MBM29DL800TA
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/MBM29DL800BA
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概述
该MBM29DL800TA / BA是一个8M位， 3.0 V-仅限于Flash存储器，为1兆字节的8位或每
512 K字的每个16位。该MBM29DL800TA / BA均提供48引脚TSOP （ 1 ）和48球FBGA
包。这些设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。
12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该器件还可以重新编程
在标准EPROM编程器。
MBM29DL800TA / BA提供同时操作在编程/擦除操作，可以读出的数据。该
同时操作架构通过将存储器空间划分为两个可同时提供操作
银行。该装置可允许主机系统编程或擦除在一个银行，然后立即和同时
从其他银行的读取。
标准MBM29DL800TA / BA报价访问时间70 ns到90 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有独立的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29DL800TA / BA引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29DL800TA / BA分别通过执行程序指令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，设备会自动时间擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从出厂时的MBM29DL800TA / BA被删除
工厂。
这些器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
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,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成时，设备内部复位到读模式。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E2PROM的经验，生产出了最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该MBM29DL800TA / BA回忆电擦除整个芯片
或者通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。该字节/字编程1
字节/字在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
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