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BUP 304
IGBT
初步数据
低正向压降
高开关速度
低尾电流
闭锁免费
额定雪崩
销1
G
TYPE
BUP 304
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
1000
1000
单位
V
销2
C
订购代码
Q67078-A4200-A2
3脚
E
V
CE
I
C
包
TO- 218 AB
1000V 35A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
35
23
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
70
46
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
23
mJ
I
C
= 15 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
L
= 200 H,
T
j
= 25 °C
功耗
P
合计
310
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
T
C
= 25 °C
芯片或工作温度
储存温度
T
j
T
英镑
半导体集团
1
Jul-30-1996
BUP 304
最大额定值
参数
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
热阻
热电阻，片式案例
符号
-
-
值
E
55 / 150 / 56
单位
-
R
thJC
≤
0.4
K / W
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
4.5
5.5
2.8
3.8
4
1
-
0.1
6.5
3.3
4.3
4.5
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
- 0.1毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A,
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A,
T
j
= 150 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
-
250
1000
A
V
CE
= 1000 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1000 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
-
100
nA
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
5.5
8
2000
160
65
-
S
pF
-
2700
240
100
V
CE
= 20 V,
I
C
= 15 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Jul-30-1996
BUP 304
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
值
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
-
30
45
ns
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A
R
坤
= 33
上升时间
t
r
-
22
35
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A
R
坤
= 33
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
230
310
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 15 A
R
高夫
= 33
下降时间
t
f
-
20
28
MWS
-
1.7
-
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 15 A
R
高夫
= 33
总的关断损耗的能量
E
关闭
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 15 A
R
高夫
= 33
半导体集团
3
Jul-30-1996
BUP 304
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
320
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
36
A
W
P
合计
240
I
C
28
24
200
20
160
16
120
12
80
8
4
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
40
0
0
T
C
T
C
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
2
t
= 4.4s
p
10 s
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
A
K / W
I
C
100 s
Z
thJC
10
1
1毫秒
10
-1
D = 0.50
10毫秒
0.20
10
-2
0.10
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
0
DC
10
-1
0
10
10
1
10
2
V 10
3
10
-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
CE
t
p
半导体集团
4
Jul-30-1996
BUP 304
典型值。输出特性
典型值。传输特性
I
C
= f
(
V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
I
C
=
f
(V
GE
)
参数：
t
P
= 80 s,
V
CE
= 20 V,
T
j
= 25 °C
典型值。饱和特性
典型值。饱和特性
V
CE （ SAT ）
=
f
(V
GE
)
参数：
T
j
= 25 °C
V
CE （ SAT ）
=
f
(
V
GE
)
参数：
T
j
= 125 °C
半导体集团
5
Jul-30-1996
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