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P é ½· P
P êê ½· P íì
P í § ×°÷
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° ·° ½·±-
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± °°§
·± · ò °°§
§°·½
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° ×°- °-
P ìè ×° °- · ·
P ìè °- · · · ·
§ ±°· ×°- °-
·± °°±÷
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×
×
×
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×
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í
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×
×
í
ì
ê
é
è
í
ì
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ì
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è
é
ê
í
×ì
×í
í
ì
ê
é
è
×
×
í
ì
ê
é
è
í
è
é
ê
ì
í
×ì
×í
ì
í
×
×
ì
í
ìè
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× ó÷ ÷
×
ìè è
÷
×
é
è
ìèè ìèè
× ×
÷
§±
± °°§ · ·
-°½ ±
· ± ·
-°½ ±
° ± éò÷
°· °
Pò ± é
Pò ±
ò
P ±
·
§±
×
×
°
·-
± °
± ·--·°·±
°
P ±
Pê ±
ò
·
p
p
p
×
÷
··§
·
°
ò
o
ò
o
ò
o
×
ì÷
ò
p ò
§±
×
×° °½·½
±··±- §°ò ·
×
é
°
°
Pp ± p
Pìp ± èp
×-·
p ± ép
±½·
° °½·½
× ××
½± ±°· ° -°°§ ±
÷
§±
×
×
×
×
×
×° · ±
×° ± ±
×° · ±
×° ± ±
×° ° ·± ±
·ò ×
×
Pè
° ± ±
±÷
° · ±
±÷
×°
°
×
è
·ò
×
Pì
·ò
¨ò
×
±
¨ò
×
±
·ò
±Kò
·ò
×ò±Kò
òì
P
P
P
P
ì
í
- ±··±-
ìè è
·
¨
ò
Pò
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Pò
í÷
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ò
Pò
òì
òì
P
P
ì
ò
ìè è
·
·
¨
ò
ò
ò
Pò
í÷
Pò
í÷
òè
ò
Pò
òì
Pò
ò
Pò
ò
×
§ ± °°§
m
×
·ò
×° -÷
¨ò
×ò±Kò
¨ò °- °
§ ± °°§
×° -÷
m
·ò
¨ò
×ò±Kò
°- °
×
}
±
×
m
×
± °°·½
±-
ò --- ±- ·- × × §
½- ° ± ·½ò ·- ·- --- · ±§
½·± ±°·± ± ·½ - ± § ± ½±··±-
± ±- ··½ · ±°·± -½·±- ± ·- -°½··½·±
·- ± ·°·ò ¨°±- ± × ·½±··±- ± ¨
°·±- § ½ ···§ò
ò ¨ ° ±°·± · ì · °
· ± · ±ò
íò -· ·°- ·
×
×
×
± ± · Píò
P -°½·§ °·--· ± °- ·- ° ± -ò
ìò ·- ° ·- -° ± -ò
è
ìèè ìèè
××× ×× ò
§±
°
±½·
×-·
··§
×
×
×
P
è
P
é
è
P
ê
é
é
P
ê
ê
P
Pí
Pì
ì
·
×
§·½ °·
òò - · ±°- ±°ò ¨ò ·½· ·°- íò
× ×× ìèìè ··§ ° §÷
§±
×
p
|
± ·±
·±
·° -½ ±
·± ·
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- ±··±
·
ò
§°ò
ò
íò
¨
ò
íò
ê
·
-
-
±
m
P ò
×
m
P ò ±
×
}
ò
|
§½ ·
·- ° ·- ± -ò
×
×
×
±
ìò
m
ìò
×
×
íìè é
èí
ìèè ìèè
××O
o
° -÷
÷
§ò
§½ ·
-- ½½--
·
·°
½½-- ·
° ± ±
--
·° ±
° · ±
·° ·- ±
° · ·
°
± ± ·
ó
ê
ê
ê
ó
ó
é
é
é
è
è
ó
ó
í
óí
ì
í
í
ì
óì
· ¨ ·
¨ · ¨ · ¨ · ¨ · ¨ · ¨
ì
ì
·
-
-
-
-
-
é
-
-
-
° ±
° · ±
° ·- ±
° · ·
·° ±
± ° ·
·° ·- ±
± ± ·
-
-
í
-
ò ½±±÷
÷
÷
÷
÷
÷
÷
±-
ò
·- × ± ½§½ò
êò
± §½ò
éò
·- ± ½§½ò
èò - · °·± ± ± ½±·½· ·
-··± ò
ò -··± ·- -
o
± -§ - ±
°·± ± ½ · ±· - -°½·· · · ò
ò §½ · ·- - ± - · -- ±
·- -··±· --ò
èì
ìèè ìèè
ò ±±÷
ê÷
× ×
÷
×
ò í
±±÷
éè÷
×
÷
÷
×
÷
÷
× ×
÷
×
±
ò -··±- ½- § ½·° ½±± -·· §- ·-°½· ±
±
½-- ò
è
P4C1981 / P4C1981L ， P4C1982 / P4C1982L
超高速16K ×4
CMOS静态RAM
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25 NS （商业）
- 12/15/20/25/35 NS （工业）
- 15/20/25/35/45 NS （军事）
低功耗工作（商用/军用）
- 715 mW的主动 - 12/15
- 六百六十〇分之五百五十○毫瓦活动 - 20/25/35/45
- 二百二十○分之一百九十三mW的待机（ TTL输入）
- 110分之83 mW的待机（ CMOS输入） P4C1981 / 1981L
- 5.5 mW的待机（ CMOS输入）
P4C1981L / 82L （军事）
输出使能和双芯片使能功能
P4C1981 / 1981L ， P4C1982 / 1982L
5V
±
10 ％的电力供应
数据保留与2.0V供电， 10
一个典型的
电流（ P4C1981L / 1982L （军事）
单独的输入和输出
- 在输出写在P4C1981 / L的输入数据
- P4C1982 / L的输出在写操作过程中高Z
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚300密耳DIP ， SOJ
- 28引脚350× 550密耳LCC
描述
该P4C1981 / L和P4C1982 / L的65,536位（ 16Kx4 ）
超高速静态RAM类似于P4C198 ，但
与单独的数据I / O引脚。该P4C1981 / L功能的
透明的写操作时，
OE
低;的输出
在P4C1982 / L是高阻抗的写操作期间
周期。所有器件都具有低功耗待机模式。该
RAM的单5V操作
±
10 ％的功率公差
供应量。具有电池备份的，数据的完整性得以维持
对于电源电压下降到2.0V 。漏电流通常是
10
A
从2.0V电源。
存取时间快10纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于减少功耗的低715
毫瓦活跃， 193 mW的待机。对于P4C1982L和
P4C1981L ，功率只有5.5毫瓦的待机与CMOS
输入电平。该P4C1981 / L和P4C1982 / L分别MEM-
一个家庭的PACE RAM 产品的BER提供快速
访问时间。
该P4C1981 / L和P4C1982 / L，在28引脚
300万DIP和SOJ ，以及28引脚350x550万LCC
封装提供卓越的板级密度。
功能框图
A
(8)
A
I
1
I
2
I
3
I
4
O
1
O
2
O
3
O
4
ROW
SELECT
65,536-BIT
内存
ARRAY
销刀豆网络gurations
VCC
A 13
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I
1
COLUMN
SELECT
输入
数据
控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A13
A 12
A11
A10
A9
I4
I3
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I1
I2
CE
1
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
OE
A2
A1
A0
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A12
A11
A10
A9
I4
I3
O4
O3
O2
列I / O
O4
O3
O2
O1
WE
CE
2
I
2
CE
1
OE
GND
14 15 16
GND
CE
2
18
17
CE
2
WE
OE
P4C1982
P4C1981
A
(6)
A
DIP （ P5 ， D5-2 ） ， SOJ （ J5 ）
顶视图
P4C1981 / 1982
LCC （ L5）的
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
81
WE
O1
CE
1
P4C1981 / 1981L ， P4C1982 / 1982L
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
环境
温度
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
产业
0 ° C至+ 70°C
广告
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
输出漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
1
,
CE
2
= V
IH
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
Com'l 。
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
40
35
20
15
测试条件
P4C1981 / 1982
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.8
0.2
–1.2
0.4
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
___
___
+5
不适用
+5
不适用
40
不适用
1.0
不适用
P4C1981L / 82L
单位
民
最大
V
CC
+0.5
2.2
V
CC
+0.5 V
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.8
0.2
–1.2
0.4
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
I
SB
备用电源
CE
1
,
CE
2
≥
V
IH
,
米尔。
电流（ TTL电平输入）V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
1
,
CE
2
≥
V
HC ，
米尔。
V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
mA
I
SB1
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露最大ratingconditions的扩展
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
82
P4C1981 / 1981L ， P4C1982 / 1982L
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*
产业
军事
CE
1
= V
IL
,
CE
2
= V
IL
,
OE
= V
IH
–10
180
不适用
不适用
–12
170
180
不适用
–15
160
170
170
–20
155
160
160
–25
150
155
155
–35
不适用
150
150
–45
不适用
不适用
145
单位
mA
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
数据保持特性（ P4C1981L / P4C1982L军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*
T
A
= +25°C
§
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试条件
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
10
15
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
600
900
单位
V
A
ns
ns
CE
1
or
CE
2
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
t
RC
=读周期时间
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CE
1
CE
2
V
DR
V
IH
V
IH
4.5V
V
DR
≥
2V
4.5V
t
R
1348 07
83
P4C1981 / 1981L ， P4C1982 / 1982L
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据有效
2
2
2
10
-10
12
10
10
2
2
6
6
2
6
0
10
0
-12
-15
15
12
12
2
2
7
7
2
7
0
12
15
9
0
8
8
2
15
15
2
2
20
-20
25
20
20
2
2
10
12
2
9
0
20
-25
35
25
25
2
2
10
15
2
10
0
25
-35
45
35
35
2
2
15
21
2
14
0
25
-45
单位
ns
MIN MAX MIN
最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
45
45
ns
ns
ns
ns
15
27
ns
ns
ns
15
ns
ns
30
ns
t
OLZ
输出使能到
在低Z输出
t
OHZ
输出禁止以
在高Z输出
t
PU
t
PD
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
OE
读周期NO.1 （ OE控制）
(5)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE
1,
CE
2
t
LZ
(9)
数据输出
t
OLZ
(9)
t
AC
t
OHZ
(9)
t
HZ
(9)
t
OH
(10)
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
1
,
CE
2
和
OE
为低电平的读周期。
7.
OE
是低的周期。
8.地址必须是有效的之前或重合，
CE
1
和
CE
2
变为低电平。
9.转换测量
±200mV
从稳态电压
之前改变，同时装载如在图1中指定。
10.读周期时间是从最后的有效地址来测
第一过渡的地址。
84
P4C1981 / 1981L ， P4C1982 / 1982L
读周期NO 。 2 （地址控制）
(5,6)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
(10)
数据有效
1520 05
CE
读周期NO 。 3 （ CE
1
,
CE
2
控制）
(5,7,8)
t
RC
CE
1,
CE
2
t
AC
t
LZ
数据输出
I
V
CC
(9,11)
(11)
t
HZ
数据有效
(9,11)
t
CC
SB
(11)
高阻抗
t
(11)
PU
PD
供应
I
当前
注意：
造成芯片使能控制11.转换也有类似的拖延不论
CE
1
or
CE
2
导致他们。
85
