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NLASB3157
SPDT , 3
W
R
ON
开关
该NLASB3157是制造先进的CMOS模拟开关
与硅栅CMOS技术。它实现了非常低的
传播延迟和RDS
ON
电阻,同时保持CMOS
低功耗。模拟和数字电压是可以变化
在整个电源电压范围(从V
CC
到GND) 。该装置
是在更换为NC7SB3157下降。
选择引脚具有过压保护,允许电压
上述V
CC,
高达7.0 V至存在于销上而不会损坏或
破坏的部分的动作,而不管操作的
电压。
特点
6
1
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记号
图表
SC88
DF后缀
CASE 419B
AF MG
G
高速:吨
PD
= 1.0纳秒(典型值),在V
CC
= 5.0 V
低功耗:我
CC
= 2.0
mA
(最大)在T
A
= 25°C
标准CMOS逻辑电平
高带宽,改进的线性度
开关标准NTSC / PAL视频,音频, SPDIF和HDTV
可用于时钟切换,数据复用等。
R
ON
典型的= 3
W
@ V
CC
= 4.5 V
先断后电路,可防止发生意外短裤
2设备可切换平衡信号对,
例如LVDS
u
200 Mb / s的
闭锁性能超过300毫安
引脚对引脚串门NC7SB3157
微型SC88和WDFN6套餐
ESD性能:
人体模型;
u
2000 V;
机器型号;
u
200 V
NLVASB3157特点扩展的汽车级温度范围;
55°C
至+ 125°C (见附录A )
无铅包可用
WDFN6
MT后缀
CASE 506AS
FM
AF ,女
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
功能表
选择输入
L
H
功能
B0连接到
B1连接到
订购信息
设备
NLASB3157DFT2
NLASB3157DFT2G
NLVASB3157DFT2
NLVASB3157DFT2G
NLASB3157MTR2G
SC88
SC88
(无铅)
SC88
SC88
(无铅)
WDFN6
(无铅)
航运
3000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2013
八月, 2013
启示录13
1
出版订单号:
NLASB3157/D
NLASB3157
SC88
B
1
1
6
SELECT
B
1
GND
B
0
1
2
3
WDFN6
6
5
4
( TOP VIEW )
SELECT
V
CC
A
GND
2
5
V
CC
B
0
3
4
A
( TOP VIEW )
图1.引脚分配&逻辑图
最大额定值
等级
电源电压
直流开关电压(注1 )
直流输入电压(注1 )
DC输入二极管电流@ V
IN
t
0 V
直流输出电流
DC V
CC
或接地电流
存储温度范围
在偏置结温
结引线温度(焊接, 10秒)
功耗@ + 85°C
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IK
I
OUT
I
CC
/I
GND
T
英镑
T
J
T
L
P
D
价值
0.5
到+7.0
0.5
到V
CC
+ 0.5
0.5
到+ 7.0
50
128
+100
65
+150
150
260
180
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
mW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.如果输入和输出二极管的额定电流是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
推荐工作条件
(注2 )
特征
电源电压工作
选择输入电压
切换输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
控制输入V
CC
= 2.3 V3.6 V
控制输入V
CC
= 4.5 V5.5 V
热阻
2.选择输入必须保持高电平或低电平,它不能浮动。
符号
V
CC
V
IN
V
IS
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
1.65
0
0
0
55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
V
CC
+125
10
5.0
350
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
q
JA
° C / W
http://onsemi.com
2
NLASB3157
DC电气特性
NLASB3157
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
R
ON
参数
高层
输入电压
低层
输入电压
输入漏电流
关闭状态漏泄
当前
开关导通电阻
(注3)
0
v
V
IN
v
5.5 V
0
v
A,B
v
V
CC
V
IN
= 0 V,I
O
= 30毫安
V
IN
= 2.4 V,I
O
=
30
mA
V
IN
= 4.5 V,I
O
=
30
mA
V
IN
= 0 V,I
O
= 24毫安
V
IN
= 3 V,I
O
=
24
mA
V
IN
= 0 V,I
O
= 8毫安
V
IN
= 2.3 V,I
O
=
8
mA
V
IN
= 0 V,I
O
= 4毫安
V
IN
= 1.65 V,I
O
=
4
mA
I
CC
静态电源
当前
所有通道开或
关闭
模拟信号范围
R
范围
抗性
在信号范围
(注3 ) (注7 )
I
A
=
30
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
24
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
8
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
4
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
30
毫安,V
Bn
= 3.15
I
A
=
24
毫安,V
Bn
= 2.1
I
A
=
8
毫安,V
Bn
= 1.6
I
A
=
4
毫安,V
Bn
= 1.15
I
A
=
30
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
24
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
8
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
4
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
V
CC
4.5
3.0
2.3
1.65
4.5
3.0
2.3
1.65
5.0
3.3
2.5
1.8
0.15
0.2
0.5
0.5
6.0
12
28
125
0
V
CC
0
V
CC
25
50
100
300
W
V
W
测试条件
V
CC
(V)
1.651.95
2.35.5
1.651.95
2.35.5
05.5
1.655.5
4.5
"0.05
"0.05
3.0
5.0
7.0
4.0
10
5.0
13
6.5
17
1.0
"0.1
"0.1
T
A
= +255C
典型值
最大
T
A
=
405C
到+ 855C
0.75 V
CC
0.7 V
CC
0.25 V
CC
0.3 V
CC
"1
"1
7.0
12
15
9.0
20
12
30
20
50
10
最大
单位
V
V
mA
mA
W
3.0
2.3
1.65
5.5
W
W
W
mA
DR
ON
导通电阻匹配
通道之间
(注3 ) (注4 )
(注5 )
抗性
平整度(注3 )
(注4 ) (注6 )
R
W
3.通过测量A和B之间的引脚在指定的电流通过开关的电压降。上电阻由下测定
上的两个(A或B端口)的电压。
4.参数的特点,但在生产中测试。
5.
DR
ON
= R
ON
最大
R
ON
分测得相同的V
CC
温度和电压电平。
6.平坦度被定义为在最大和导通电阻的最低值以上的条件的规定的范围之间的差异。
7.通过设计保证。
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3
NLASB3157
AC电气特性
NLASB3157
符号
t
PHL
t
PLH
参数
传播延迟
公交车公交车(注9 )
测试条件
V
I
=打开
V
CC
(V)
1.651.95
2.32.7
3.03.6
4.55.5
1.651.95
2.32.7
3.03.6
4.55.5
1.651.95
2.32.7
3.03.6
4.55.5
1.651.95
2.32.7
3.03.6
4.55.5
C
L
= 0.1 nF的,V
= 0 V
R
= 0
W
R
L
= 50
W
F = 10MHz的
R
L
= 50
W
F = 10MHz的
R
L
= 50
W
R
L
= 600
W
0.5 V
PP
F = 600赫兹到20千赫
5.0
3.3
1.655.5
1.655.5
1.655.5
5.0
7.0
3.0
57
54
250
0.011
23
13
6.9
5.2
12.5
7.0
5.0
3.5
7.0
3.5
2.5
1.7
3.0
2.0
1.5
0.8
0.5
0.5
0.5
0.5
T
A
= +255C
典型值
最大
T
A
=
405C
到+ 855C
最大
1.2
0.8
0.3
24
14
7.6
5.7
13
7.5
5.3
3.8
ns
单位
ns
科幻gure
科幻居雷什
2, 3
t
PZL
t
PZH
输出使能时间
启动时间
( A到B
n
)
输出禁止时间
关闭时间
(A口与B口)
先断后
时间(注8 )
V
I
= 2
V
CC
对于T
PZL
V
I
= 0 V在t
PZH
科幻居雷什
2, 3
t
PLZ
t
PHZ
V
I
= 2
V
CC
对于T
PLZ
V
I
= 0 V在t
PHZ
ns
科幻居雷什
2, 3
t
B-M
ns
图4
Q
OIRR
XTALK
BW
THD
电荷注入
(注8)
截止隔离(注10 )
相声
3
dB带宽
总谐波
失真(注8)
pC
dB
dB
兆赫
%
图5
图6
图7
图10
电容
NLASB3157
(注11 )
符号
C
IN
C
IO -B
C
IOA -ON
参数
选择输入电容
B端口关断电容
当交换机启用了端口容量
测试条件
V
CC
= 0 V
V
CC
= 5.0 V
V
CC
= 5.0 V
典型值
2.3
6.5
18.5
最大
单位
pF
pF
pF
图8
图9
科幻gure
8.通过设计保证。
9.此参数由设计保证,但未经测试。该总线开关不利于传播延迟比对的RC延迟等
开关的电阻和50 pF负载电容,当由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
10.关断隔离= 20日志
10
[V
A
/V
Bn
].
11. T
A
= + 25 ° C,F = 1 MHz时,电容特性值,但生产时未经测试。
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4
NLASB3157
附录A
直流电气扩展汽车温度范围特性
NLVASB3157
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
R
ON
参数
高层
输入电压
低层
输入电压
输入漏电流
关闭状态漏泄
当前
开关导通电阻
(注12 )
0
v
V
IN
v
5.5 V
0
v
A,B
v
V
CC
V
IN
= 0 V,I
O
= 30毫安
V
IN
= 2.4 V,I
O
=
30
mA
V
IN
= 4.5 V,I
O
=
30
mA
V
IN
= 0 V,I
O
= 24毫安
V
IN
= 3 V,I
O
=
24
mA
V
IN
= 0 V,I
O
= 8毫安
V
IN
= 2.3 V,I
O
=
8
mA
V
IN
= 0 V,I
O
= 4毫安
V
IN
= 1.65 V,I
O
=
4
mA
I
CC
静态电源
当前
所有通道开或
关闭
模拟信号范围
R
范围
抗性
在信号范围
(注12 )(注14 )
I
A
=
30
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
24
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
8
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
I
A
=
4
毫安, 0
v
V
Bn
v
V
CC
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
V
CC
4.5
3.0
2.3
1.65
0
V
CC
0
V
CC
25
50
100
300
V
W
测试条件
V
CC
(V)
1.651.95
2.35.5
1.651.95
2.35.5
05.5
1.655.5
4.5
"0.05
"0.05
3.0
5.0
7.0
4.0
10
5.0
13
6.5
17
1.0
"0.1
"0.1
T
A
= +255C
典型值
最大
T
A
=
555C
至+ 1255C
0.75 V
CC
0.7 V
CC
0.25 V
CC
0.3 V
CC
"1
"1
8.5
13.0
15.0
11
20
12
30
20
50
10
mA
最大
单位
V
V
mA
mA
W
3.0
2.3
1.65
5.5
12.通过测量A和B之间的引脚在指定的电流通过开关的电压降。上电阻由下测定
上的两个(A或B端口)的电压。
13.平坦度被定义为在最大和导通电阻的最低值以上的条件的规定的范围之间的差异。
14.设计保证。
*对于
DR
ON
, R
, Q, OIRR ,串话, BW , THD和CIN看
405C
以855C部分。
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数量
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操作
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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    NLVASB3157DFT2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    NLVASB3157DFT2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    -
    -
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    -
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电话:0755-83035139
联系人:邓小姐
地址:深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
NLVASB3157DFT2
ON
0638
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
NLVASB3157DFT2
ON Semiconductor
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9513
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√ 欧美㊣品
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