M28LV16
16K （ 2K ×8 ）低压并行EEPROM
与软件数据保护
不适用于新设计
快速存取时间： 200ns的
单一的低电压工作
低功耗
快速写入周期：
- 64字节页写操作
- 字节或页写入周期： 3毫秒最大
增强的最终检测写的：
- 数据查询
- 触发位
页面加载定时器状态位
高可靠性单多晶硅，
CMOS技术：
- 耐力>100,000擦除/写周期
- 数据保留>40年
JEDEC核准的单字节宽， PIN OUT
软件数据保护
M28LV16被替换的产品
在文档M28C16A描述
描述
该M28LV16是2K ×8的低功耗并行
EEPROM fabricatedwith SGS- THOMSON proprie-
tary单多晶硅CMOS技术。 DE-的
副提供低功耗的快速存取时间
散热，需要一个2.7V至3.6V电源
供应量。该电路被设计成提供一个
灵活的微控制器接口具有两个
硬件和软件握手与数据
轮询和切换位。该M28LV16支持64
字节页写操作。软件数据保护
灰（SDP） ，也可以使用标准的
JEDEC算法。
表1.信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
W
E
G
RB
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
READY / BUSY
电源电压
地
24
1
PDIP24 （P）的
PLCC32 （ K）
24
1
SO24 （MS）的
300密耳
TSOP28 （ N）
8× 13.4毫米
图1.逻辑图
VCC
11
A0-A10
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M28LV16
RB *
VSS
AI01567B
注意：
* RB功能仅与TSOP28封装。
1997年11月
这是一个产品的信息仍然在生产BU吨不推荐在新德的迹象。
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M28LV16
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
(1)
参数
工作环境温度
存储温度范围
电源电压
输入/输出电压
输入电压
静电放电电压（人体模型）
(2)
价值
- 40-85
- 65 150
- 0.3 6.5
- 0.3 V
CC
+0.6
- 0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
V
V
V
V
注意：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他
相关的质量文件。
2. 100pF的通过1500Ω ; MIL -STD- 883C ， 3015.7
表3.操作模式
模式
待机
输出禁用
写禁止
读
写
(1)
E
1
X
X
0
0
G
X
1
X
0
1
W
X
X
1
1
0
DQ0 - DQ7
高阻
高阻
高阻
数据输出
DATA IN
注意：
1. 0 = V
IL
; 1 = V
IH
; X = V
IL
或V
IH
.
引脚说明
地址（ A0 - A10 ） 。
地址输入选择
在读或写一个8位的存储器位置
操作。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入必须是
低，以使所有读/写操作。当片
能为高，功耗减小。
输出使能（ G） 。
输出使能输入端接
指令对数据输出缓冲器和用于启动
读操作。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据被写入或读
从M28LV16通过I / O引脚。
写使能（ W） 。
写使能输入控制
数据到M28LV16的写作。
就绪/忙（ RB ） 。
就绪/忙是一个开漏
输出可以被用来检测的结束
内部写周期。
它仅与TSOP28封装。该
读者应参考M28LV17数据表
有关就绪/忙的更多信息
功能。
手术
为了防止数据损坏和意外的
在上电，上电写入操作
复位（ POR ）电路，复位所有内部编程
cicuitry 。在写入模式下对存储器的访问是
如表7规定后，电允许的。
读
该M28LV16访问就像一个静态RAM 。当
E和G是低用W高时，数据处理
呈现在I / O引脚。在I / O引脚为高
阻抗时， G或E为高。
写
写操作开始时，包括了W和E
低， G是high.The M28LV16支持
E和硬件控制的写周期。地址是
通过E的下降沿或W这永远锁
最后发生的数据上E的上升沿或
它先出现W的一旦开始写
操作内部定时，直到完成。
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M28LV16
图3.框图
E
G
W
VPP GEN
RESET
控制逻辑
X解码
A6-A10
（页面地址）
地址
LATCH
64K阵列
A0-A5
地址
LATCH
解码
SENSE和数据锁存器
I / O缓冲器
页面加载
定时器状态
切换位
数据轮询
AI01520
DQ0-DQ7
页写
页写允许最多64个字节是次连续
tively之前启动一个锁存到存储器
编程周期。所有字节必须位于一个
单页地址，即A6 -A10必须是
相同的所有字节。页写可以启动
在任何字节写操作。
以下的第一个字节写指令中的主机
可以发送另一个地址和数据与迷你
的1 /吨妈妈的数据传输速率
万好万家
（参见图13） 。
如果没有T内检测到E或W的转变
万好万家
,
内部编程周期将开始。
单片机控制接口
该M28LV16提供了两个写操作状态
位和一个状态引脚可以用于最小化
系统写周期。这些信号可
在I / O端口上的位DQ7存储器或DQ6
仅在编程周期。
图4.状态位分配
DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 DQ2 DQ1 DQ0
DP
TB
PLTS高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
数据轮询位（ DQ7 ） 。
在内部写
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将
生产DQ7上的互补价值
先前锁存位。一旦写周期是装订
ished真正的逻辑值在DQ7中出现
读周期。
翻转位（ DQ6 ） 。
该M28LV16提供了另一种
方法，用于确定当内部写周期
就完成了。在内部擦除/写周期，
DQ6将发生从“0”切换到“1”和“1”到“0”（在
第一次读值为“ 0 ” ）的后续尝试
读出的存储器。当内部循环的COM
pleted触发将停止该设备将
访问一个新的READ或WRITE操作。
页面加载定时器状态位（ DQ5 ） 。
在页面
写模式数据可以通过E或W.最多被锁定
32个字节可被输入。数据输出（ DQ5 ）
表示内部页面加载的状态
定时器。 DQ5可以通过断言输出读取恩
能低（T
PLTS
） 。 DQ5低表示定时器
跑步，高电平表示超时之后，
写周期将开始，没有新的数据可被输入。
DP =数据查询
TB =触发位
PLTS =页面加载定时器状态
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M28LV16
图5.软件数据保护使算法和存储器写
在寄存器写入AAH
地址555H
页面
写
指令
（注1 ）
页面
写
指令
（注1 ）
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
在写55H
地址2AAh
在写的A0h
地址555H
在写的A0h
地址555H
写
已启用
SDP设置
写页面
（1到64个字节）
SDP ENABLE算法
写记忆
当SDP SET
AI01509B
注意：
1. MSB地址位（ A6至A10 ），在这些特定的页写操作有所不同。
图6.软件数据保护禁用
算法
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
页面
写
指令
在写80H
地址555H
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
在写20H
地址555H
无保护状态
AI01510
软件数据保护
该M28LV16提供了一个软件控制的写
保护功能，允许用户以抑制所有
写模式，该设备包括芯片擦除
指令。这可以是在保护有用
从无意写周期内存可能
发生由于不受控制的总线条件。
该M28LV16is运为标准的“外部器件了
tected “状态的含义，存储器中的内容
可以根据需要由用户来改变。后
软件数据保护使算法是 -
起诉时，器件进入的“保护模式”
操作在没有进一步的写命令有
上的存储器中的内容的任何影响。该装置
保持在这种模式下，直到一个有效软件数据
收到保护（ SDP ）禁用序列
从而使设备恢复到它的“无保护”
状态。该软件数据保护是完全不
挥发性和电源开/关SE-不会改变
quences 。
为了使软件数据保护（ SDP ）的
装置需要用户写（带有页写入）
三个特定数据字节3特定存储器
位置按照图5类似地，以禁用
软件数据保护，用户必须写
具体的数据字节分为六个不同的位置按
图6 （与页写） 。这种复杂的系列
确保用户永远不会启用或禁用
软件数据保护意外。
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