RF2314
宽带增益模块
最终PA为低功耗应用
IF或RF缓冲放大器
功率放大器驱动级
振荡回路放大器
的RF2314是一个通用的，低成本，高perfor-
曼斯放大器设计用于从2.7V至6V
电源的低电流消耗。该电路组态
理性与电阻反馈使得宽带磁带式
cadable放大。反馈与电容
补偿扩展了放大器的带宽，并
是专为优化噪声系数。该装置是
无条件稳定，内部匹配至50Ω 。
No
外部元件
是必需的。该RF2314是可用
能在一个非常小的工业标准的SOT-23 5引脚外加
面对贴装封装，可实现紧凑的外观设计，
节省电路板空间。
.071
.059
.020
.014
.122
.106
1
4
.004
.000
.083
.067
.118
.102
.051
.039
0.008 MIN
.010
.004
硅BJT
姒必-CMOS
砷化镓HBT
的SiGe HBT
????? ?????? ??? ！ " ＃
砷化镓MESFET
硅CMOS
为150MHz至2500MHz运行
2.7V至6.0V单电源供电
+ 18dBm的输出IP
3
在5V
14分贝增益在900MHz
8.6分贝增益为1900MHz的
为5mA ，在3V低电流消耗
GND 1
GND 2
RF IN 3
5 RF OUT
4 VCC
RF2314
RF2314 PCBA
通用低噪声放大器
完全组装的评估板
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A3 990216
4-87
通用
放大器器
RF2314
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电流
工作环境温度
储存温度
等级
8.0
32
-40至+85
-40到+150
单位
V
mA
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
150到>2500
单位
兆赫
条件
T为27°C ，V
CC
= 3.0V ，频率= 900MHz的
注：较低的频率可以得到
与电感耦合。
T为27°C ，V
CC
= 3.0V ，频率= 900MHz的
Freq=150MHz
Freq=1900MHz
4
通用
放大器器
整体
频带
3.0V性能
收益
12.9
16.6
7.9
1.4
+9.0
-1.0
10
17
20
14.2
19.1
8.6
1.5
+18.0
+8.0
13
28
20
2.7 6.0
5.7
12.5
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
mA
mA
噪声系数
输出IP3
输出P
1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
5.0V性能
收益
T为27°C ，V
CC
= 5.0V ，频率= 900MHz的
Freq=150MHz
Freq=1900MHz
噪声系数
输出IP3
输出P
1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
电源
工作电压
工作电流
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
4-88
转A3 990216
RF2314
通用低噪声放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOT 5引脚
特点
为150MHz至2500MHz操作
化
2.7V至6.0V单电源供电
+ 18dBm的输出IP
3
在5V
14分贝增益在900MHz
8.6分贝增益为1900MHz的
低电流消耗
5毫安在3V
GND 1
GND 2
RF IN 3
4 VCC
5 RF OUT
应用
宽带增益模块
末级功率放大器的低功耗应用程序
阳离子
IF或RF缓冲放大器
电力扩增驱动级
fiers
振荡回路放大器
功能框图
产品说明
的RF2314是一个通用的，低成本，高性能放大器
设计工作于2.7V至6V的电源电压，低电流CON-
消费。与电阻反馈电路配置允许
宽带级联放大。反馈与电容compen-
偿扩展了放大器的带宽，并且被设计以优化
而得到优化噪声系数。该器件是无条件稳定的，内部
匹配到50Ω 。无需外部元件。该RF2314是
在一个非常小的行业标准SOT 5引脚表面贴装
封装，使这节省了电路板空间紧凑的设计。
订购信息
RF2314
RF2314PCBA-41X
通用低噪声放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A7 DS070730
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
RF2314
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电流
储存温度
等级
8.0
32
-40到+150
单位
V
mA
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
工作范围
整个频率范围
电源电压
工作电流（I
CC
)
分钟。
150
2.7
2
9
规范
典型值。
马克斯。
2500
6.0
单位
兆赫
V
mA
mA
C
dB
条件
5.7
12.5
9
16
+85
V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
工作环境温度
-40
16.6
11
+3
-4
12.9
1.4
+9
-1
10
17
20
6.5
+9
-2
4
+11
-1
7.9
+12.5
-0.5
5.2
+15.3
+1.1
3.0V性能
收益
收益
噪声系数
OIP3
OP1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
收益
OIP3
OP1dB
收益
OIP3
OP1dB
频率= 150MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
频率= 900MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
14
dB
dB
DBM
+1
DBM
dB
dB
dB
9
+1
7
+3
dB
DBM
DBM
dB
DBM
DBM
频率= 2400MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
频率= 1900MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
2 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A7 DS070730
RF2314
参数
5.0V性能
收益
收益
噪声系数
OIP3
OP1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
收益
OIP3
OP1dB
收益
OIP3
OP1dB
6
+18
+5
3.5
+19
+6
+14
+3
12
19.1
14.2
1.5
+18
+8
13
28
20
8.2
+22
+6.7
5.1
+23
+7.9
+10
+9
7
10
+11
16
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
频率= 2400MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
频率= 1900MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
频率= 150MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
频率= 900MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
转A7 DS070730
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 12
RF2314
针
1
2
3
功能
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。该引脚是内部直流阻断，因而不需要
外部隔直电容。该引脚的输入阻抗是内部
采用电阻反馈匹配到50Ω 。
VCC
接口示意图
300
Ω
RF OUT
在RF
4
5
VCC
RF OUT
供应连接。通常，没有必要为一个外部旁路
电容。
RF输出引脚。该引脚的输出阻抗内部匹配
使用50Ω电阻反馈。
见引脚3的原理图。
见引脚3的原理图。
封装图
封装形式： SOT 5引脚
1.60
+ 0.01
0.400
1
0.15
0.05
2.90
+ 0.10
0.950
2.80
+ 0.20
3 ° MAX
0 ° MIN
0.45
+ 0.10
0.127
1.44
1.04
尺寸（mm） 。
应用原理
1
2
在RF
3
4
5
RF OUT
V
CC
4 12
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转A7 DS070730
RF2314
评估板电路图
P1
P1-1
1
2
NC
3
1
2
在RF
J1
50
Ω μstrip
3
4
C2
560 pF的
+
VCC
GND
2314400-
50
Ω μstrip
5
RF OUT
J2
P1-1
C1
6.8
μF
转A7 DS070730
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 12
RF2314
0
典型应用
宽带增益模块
最终PA为低功耗应用
IF或RF缓冲放大器
产品说明
的RF2314是一个通用的，低成本，高perfor-
曼斯放大器设计用于从2.7V至6V
电源的低电流消耗。该电路组态
理性与电阻反馈使得宽带磁带式
cadable放大。反馈与电容
补偿扩展了放大器的带宽，并
是专为优化噪声系数。该装置是
无条件稳定，内部匹配至50Ω 。
No
外部元件
是必需的。该RF2314是可用
能在一个非常小的行业标准SOT 5导表面
贴装封装，使该CON组紧凑的设计
服务于板级空间。
1.60
+ 0.01
0.400
1
通用低噪声放大器
符合RoHS &无铅产品
功率放大器驱动级
振荡回路放大器
0.15
0.05
2.90
+ 0.10
0.950
2.80
+ 0.20
3 ° MAX
0 ° MIN
0.45
+ 0.10
0.127
1.44
1.04
尺寸（mm） 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOT 5引脚
特点
为150MHz至2500MHz运行
2.7V至6.0V单电源供电
+ 18dBm的输出IP
3
在5V
14分贝增益在900MHz
8.6分贝增益为1900MHz的
为5mA ，在3V低电流消耗
GND 1
GND 2
RF IN 3
5 RF OUT
4 VCC
订购信息
RF2314
RF2314 PCBA
通用低噪声放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A6 051025
4-211
RF2314
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电流
储存温度
等级
8.0
32
-40到+150
单位
V
mA
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
工作范围
整个频率范围
电源电压
工作电流（I
CC
)
工作环境温度
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
150
2.7
2
9
-40
16.6
11
+3
-4
12.9
1.4
+9
-1
10
17
20
7.9
+12.5
-0.5
5.2
+15.3
+1.1
19.1
12
+14
+3
14.2
1.5
+18
+8
13
28
20
8.2
+22
+6.7
5.1
+23
+7.9
16
14
2500
6.0
9
16
+85
单位
兆赫
V
mA
mA
C
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
条件
5.7
12.5
V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
3.0V性能
收益
收益
噪声系数
OIP3
OP1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
收益
OIP3
OP1dB
收益
OIP3
OP1dB
频率= 150MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
频率= 900MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
+1
6.5
+9
-2
4
+11
-1
9
+1
7
+3
频率= 1900MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
频率= 2400MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27
o
C
5.0V性能
收益
收益
噪声系数
OIP3
OP1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
收益
OIP3
OP1dB
收益
OIP3
OP1dB
频率= 150MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
频率= 900MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
+11
6
+18
+5
3.5
+19
+6
10
+9
7
+10
频率= 1900MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
频率= 2400MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27
o
C
4-212
转A6 051025
