动低
低端驱动器电压：
[V
LOX
– V
PGN
]
驱动高
驱动低
高侧驱动器电流
较低的MOSFET驱动器电流
电流检测偏置电流
电流检测延迟
电流检测偏置电流
电流检测延迟
逻辑低阈值
迟滞
上拉电阻
电源良好
t
上升
t
秋天
CL = 3000pF的， VCX - VSX = 5V
50
50
nS
V
HOX
= 20mA时， VCX - VSX = 5.0 V
V
HOX
= -20mA ， VCX - VSX = 5.0 V
4.8
4.9
0.1
V
0.2
V
0.2
A
A
I
HOX
I
LOX
V
LOX
= 20mA时， VCCL - VPGN = 5.0 V
V
LOX
= -20mA ， VCCL - VPGN = 5.0 V
VCX - VSX = 5.0 V ，负载= 3300pf在
<500nSec
VCCL - PGN = 5.0 V ，负载= 3300pf在
<500nSec
4.8
4.9
0.1
1
1.5
第1阶段过流保护
I
ILIM1
t
CSD(ILIM1)
I
ILIM3
t
CSD(ILIM3)
44
200
40
200
50
400
50
400
1.5
0.3
100
60
500
60
500
A
nS
A
nS
瞬态校正环路过电流保护
使能输入/电压识别（ VID ）
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
V
V
K
V
低输出电压
V
PWGD
I
PWGD
= -3mA
0.5
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2000
1.1版， 2003-03-03
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LX1677
I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
AMD Hammer VRM控制器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
描述
主要特点
大电流双相
手术
输出，低至0.800V
双相负载共享
TM
瞬态校正环路
减少了所需
电容
差分放大器
远端电压传感
集成高电流
MOSFET驱动器
200kHz至1MHz的频率
手术
可编程转换速率
对于控制启动顺序
和VID变化
VID变化对飞
电源良好指示器
短路保护
输出过压和
欠压保护
无需电流检测电阻器
应用
该LX1677是一款高度集成的
VRM电源控制器IC
配备两个PWM开关
调节阶段。
这两个恒定频率
电压模式PWM相位
配置为单个双相高
电流输出核心供电。
在两相运行时，高
电流（ >35A ）输出由产生的
一个负载共享
TM
技术，
平衡的2的电流
阶段。功率损耗和噪声，由于
输入电容的ESR ，是
通过操作的PWM最小化
180 °的相位差。
A
同步
短暂
更正
环
提供
输出的异常控制
下垂并在非常高的超调
di / dt的负载变化时，电路可以是
配置为仅下垂，过冲
只或两者。
该架构还减少
电容
需求
而
最大限度地发挥调节器的响应。
一个真正的差分输入放大器
用于远程电压感应的
处理器核心。
一个VID代码生成提供了一个
内部参考，将设置
输出电压。这个VID代码可以
动作和过程中改变
引用会杀了输出电压
在预设速度的新设置。中
在飞行中的电源良好VID变化
指示将保持有效。
电流通过下部相
1 MOSFET将利用其进行采样
R
DS （ ON）
对于限流和关闭
下来。
为了进一步保护，过
电压电路将在指定的跳闸
制定和通过转动钳位输出
关的上MOSFET和接通
下MOSFET管。
上面的MOSFET驱动器使用
自举电容器，以提供在上
在输入电压的驱动电压
且具有6至24伏。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
AMD Hammer处理器
核心电压供应
稳压器模块
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
我们bsite ：
http://www.microsemi.com
专利号US6292378 ， US6285571 ， US6356063
产品集锦
牛逼R A N s个，即N t个C 0 权证蒂奥N L O O P
V在+ 5 V
V在4月6日至二日V
70nH
5 B是V ID
LX1677
V在4月6日至二日V
VOUT
LX1677
LX1677
包装订购信息
T
J
(°C)
0到70
PW
38-Pin
塑料TSSOP
LQ
38-Pin
塑料MLPQ
LX1677-CPW
LX1677-CLQ
注：可在磁带&卷轴。
追加字母“ T”的零件编号。
（即LX1677 - CLQT ）
版权
2000
REV 0.2 ， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
第1页
LX1677
I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
AMD Hammer VRM控制器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
绝对最大额定值
封装引脚
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电源输入电压（ VCCL ， VCC ） .......................................... ......- 0.3V至6.0V
电池输入电压（ VIN ） ............................................ ..................- 0.3V至36V
限流检测（ ILIM1 ， ILIM3 ） .......................................... ......- 0.3V至36V
上部驱动器电源输入电压（ VC1 ， VC2 ， VC3 ） ........ -0.3到VSX + 6.0V
上部驱动器返回输入电压（ VS1 ， VS2 ） ................................- 5V至36V
差分检测输入电压（ FB + ， FB - ） ....................................- 0.3V至6.0V
VID0 - VID4 ，输入电压............................................ ...................- 0.3V至6V
高边驱动器峰值（ <500ns ）电流（ 110 1 / 2 ， I- MAX ） ............................ + 1A
低端驱动器峰值（ <500ns ）灌电流（ LO1 / 2 ， I- MIN） .................... + 1.5A
工作结温............................................... ................... 150℃
存储温度范围............................................... ............- 65 ℃至150 ℃的
引线温度（焊接10秒） ........................................... ....... 300℃
注：超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端
.
x
表示相应的销指示符1，2，或3个
EA2-
LP2
LP1
ILIM1
36
35
34
33
FB-
DFOUT
EO1
EA1-
DACOUT
PWGD
GND
VIN
ROSC
ENA
VID4
VID3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
38
37
32
ILIM3
FB +
EO2
31
30
29
28
27
连接至底部
电源GND
26
25
24
23
22
21
13
14
15
16
17
18
19
20
VS3
I- MAX
VC3
VC1
HO1
VS1
LO1
PGN
LO2
VCCL
I- MIN
PGN3
LQ P
ACKAGE
（ TOP VIEW ）
热数据
LQ
塑料MLPQ 38引脚
8°C/W
35°C/W
热阻
-
结到
C
日月光
,
θ
JC
热阻
-
结到
A
MBIENT
,
θ
JA
PW
塑料TSSOP 38引脚
12.2°C/W
38°C/W
热阻
-
结到
C
日月光
,
θ
JC
热阻
-
结到
A
MBIENT
,
θ
JA
结温计算：T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
该
θ
JA
数字是该设备/ PC板系统的热性能的准则。所有的
上述假设没有环境空气流通。
FB-
DFOUT
EO1
EA1-
DACOUT
PWGD
GND
VIN
ROSC
ENA
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VS2
H02
VC2
VCC
1
VID1
VID0
VS2
HO2
VC2
VCC
38
20
VID2
19
FB +
EO2
EA2-
LP2
LP1
ILIM1
ILIM3
VS3
I- MAX
VC3
VC1
HO1
VS1
LO1
PGN
LO2
VCCL
I- MIN
PGN3
PW P
ACKAGE
（ TOP VIEW ）
推荐工作条件
参数
IC输入电源电压
电池输入电压
双相顶边驱动电压回报
短暂的调整阶段驱动程序返回电压
符号
VCC
VIN
VS1 ， VS2
VS3
LX1677
民
典型值
4.5
5.7
0
0
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
最大
5.5
25.2
25.2
5.5
单位
V
V
V
V
版权
2000
REV 0.2 ， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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LX1677
I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
AMD Hammer VRM控制器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
功能引脚说明
名字
FB +
FB-
DFOUT
EA1-
EO1
GND
ROSC
ENA
DACOUT
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PWGD
VCC
VC3
PGN3
I- MIN
VS3
I- MAX
ILIM3
LP1
EA2-
EO2
LP2
VIN
LO2
VS2
HO2
VC2
PGN
LO1
ILIM1
VS1
HO1
VC1
VCCL
描述
差分放大器同相输入 - 反馈输出
差分放大器负输入 - 反馈输出
差分放大器输出
第1阶段误差放大器负输入
第1阶段误差放大器输出
模拟地
一个电阻接地设置PWM频率
使能输入 - 逻辑低电平禁止所有的转换阶段
DAC输出电压 - 50uA的双向电流源
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
数字输入的VID代码 - 有一个内部上拉电阻
电源良好输出引脚 - 开漏输出引脚的电源良好指示。高=电源良好
IC电源电压。标称+ 5V
供应瞬态校正相上MOSFET驱动器，自举电压
电源接地引脚的瞬态校正环路驱动程序
输出驱动器的低瞬态校正环路MOSFET
上部驱动器的低压侧瞬态校正环路 - MOSFET驱动器电源回路
输出驱动器为高瞬态校正环路MOSFET
瞬态校正环路电流检测 - 一个电阻器设定的上限为过流检测和关闭。
第2阶段差分放大器正输入端，从第一阶段的输出滤波的反馈
第二阶段积分放大器负输入
的阶段2积分放大器的输出
第2阶段差分放大器负输入端，从第2阶段的输出滤波的反馈
电池电压输入。
驱动器输出相2下MOSFET
上部栅极驱动器的低侧为第2阶段。
驱动器输出相2上MOSFET
供应相2上MOSFET驱动器，自举电压
电源接地引脚为低MOSFET的R电流检测
DS （ ON）
第1阶段。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
驱动器输出相1下MOSFET管
过流限制设置 - 一个电阻设置了过电流检测上限和关闭。
上部栅极驱动器的低侧相＃1 。
驱动器输出相1上MOSFET
供应相1上MOSFET驱动器，自举电压
电压总线为低MOSFET驱动器。标称+ 5V
版权
2000
REV 0.2 ， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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LX1677
I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
AMD Hammer VRM控制器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度0°C
≤
T
A
≤
70℃下，除非
另外注明，并在以下测试条件： VCC = 5V ， VCCL = 5V ， VIN = 12V ，开关频率= 500KHz的。
参数
调节器
电气特性
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
测试条件
ENA = VCC ， FB + = FB-
ENA = GND
ENA = VCC ， FB + = FB-
ENA = VCC ， FB + = FB-
共模电压（V
CM
) = 1.4V
民
1
LX1677
典型值
5
0.5
2
最大
9
1
1
4
6
100
单位
mA
A
mA
mA
mV
nA
dB
V
V
兆赫
IC电源电流
低端驱动器工作
当前
高侧驱动器工作
当前
误差放大器：第1阶段
I
Q（ VCC ）
I
Q（ VCCL ）
I
Q（ VCX ）
V
OS
I
EA1
V
ICM
V
EO1(MAX)
V
EO1(MIN)
UGBW
V
OS
A
DA
CMRR
DA
R
IN
V
CM
V
DFOUT （MAX）中
V
DFOUT （MIN）
UGBW
SR
f
最大
f
民
输入失调电压
输入偏置电流
直流开环增益
输入共模范围
输出电压摆幅
单位增益带宽
差分放大器
CMRR > 50分贝
I
EA1
= 2毫安
I
EA1
= -20uA
-6
-100
60
0.8
70
2.5
4.0
0.15
20
0.5
输入失调电压
收益
共模抑制比
输入阻抗
输入共模范围
源出/吸入电流
输出电压摆幅
单位增益带宽
压摆率
振荡器
V
CM
=1.4V
0.8V ＆ LT ; V
CM
＆ LT ; 2.5V
测量FB +输入
-6
0.99
1
65
30
5
4.0
0.2
10
5
6
1.01
0
V
DFOUT
= 0V
I
DFOUT
= 2毫安
I
EA1
= -20uA
3
mV
V/V
dB
K
V
mA
V
兆赫
V / μs的
最大时钟频率
最低时钟频率
频率稳定度
PWM输出
R
PWM
=10k
R
PWM
=50k
0.9
180
1
200
4
1.1
220
兆赫
千赫
%
%
nS
nS
V
最大占空比
最小脉冲宽度
死区时间
斜坡幅度
第2阶段积分放大器
DC
最大
t
的PWM （MIN）
V
坡道
在瞬态校正开关
瞬态校正不转换
3000pF的负载
3000pF的负载在VCCL 50 ％
VIN = 6V
VIN = 12
VIN = 24 V
V
CM
=1.4V
I
EA2
= 2毫安
I
EA2
= -20uA
40
50
60
80
0.70
1.40
2.80
100
50
200
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
输入失调电压
直流开环增益
输出电压摆幅
单位增益带宽
V
OS
V
EO2(MAX)
V
EO2(MIN)
UGBW
-6
70
4.0
0.15
20
6
mV
dB
V
兆赫
0.5
版权
2000
REV 0.2 ， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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LX1677
I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
AMD Hammer VRM控制器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度0°C
≤
T
A
≤
70℃下，除非
另外注明，并在以下测试条件： VCC = 5V ， VCCL = 5V ， VIN = 12V ，开关频率= 500KHz的。
参数
PHASE 2差动放大器
电气特性（续）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
OS
A
DA
CMRR
DA
R
B
UGBW
LP1=LP2
测试条件
民
-6
0.98
LX1677
典型值
最大
6
1.02
单位
mV
V/V
dB
K
兆赫
输入失调电压
收益
共模抑制比
输入阻抗
单位增益带宽
瞬态控制回路
共模电压= 0至2 V
1
60
180
4
电压降检测
传播延迟： FB +和
FB-以I- MAX
过冲电压检测
传播延迟： FB +和
FB-到I- MIN
电压跌落检测门限
过冲电压检测
门槛
输出驱动器
50
nS
50
V
DFOUT
瑞星3000pF的负载
V
DFOUT
落3000pF的负载
40
40
nS
mV
mV
司机
上升时间
下降时间
高侧驱动器电压：
[V
HOX
- V
VSX
]
驱动高
驱动低
低端驱动器电压：
[V
LOX
– V
PGN
]
驱动高
驱动低
高侧驱动器电流
较低的MOSFET驱动器电流
电流检测偏置电流
电流检测延迟
电流检测偏置电流
电流检测延迟
逻辑低阈值
迟滞
上拉电阻
电源良好
t
上升
t
秋天
CL = 3000pF的， VCX - VSX = 5V
50
50
nS
V
HOX
= 20mA时， VCX - VSX = 5.0 V
V
HOX
= -20mA ， VCX - VSX = 5.0 V
4.8
4.9
0.1
V
0.2
V
0.2
A
A
I
HOX
I
LOX
V
LOX
= 20mA时， VCCL - VPGN = 5.0 V
V
LOX
= -20mA ， VCCL - VPGN = 5.0 V
VCX - VSX = 5.0 V ，负载= 3300pf在
<500nSec
VCCL - PGN = 5.0 V ，负载= 3300pf在
<500nSec
4.8
4.9
0.1
1
1.5
第1阶段过流保护
I
ILIM1
t
CSD(ILIM1)
I
ILIM3
t
CSD(ILIM3)
44
200
40
200
50
400
50
400
1.5
0.3
100
60
500
60
500
A
nS
A
nS
瞬态校正环路过电流保护
使能输入/电压识别（ VID ）
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
V
V
K
V
低输出电压
V
PWGD
I
PWGD
= -3mA
0.5
版权
2000
REV 0.2 ， 2003-03-03
Microsemi的
集成产品部门
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