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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第199页 > M27C1024-55B7TR
M27C1024
1兆位(64KB ×16) UV EPROM和OTP EPROM
5V
±
在READ 10 %电源电压
手术
快速存取时间: 35ns的
低功耗:
- 工作电流35毫安在5MHz
- 待机电流100μA
编程电压: 12.75V
±
0.25V
编程时间: 100μS /字节(典型值)
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 器件代码: 008Ch
40
40
1
1
FDIP40W ( F)
PDIP40 ( B)
描述
该M27C1024是在提供了1兆比特的EPROM
两个范围UV(紫外线擦除)和OTP (一次
一次可编程) 。它非常适合于微
处理器系统需要大量的数据或程序
存储和组织的16 65,536字
位。
该FDIP40W (窗口陶瓷熔块密封包装)
具有透明的盖,其允许用户给
暴露出该芯片于紫外光擦除位
格局。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用程序,其中所述内容被编程
不要求只有一个时间和擦除,所述
M27C1024提供的PDIP40 , PLCC44和
TSOP40 ( 10× 14毫米)封装。
表1.信号名称
A0-A15
Q0-Q15
E
G
P
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目
节目供应
电源电压
PLCC44 ( C)
TSOP40 ( N)
10× 14毫米
图1.逻辑图
VCC
VPP
16
A0-A15
16
Q0-Q15
P
E
G
M27C1024
VSS
AI00702B
1998年9月
1/15
M27C1024
图2A 。 DIP引脚连接
VPP
E
Q15
Q14
Q13
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
G
1
40
2
39
3
38
4
37
5
36
6
35
7
34
8
33
9
32
10
31
M27C1024
30
11
12
29
13
28
14
27
15
26
16
25
17
24
18
23
19
22
20
21
AI00703
图2B中。 LCC引脚连接
VCC
P
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
NC
Q7
Q6
Q5
Q4
Q13
Q14
Q15
E
VPP
NC
VCC
P
NC
A15
A14
1 44
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
NC
A8
A7
A6
A5
12
M27C1024
34
23
Q3
Q2
Q1
Q0
G
NC
A0
A1
A2
A3
A4
AI00704
警告:
NC =未连接。
警告:
NC =未连接。
图2C 。 TSOP引脚连接
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
P
VCC
VPP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
1
40
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
G
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
10
11
M27C1024
(普通)
31
30
20
21
AI01582
警告:
NC =未连接。
2/15
设备操作
在M27C1024的操作模式是
在OperatingModes表中列出。单电源
供给中需要的读出模式。所有的输入都是
TTL电平除了Vpp的和12V上的A9
电子签名。
读取模式
该M27C1024具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。芯片启用( E)是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能( G)的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚,不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的,该地址访问时间
(t
AVQV
)是equalto从E中的延迟输出(T
ELQV
).
数据可在输出吨的延迟之后
OE
给G的下降沿,假定E具有
一直较低,地址一直保持稳定
至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27C1024具有待机模式,该模式重新
duces从35毫安有源电流100μA 。
该M27C1024被置于待机模式通过
施加TTL高电平信号到E的输入。当
在待机模式下,输出处于高阻抗
ANCE状态,独立对G输入。
M27C1024
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压(除A9 )
电源电压
A9电压
项目电源电压
(3)
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°
C
°C
V
V
V
V
注意事项:
1.除评级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意:
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±0.5V
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
X
V
IL
P
V
IH
X
V
IL
脉冲
V
IH
X
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
或V
SS
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
Q0 - Q15
数据输出
高阻
数据输入
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
8Ch
注意:
输出Q8 - Q15被设置为“0” 。
3/15
M27C1024
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
12
单位
pF
pF
注意:
1.采样只,而不是100 %测试。
两线输出控制
BecauseEPROMs通常在largermem-使用
储器阵列,这款产品带有一个2线控制
函数,它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于thesetwo controllines最efficientuse ,
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能,一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
4/15
控制总线。这确保了所有取消的MEM
储器的设备都在其低功耗待机模式
并且,该输出引脚是唯一激活的数据时
从一个特定的存储设备是必需的。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
,有三段
中进行的,所关心的系统设计师
待机电流水平,活性电流电平,
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
transientcurrent峰是dependenton的电容
略去与该装置的感应装
输出。
M27C1024
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C,
-40到85
°C;
-40至105
°C
或-40 125
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH
(2)
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
最大
±10
±
10
35
1
100
100
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
–0.3
2
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400
A
I
OH
= –100
A
2.4
V
CC
– 0.7
0.8
V
CC
+ 1
0.4
V
OL
V
OH
注意事项:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时去除或V后
PP.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C,
-40到85
°C;
-40至105
°C
或-40 125
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
M27C1024
符号
ALT
参数
测试条件
-35
(3)
-45
(3)
-55
(3)
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ (2)
t
GHQZ (2)
t
AXQX
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出
过渡
E = V
IL
,G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,G = V
IL
0
0
0
35
35
20
30
30
0
0
0
45
45
25
30
30
0
0
0
55
55
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时去除或V后
PP.
2.采样只,而不是100 %测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
5/15
M27C1024
1兆位(64KB ×16) UV EPROM和OTP EPROM
5V
±
在READ 10 %电源电压
手术
快速存取时间: 35ns的
低功耗:
- 工作电流35毫安在5MHz
- 待机电流100μA
编程电压: 12.75V
±
0.25V
编程时间: 100μS /字节(典型值)
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 器件代码: 008Ch
40
40
1
1
FDIP40W ( F)
PDIP40 ( B)
描述
该M27C1024是在提供了1兆比特的EPROM
两个范围UV(紫外线擦除)和OTP (一次
一次可编程) 。它非常适合于微
处理器系统需要大量的数据或程序
存储和组织的16 65,536字
位。
该FDIP40W (窗口陶瓷熔块密封包装)
具有透明的盖,其允许用户给
暴露出该芯片于紫外光擦除位
格局。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用程序,其中所述内容被编程
不要求只有一个时间和擦除,所述
M27C1024提供的PDIP40 , PLCC44和
TSOP40 ( 10× 14毫米)封装。
表1.信号名称
A0-A15
Q0-Q15
E
G
P
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目
节目供应
电源电压
PLCC44 ( C)
TSOP40 ( N)
10× 14毫米
图1.逻辑图
VCC
VPP
16
A0-A15
16
Q0-Q15
P
E
G
M27C1024
VSS
AI00702B
1998年9月
1/15
M27C1024
图2A 。 DIP引脚连接
VPP
E
Q15
Q14
Q13
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
G
1
40
2
39
3
38
4
37
5
36
6
35
7
34
8
33
9
32
10
31
M27C1024
30
11
12
29
13
28
14
27
15
26
16
25
17
24
18
23
19
22
20
21
AI00703
图2B中。 LCC引脚连接
VCC
P
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
NC
Q7
Q6
Q5
Q4
Q13
Q14
Q15
E
VPP
NC
VCC
P
NC
A15
A14
1 44
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
NC
A8
A7
A6
A5
12
M27C1024
34
23
Q3
Q2
Q1
Q0
G
NC
A0
A1
A2
A3
A4
AI00704
警告:
NC =未连接。
警告:
NC =未连接。
图2C 。 TSOP引脚连接
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
P
VCC
VPP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
1
40
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
G
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
10
11
M27C1024
(普通)
31
30
20
21
AI01582
警告:
NC =未连接。
2/15
设备操作
在M27C1024的操作模式是
在OperatingModes表中列出。单电源
供给中需要的读出模式。所有的输入都是
TTL电平除了Vpp的和12V上的A9
电子签名。
读取模式
该M27C1024具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。芯片启用( E)是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能( G)的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚,不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的,该地址访问时间
(t
AVQV
)是equalto从E中的延迟输出(T
ELQV
).
数据可在输出吨的延迟之后
OE
给G的下降沿,假定E具有
一直较低,地址一直保持稳定
至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27C1024具有待机模式,该模式重新
duces从35毫安有源电流100μA 。
该M27C1024被置于待机模式通过
施加TTL高电平信号到E的输入。当
在待机模式下,输出处于高阻抗
ANCE状态,独立对G输入。
M27C1024
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压(除A9 )
电源电压
A9电压
项目电源电压
(3)
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°
C
°C
V
V
V
V
注意事项:
1.除评级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意:
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±0.5V
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
X
V
IL
P
V
IH
X
V
IL
脉冲
V
IH
X
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
或V
SS
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
Q0 - Q15
数据输出
高阻
数据输入
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
8Ch
注意:
输出Q8 - Q15被设置为“0” 。
3/15
M27C1024
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
12
单位
pF
pF
注意:
1.采样只,而不是100 %测试。
两线输出控制
BecauseEPROMs通常在largermem-使用
储器阵列,这款产品带有一个2线控制
函数,它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于thesetwo controllines最efficientuse ,
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能,一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
4/15
控制总线。这确保了所有取消的MEM
储器的设备都在其低功耗待机模式
并且,该输出引脚是唯一激活的数据时
从一个特定的存储设备是必需的。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
,有三段
中进行的,所关心的系统设计师
待机电流水平,活性电流电平,
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
transientcurrent峰是dependenton的电容
略去与该装置的感应装
输出。
M27C1024
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C,
-40到85
°C;
-40至105
°C
或-40 125
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH
(2)
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
最大
±10
±
10
35
1
100
100
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
–0.3
2
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400
A
I
OH
= –100
A
2.4
V
CC
– 0.7
0.8
V
CC
+ 1
0.4
V
OL
V
OH
注意事项:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时去除或V后
PP.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C,
-40到85
°C;
-40至105
°C
或-40 125
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
M27C1024
符号
ALT
参数
测试条件
-35
(3)
-45
(3)
-55
(3)
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ (2)
t
GHQZ (2)
t
AXQX
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出
过渡
E = V
IL
,G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,G = V
IL
0
0
0
35
35
20
30
30
0
0
0
45
45
25
30
30
0
0
0
55
55
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时去除或V后
PP.
2.采样只,而不是100 %测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
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