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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1494页 > MC100EPT26DR2
MC100EPT26
3.3V 1:2扇出微分
LVPECL / LVDS到LVTTL
翻译者
描述
该MC100EPT26是1 ： 2扇出差分LVPECL / LVDS到
LVTTL翻译。因为LVPECL （正ECL ）或LVDS电平
只用+3.3 V和接地线。在小尺寸8引脚
包和1： EPT26的2扇出的设计使得它非常适合
应用程序需要在信号的低歪斜复制
致密的PC板。
在V
BB
输出允许在一个单端输入要使用的EPT26
模式。在这种模式下， V
BB
输出绑定到D0输入一个
非反相缓冲器或D0的输入为反相缓冲器。如果使用的话
在V
BB
针应绕过接地用
＆ GT ;
0.01
mF
电容。
对于单端直接连接，使用一个外部电压
参考源，例如一个电阻分压器。不要使用V
BB
一
单端的直接连接或端口到另一个设备。
特点
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
KPT26
ALYW
G
1
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
KA26
ALYWG
G
1
1.4 ns典型传播延迟
最大频率> 275 MHz的典型
100系列包含温度补偿
经营范围： V
CC
= 3.0 V至3.6 V与GND = 0 V
24毫安TTL输出
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
产量
无铅包可用
A
L
Y
W
M
G
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
1
4
MG 3W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年11月
启示录14
1
出版订单号：
MC100EPT26/D
MC100EPT26
表1.引脚说明
NC
1
8
V
CC
针
Q0, Q1
D
2
LVTTL
D
3
6
Q1
7
Q0
D0**, D1**
V
CC
V
BB
GND
NC
EP
V
BB
4
LVPECL
5
GND
LVTTL输出
差分LVPECL输入配对
正电源
输出参考电压
地
无连接
裸露焊盘必须被连接到一个足够
热导管。电连接到所述最
负电源或离开浮开放。
功能
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
（ TOP VIEW ）
图1. 8引脚引脚和逻辑图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
50千瓦
50千瓦
> 1.5千伏
＆ GT ; 100 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SO8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
117设备
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2
MC100EPT26
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
IN
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
正电源。
输入电压
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
V
I

V
CC
条件2
等级
3.8
0至3.8
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表4. PECL输入直流特性
V
CC
= 3.3 V ; GND = 0.0 V（注2 ）
40°C
符号
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注3）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
150
150
民
2075
1355
1910
1.2
2035
典型值
最大
2420
1675
2160
3.3
150
150
150
民
2075
1355
1910
1.2
2035
25°C
典型值
最大
2420
1675
2160
3.3
150
150
150
民
2075
1355
1910
1.2
2035
85°C
典型值
最大
2420
1675
2160
3.3
150
单位
mV
mV
V
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入参数变化1 ： 1与V
CC
.
3. V
IHCMR
分不同的1：1 GND ，V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围被引用到的最正侧
差分输入信号。
表5. TTL输出直流特性
V
CC
= 3.3 V ; GND = 0.0 V ，牛逼
A
=
40°C
至85℃
符号
V
OH
V
OL
I
CCH
I
CCL
I
OS
特征
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流
输出短路电流
条件
I
OH
=
3.0
mA
I
OL
= 24毫安
10
15
50
20
28
民
2.4
0.5
18
35
150
典型值
最大
单位
V
V
mA
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
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3
MC100EPT26
表6. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ; GND = 0.0 V（注4 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SK + +
t
SK桐树
t
SKPP
t
抖动
特征
最大频率（图2）
传播延迟
输出差分（注5 ）
在设备倾斜++
在设备Skew-
设备到设备倾斜（注6 ）
随机时钟抖动（RMS） （图2）
@
v
200兆赫
@ > 200兆赫
输入电压摆幅（差分配置）
输出上升/下降时间
(0.8V
2.0V)
Q, Q
150
330
民
275
1.2
1.2
典型值
350
1.5
1.5
15
20
100
6
20
800
600
2.0
1.8
60
85
500
30
275
1200
950
150
330
最大
民
275
1.2
1.2
25°C
典型值
350
1.5
1.5
15
20
100
6
40
800
600
2.0
1.8
60
85
500
30
275
1200
950
150
330
最大
民
275
1.3
1.2
85°C
典型值
350
1.7
1.5
20
30
100
6
170
800
650
2.2
1.8
85
85
500
30
275
1200
950
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
V
PP
t
r
t
f
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.衡量一个750 mV的50 ％占空比的时钟源。
L
= 500
W
到GND和C
L
= 20 pF到GND 。请参考图3 。
5.参考（V
CC
= 3.3 V
±
5％ ; GND = 0V）
6.偏斜现象在相同的转换输出之间进行测量。
3.0
12
随机时钟抖动（ PS RMS）
V
OL

0.5 V
V
OH
2.0
V
OH
(V)
8
抖动
1.0
4
0.0
0
100
200
0
300
频率（MHz）
图2.典型的V
OH
/抖动与频率关系（ 255C ）
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4
MC100EPT26
应用
TTL接收器
特性试验
*C
L
包括
灯具
电容
C
L
*
R
L
AC测试负载
GND
图3. TTL输出负载用于设备评估
订购信息
设备
MC100EPT26D
MC100EPT26DG
MC100EPT26DR2
MC100EPT26DR2G
MC100EPT26DT
MC100EPT26DTG
MC100EPT26DTR2
MC100EPT26DTR2G
MC100EPT26MNR4
MC100EPT26MNR4G
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
SOIC8
SOIC8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
TSSOP8
（无铅）
DFN8
DFN8
（无铅）
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
100单位/铁
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
MC100EPT26
1：2扇出微分
LVPECL到LVTTL
翻译者
该MC100EPT26是1:2扇出差分LVPECL到LVTTL电
翻译。因为LVPECL （正ECL ）水平仅用于
+ 3.3V和接地线。小外形8引脚SOIC
包和1： EPT26的2扇出的设计使得它非常适合
应用程序需要在信号的低歪斜复制
致密的PC板。
在VBB输出允许单端所使用的EPT26
输入模式。在这种模式下， VBB输出被连接到D0的输入为一个
非反相缓冲器或D0的输入为反相缓冲器。如果使用的话
VBB引脚应绕过通过一个0.01μF电容储能接地。
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记号
DIAGRAMS *
8
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
A
L
Y
W
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
HR26
ALYW
HPT26
ALYW
1.4ns典型传播延迟
275MHz的Fmax （时钟的比特流，而不是伪随机）
差分LVPECL输入
小外形封装SOIC
24毫安TTL输出
流穿插脚引线
ESD保护： >2KV HBM ， >100V MM
内置输入电阻：下拉D上，下拉和上拉D上
Q输出将默认低，输入开路或在VEE
VBB输出
新的差分输入共模范围
湿度敏感度等级1 ，不定超时Drypack的。
有关其他信息，请参见应用笔记AND8003 / D
可燃性等级： UL - 94码V- 0 @ 1/8“ ，
氧指数28 34
晶体管数量= 117设备
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
引脚说明
针
Q0, Q1
D, D
VCC
VBB
GND
功能
LVTTL输出
差分LVPECL输入对
正电源
参考电压
地
NC 1
8
VCC
订购信息
设备
MC100EPT26D
包
SO–8
SO–8
TSSOP–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500 /卷
98单位/铁
2500 /卷
D
2
LVTTL
7
Q0
MC100EPT26DR2
D
3
6
Q1
MC100EPT26DT
MC100EPT26DTR2
VBB
4
LVPECL
5
GND
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年5月 - 第2版
出版订单号：
MC100EPT26/D
MC100EPT26
最大额定值*
符号
VCC
VI
IOUT
伊布
TA
TSTG
θ
JA
θ
JC
TSOL
参数
电源（ GND = 0V）
输入电压（ GND = 0V ， VI不超过VCC更积极）
输出电流
VBB吸入/源出电流
{
工作温度范围
储存温度
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
焊接温度（ <2 3秒： 245℃所需）
静止的空气中
500lfpm
连续
浪涌
价值
0至3.8
0至3.8
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
±
5%
265
单位
VDC
VDC
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
{
使用只有同一个包中的投入。
DC特性
（VCC = 3.3V
±
0.3V ; GND = 0V ; TA = -40 ° C至85°C ）
符号
ICCH
ICCL
VIH
VIL
IIH
IIL
VOH
VOL
IOS
特征
电源电流（输出设置为高电平）
电源电流（输出设置为LOW ）
输入高电压（ VCC = 3.3 ） （注1 ）
输入低电压（ VCC = 3.3 ） （注1 ）
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压（ IOH = -3.0mA ） （注2 ）
输出低电压（ IOL = 24毫安）（注2 ）
输出短路电流
–50
2.0
D
D
–150
2.4
0.5
–150
3.3
V
V
mA
V
民
10
15
2135
1490
典型值
20
28
最大
18
35
2420
1825
150
0.5
单位
mA
mA
mV
mV
A
A
VIHCMR输入高电压共模范围（注3 ）
VBB
输出电压参考值
2.0
V
注： 100EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
1.所有值各不相同的1：1的VCC 。
2.所有装载有500欧姆到GND ， CL = 20pF的。
3. VIHCMR分钟变化1： 1与GND短，变化最大的1：1的VCC 。
AC特性
（VCC = 3.3V
±
0.3V ; GND = 0V）
–40°C
符号
FMAX
tPLH的，
的TPH1
TSK + +
TSK- -
tskpp
tjitter
VPP
特征
最大切换
频率（注4 ）
传播延迟
输出差分（注5 ）
输出至输出扭曲++
输出至输出Skew- -
部分到部分偏移（注6 ）
周期到周期抖动
输入电压摆幅（差异）。
150
民
275
1.2
1.2
典型值
350
1.5
1.5
60
25
500
待定
800
1200
150
1.8
1.8
最大
民
275
1.2
1.2
25°C
典型值
350
1.5
1.5
60
25
500
待定
800
1200
900
150
330
1.8
1.8
最大
民
275
1.3
1.2
85°C
典型值
350
1.7
1.5
60
25
500
待定
800
650
1200
900
2.2
1.8
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
mV
ps
tr
输出上升/下降时间
tf
330
600
900
330
600
(0.8V – 2.0V)
Q, Q
4.最大频率保证唯一功能。 VOL和VOH电平，保证在DC只。
5.参考（ VCC = 3.3V
±
5％ ， GND = 0V）
6.偏斜现象在相同的转换输出之间进行测量。
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2
MC100EPT26
包装尺寸
SO–8
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-06
ISSUE牛逼
A
8
D
5
C
E
1
4
H
0.25
M
B
M
h
B
C
e
A
座位
飞机
X 45
_
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M ， 1994年。
2.尺寸为毫米。
3.尺寸D和E不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
5.尺寸b不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127总数过量
THE B尺寸为最大材料的
条件。
暗淡
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
MILLIMETERS
民
最大
1.35
1.75
0.10
0.25
0.35
0.49
0.19
0.25
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27 BSC
5.80
6.20
0.25
0.50
0.40
1.25
0
_
7
_
q
L
0.10
A1
B
0.25
M
C B
S
A
S
q
http://onsemi.com
3
MC100EPT26
包装尺寸
TSSOP–8
DT后缀
塑料TSSOP封装
CASE 948R -02
发出
8x
K
REF
0.10 (0.004)
M
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
2X
ü
S
V
S
L/2
8
5
L
1
销1
IDENT
4
B
–U–
0.25 (0.010)
M
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
A
–V–
F
DETAIL ê
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A不包括模型
FLASH 。突出或毛刺。模具
FLASH或毛刺不得超过
0.15 （ 0.006 ），每边。
4.尺寸b不包括
间的薄膜或凸出部分。
间的薄膜或突出应该不
超过0.25 （ 0.010 ），每边。
5，端子数列
仅供参考。
6.维A和B是被
DETERMINED AT基准面-W- 。
MILLIMETERS
民
最大
2.90
3.10
2.90
3.10
0.80
1.10
0.05
0.15
0.40
0.70
0.65 BSC
0.25
0.40
4.90 BSC
0
_
6
_
英寸
民
最大
0.114
0.122
0.114
0.122
0.031
0.043
0.002
0.006
0.016
0.028
0.026 BSC
0.010
0.016
0.193 BSC
0
_
6
_
C
0.10 (0.004)
–T–
座位
飞机
D
–W–
G
DETAIL ê
暗淡
A
B
C
D
F
G
K
L
M
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
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