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为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站: http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
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1.
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法律,法规,并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨
电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术
军队,包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品
技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造,使用或禁止出售
根据任何适用的国内或外国的法律或法规。
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不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任
招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。
瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用,包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题,请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
MOS场效应
N0400P
开关
P沟道功率MOSFET
描述
该N0400P是P沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流和2.5V的电压驱动开关应用。
订购信息
产品型号
N0400P-ZK-E1-AY
N0400P-ZK-E2-AY
铅电镀
纯Sn (锡)
填料
带2500 P /卷
TO- 252 ( MP- 3ZK )
无铅(此产品不含Pb在外部电极)。
特点
2.5 V驱动器可用
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 40 mΩ的最大。 (V
GS
=
4.5
V,I
D
=
7.5
A)
R
DS(on)2
= 73 mΩ以下。 (V
GS
=
2.5
V,I
D
=
7.5
A)
内置栅极保护二极管
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
(TO-252)
40
m12
m15
m45
25
1.0
150
55
to
+150
16
25
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
10
μ
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
=
20
V ,R
G
= 25
Ω,
V
GS
=
12 →
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
5.0
125
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D19676EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2009 NS二月
日本印刷
2009
N0400P
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
栅极到源截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
测试条件
V
DS
=
40
V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10
V,I
D
=
1
mA
V
DS
=
10
V,I
D
=
7.5
A
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
7.5
A
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
7.5
A
V
DS
=
10
V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=
20
V,I
D
=
7.5
A,
V
GS
=
4.5
V,
R
G
= 0
Ω
分钟。
典型值。
马克斯。
10
m10
单位
μ
A
μ
A
V
S
0.5
6.0
1.0
1.5
漏极至源极导通电阻
31
40
1400
200
155
11
16
104
93
40
73
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
32
V,
V
GS
=
4.5
V,
I
D
=
15
A
I
F
=
15
A,V
GS
= 0 V
I
F
=
15
A,V
GS
= 0 V,
的di / dt =
100
A/
μ
s
16
3
7
0.94
32
33
1.5
V
ns
nC
脉冲: PW
350
μ
S,占空比
2%
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
=
12 →
0 V
I
D
V
DD
50
Ω
L
V
DD
PG 。
BV
DSS
V
DS
V
GS
()
0
τ
起始物为
ch
τ
= 1
μ
s
占空比
1%
V
DS
电波表
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
R
G
V
DD
V
DS
()
90%
10% 10%
90%
V
GS
()
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
V
DS
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
2
数据表D19676EJ1V0DS
N0400P
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
外壳温度
120
胸苷 - 百分比额定功率 - %
30
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 -
°C
-100
I
D( PUL发E )
PW
=1
i
00
I
D
- 漏电流 - 一个
-10
-1
d
其五)
林5 V
)
.
on
S(
4
R
GS
=
(V
I
D( DC)的
1
i
μ
s
DC
w
Po
D
er
m
i
1
i
0
s
m
i
s
我是SS
ip
io
at
n
-0.1
T
C
= 25°C
单脉冲
d
IT ê
LIM
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第(章-a)的
= 125°C / W
100
10
R
TH( CH-C )
= 5.0 ° C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D19676EJ1V0DS
3
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推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    N0400P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    N0400P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    N0400P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
N0400P
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
N0400P
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
N0400P
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
N0400P
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:82571829 29059095 83798256 82786758 82577629
联系人:曾小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路2008号华联发综合楼810-812
N0400P
M/A-COM
23+
12556
假一赔十
专业渠道商二十年,原厂原装正品公司现货欢迎咨询订购QQ:1925232495
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
N0400P
M/A-COM
24+
2000
十五年专营 金牌供应商
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
N0400P
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
N0400P
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22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
N0400P
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
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MINI
2322+
1175
射频微波器件
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