MC14514B ， MC14515B
4位透明锁存器/
4至16线译码器
的MC14514B和MC14515B是一个4到16的两个输出选项
线译码器与锁存输入。该MC14514B （输出高电平有效
选项）代表一个逻辑“1”时所选择的输出，而
在MC14515B （输出低电平有效选项）代表一个逻辑“0”的
选定的输出。闩锁是R-S型触发器夹持所述
最后输入的数据呈现之前，从“1”到“0”的选通信号的过渡。
这些高和低4位锁存器/ 4至16线译码器的选项是
与N沟道和P沟道增强模式构造
器件在一个单片结构。该锁存器R- S型
触发器和数据是在选通信接纳后的信号事件
输入，解码，并在输出端呈现。
这些互补电路找到解码的主要用途
应用中的低功耗和/或高噪声抗扰度
是需要的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
24
1
PDIP24
P后缀
CASE 709
1
MC145xxBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载的额定温度范围
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
每个封装功耗（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
1
SOIC24
DW后缀
CASE 751E
24
MC145xxB
AWLYYWWG
1
xx
A
WL
YY
WW
G
= 14或15的
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚分配
mW
°C
°C
°C
ST
D1
D2
S7
S6
S5
S4
S3
S1
S2
S0
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
DD
INH
D4
D3
S10
S11
S8
S9
S14
S15
S12
S13
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：塑料“P和D / DW ”
包： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
2006年6月 - 修订版6
出版订单号：
MC14514B/D
MC14514B ， MC14515B
框图
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
11
9
10
8
7
6
5
4
18
17
20
19
14
13
16
15
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
DECODE真值表
（频闪= 1 ） *
数据输入
选定的输出
A
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
MC14514 =逻辑“ 1 ”
MC14515 =逻辑“ 0 ”
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
所有输出= 0时， MC14514
所有输出= 1 ， MC14515
V
DD
= 24 PIN
V
SS
= 12 PIN
数据1
数据2
数据3
数据4
频闪
2
3
21
22
1
透明
LATCH
A
B
C
D
4到16个
解码器
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
D
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
C
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
B
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
抑制
23
X =无关
*频闪= 0时，数据被锁存
订购信息
设备
MC14514BCP
MC14514BCPG
MC14514BDW
MC14514BDWR2
MC14514BDWR2G
MC14515BCP
MC14515BCPG
MC14515BDW
MC14515BDWR2
MC14515BDWR2G
包
PDIP24
PDIP24
（无铅）
SOIC24
SOIC24
SOIC24
（无铅）
PDIP24
PDIP24
（无铅）
SOIC24
SOIC24
SOIC24
（无铅）
1000 /磁带&卷轴
15单位/铁
30单位/铁
1000 /磁带&卷轴
15单位/铁
30单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MC14514B ， MC14515B
电气特性
（电压参考V
SS
)
55_C
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
0.51
1.3
3.4
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
（注2 ）
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
V
OH
VDC
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容（V
in
= 0)
静态电流（每包）
V
IL
VDC
来源
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
总电源电流（注3，注4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
I
TL
I
T
= (1.35
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (2.70
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (4.05
毫安/千赫）
F +我
DD
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：我
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF，
V = (V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
http://onsemi.com
3
MC14514B ， MC14515B
开关特性
（注5 ） （C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
所有类型
典型值
（注6 ）
180
90
65
100
50
40
550
225
150
400
150
100
125
50
38
– 100
– 40
– 30
175
50
38
特征
符号
t
TLH
5.0
10
15
t
THL
5.0
10
15
t
PLH
,
t
PHL
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
保持时间选通数据
t
h
5.0
10
15
5.0
10
15
250
100
75
– 20
0
10
350
100
75
200
100
80
ns
1100
450
300
ns
800
300
200
ns
ns
360
180
130
ns
V
DD
民
最大
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间;数据选通至S
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 465纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.86纳秒/ PF ）C
L
+ 192纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 125纳秒
禁止传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 315纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 117纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
建立时间数据选通
t
PLH
,
t
PHL
t
su
选通脉冲宽度
t
WH
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
V
DS
频闪
抑制
对于MC14514B
1.对于P沟道：禁止= V
SS
1.
和D1D4构成
1.
二进制码为“输出
1.
在测试“ 。
2.对于N沟道：禁止= V
DD
D1
D2
D3
D4
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
V
SS
对于MC14515B
1.对于P沟道：禁止= V
DD
2.对于N沟道：禁止= V
SS
2.
和D1D4构成的二进制
2.
为代码“下测试输出”。
I
D
外
电源
图1.排放特性测试电路
http://onsemi.com
4
