E2G0126-17-61
半导体
MSM51V16800D/DSL
半导体
这个版本： 1998年3月
MSM51V16800D/DSL
e
Pr
LIM
y
ar
in
2,097,152-Word
8位动态RAM ：快速页面模式类型
描述
该MSM51V16800D / DSL是一种2,097,152字
8位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51V16800D / DSL实现高集成，高速运转，
和低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
双层金属CMOS工艺。该MSM51V16800D / DSL是采用28引脚塑料SOJ或
28引脚塑料TSOP 。该MSM51V16800DSL （自刷新版本）是专为
低功耗应用。
特点
2,097,152字
8位配置
3.3 V单电源供电，
±0.3
V宽容
=输入
： LVTTL兼容，低输入电容
输出： LVTTL兼容，三态
刷新： 4096次/ 64毫秒， 4096次/ 128毫秒（ SL版本）
快速页模式下，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
CAS
前
RAS
自刷新功能（ SL版本）
·多位测试模式功能
封装选项：
28引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
（产品： MSM51V16800D / DSL- xxJS ）
28引脚400密耳的塑料TSOP
（ TSOPII28 -P- 400-1.27 -K）个（产品： MSM51V16800D / DSL- xxTS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
90纳秒
110纳秒
130纳秒
270毫瓦
252毫瓦
234毫瓦
1.8毫瓦/
0.72毫瓦（ SL版本）
MSM51V16800D / DSL- 50 50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
MSM51V16800D / DSL- 60 60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
MSM51V16800D / DSL -70 70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
1/17
半导体
MSM51V16800D/DSL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到4.6
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
0
—
—
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.8
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容
（ A0 - A8 ， A9R - A11R ）
输入电容（ RAS ，
CAS，WE ， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ8 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
4/17
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MSM51V16800D/DSL
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ，TA = 0 ° C至70 ° C）
条件
MSM51V16800 MSM51V16800 MSM51V16800
D/DSL-50
D/DSL-60
D / DSL - 70单位注
分钟。
V
OH
I
OH
= -2.0毫安
V
OL
I
OL
= 2.0毫安
0 V
V
I
V
CC
+ 0.3 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
V
CC
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS
= V
IH
I
CC2
RAS ， CAS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车，
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车，
CAS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车，
t
PC
=最小值。
t
RC
= 31.3
女士，
I
CC10
CAS
前
RAS ，
t
RAS
1
ms
RAS
0.2 V,
CAS
0.2 V
—
400
—
400
—
400
mA
1, 4,
5
—
70
—
65
—
60
mA
1, 3
—
75
—
70
—
65
mA
1, 2
—
5
—
5
—
5
mA
1
—
75
—
70
—
65
mA
1, 2
–10
10
–10
10
–10
10
mA
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
V
V
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
（备用电池）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
自刷新）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
—
—
—
75
2
0.5
200
—
—
—
—
70
2
0.5
200
—
—
—
—
65
2
0.5
200
mA
1, 2
mA
mA
1
1, 5
I
CCS
—
300
—
300
—
300
mA
1, 5
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CAS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
V
CC
+ 0.3 V, –0.3 V
V
IL
0.2 V.
SL版本。
5/17
E2G0126-17-61
半导体
MSM51V16800D/DSL
半导体
这个版本： 1998年3月
MSM51V16800D/DSL
e
Pr
LIM
y
ar
in
2,097,152-Word
8位动态RAM ：快速页面模式类型
描述
该MSM51V16800D / DSL是一种2,097,152字
8位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51V16800D / DSL实现高集成，高速运转，
和低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
双层金属CMOS工艺。该MSM51V16800D / DSL是采用28引脚塑料SOJ或
28引脚塑料TSOP 。该MSM51V16800DSL （自刷新版本）是专为
低功耗应用。
特点
2,097,152字
8位配置
3.3 V单电源供电，
±0.3
V宽容
=输入
： LVTTL兼容，低输入电容
输出： LVTTL兼容，三态
刷新： 4096次/ 64毫秒， 4096次/ 128毫秒（ SL版本）
快速页模式下，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
CAS
前
RAS
自刷新功能（ SL版本）
·多位测试模式功能
封装选项：
28引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
（产品： MSM51V16800D / DSL- xxJS ）
28引脚400密耳的塑料TSOP
（ TSOPII28 -P- 400-1.27 -K）个（产品： MSM51V16800D / DSL- xxTS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
90纳秒
110纳秒
130纳秒
270毫瓦
252毫瓦
234毫瓦
1.8毫瓦/
0.72毫瓦（ SL版本）
MSM51V16800D / DSL- 50 50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
MSM51V16800D / DSL- 60 60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
MSM51V16800D / DSL -70 70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
1/17
半导体
MSM51V16800D/DSL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到4.6
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
0
—
—
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.8
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容
（ A0 - A8 ， A9R - A11R ）
输入电容（ RAS ，
CAS，WE ， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ8 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
4/17
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MSM51V16800D/DSL
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ，TA = 0 ° C至70 ° C）
条件
MSM51V16800 MSM51V16800 MSM51V16800
D/DSL-50
D/DSL-60
D / DSL - 70单位注
分钟。
V
OH
I
OH
= -2.0毫安
V
OL
I
OL
= 2.0毫安
0 V
V
I
V
CC
+ 0.3 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
V
CC
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS
= V
IH
I
CC2
RAS ， CAS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车，
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车，
CAS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车，
t
PC
=最小值。
t
RC
= 31.3
女士，
I
CC10
CAS
前
RAS ，
t
RAS
1
ms
RAS
0.2 V,
CAS
0.2 V
—
400
—
400
—
400
mA
1, 4,
5
—
70
—
65
—
60
mA
1, 3
—
75
—
70
—
65
mA
1, 2
—
5
—
5
—
5
mA
1
—
75
—
70
—
65
mA
1, 2
–10
10
–10
10
–10
10
mA
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
V
V
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
（备用电池）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
自刷新）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
—
—
—
75
2
0.5
200
—
—
—
—
70
2
0.5
200
—
—
—
—
65
2
0.5
200
mA
1, 2
mA
mA
1
1, 5
I
CCS
—
300
—
300
—
300
mA
1, 5
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CAS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
V
CC
+ 0.3 V, –0.3 V
V
IL
0.2 V.
SL版本。
5/17
