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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第1页 > TT8U1
1.5V驱动P沟道+ SBD MOSFET
TT8U1
结构
硅P沟道MOSFET /肖特基势垒二极管
尺寸
（单位：毫米）
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
特点
1）低导通电阻。
2 ）高功率封装。
3 ）低电压驱动。 （ 1.5V ）
(1)
(2)
(3)
(4)
缩写符号： U01
每根导线具有相同的尺寸
应用
开关
内部电路
包装规格
包
TYPE
TT8U1
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
1
（1 ）阳极
（2 ）阳极
（ 3 ）资料来源
（ 4 ）门
（ 5 ）排水管
（ 6 ）排水
（7）阴极
（8）阴极
(8)
(7)
(6)
(5)
(1)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
<MOSFET>
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
通道温度
功耗
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
1
体二极管
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
总胆固醇
P
D
2
范围
20
±10
±2.4
±9.6
0.8
9.6
150
1.0
单位
V
V
A
A
A
A
°C
W /元
<Di>
参数
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
正向电流浪涌峰值
结温
功耗
1
60H
Z
/回循环
2
安装在陶瓷基板
符号
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
1
Tj
P
D
2
范围
30
20
1.0
3.0
150
1.0
单位
V
V
A
A
°C
W /元
<MOSFET和Di>
参数
总功耗
储存温度范围
安装在陶瓷基板
符号
P
D
TSTG
范围
1.25
55
to
+150
单位
W / TOTAL
°C
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2009.06 - Rev.A的
TT8U1
电气特性
(Ta=25°C)
<MOSFET>
参数
符号
分钟。
典型值。
80
105
150
180
850
60
50
9
25
55
45
6.7
1.7
0.6
马克斯。
±100
1
1.0
105
140
225
360
单位
nA
V
A
V
m
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±10V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
= 20V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 2.4A,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.2A,
V
GS
= 2.5V
I
D
= 1.2A,
V
GS
= 1.8V
I
D
= 0.5A,
V
GS
= 1.5V
V
DS
= 10V,
I
D
= 2.4A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
10
V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.2A
R
L
8.3
R
G
=10
V
DD
10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 2.4A
R
L
4.2 / R
G
=10
数据表
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
20
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
0.3
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
2.4
Y
fs
正向转移导纳
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
*脉冲
<MOSFET>体二极管（源极 - 漏极）
参数
符号
正向电压
*脉冲
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 2.4A,
V
GS
=0V
V
SD
<Di>
参数
正向电压降
反向漏
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
0.37
马克斯。
0.41
500
单位
V
A
I
F
=
1.0A
V
R
=20V
条件
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TT8U1
电气特性曲线
5
漏电流： -I
D
[A]
Ta=25°C
脉冲
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
漏电流： -I
D
[A]
5
V
GS
= -10V
4
V
GS
= -4.5V
10
V
DS
= -10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
数据表
漏电流： -I
D
[A]
4
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -1.8V
1
3
3
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -1.8V
0.1
2
V
GS
= -1.5V
1
V
GS
= -1.4V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2
0.01
1
V
GS
= -1.5V
V
GS
= -1.4V
0
2
4
6
Ta=25°C
脉冲
8
10
0
0.001
0
0.5
1
1.5
2
漏源电压： -V
DS
[V]
图1典型的输出特性（
Ⅰ
)
漏源电压： -V
DS
[V]
图2典型的输出特性（
Ⅱ
)
栅源电压： -V
GS
[V]
图3典型的传输特性
1000
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
100
V
GS
= -1.5V
V
GS
= -1.8V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
10
0.1
1
漏电流： -I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅰ
)
10
100
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
Ta=25°C
脉冲
1000
V
GS
= -4.5V
脉冲
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
V
GS
= -2.5V
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
10
0.1
1
漏电流： -I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅲ
)
10
10
0.1
1
漏电流： -I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅱ
)
10
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
V
GS
= -1.8V
脉冲
V
GS
= -1.5V
脉冲
正向转移导纳： | YFS | [S ]
1000
1000
10
V
DS
= -10V
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
10
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
10
0.1
1
漏电流： -I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅳ
)
10
0.1
1
漏电流： -I
D
[A]
图8静态漏源导通状态
电阻与漏电流（
Ⅴ
)
10
0.1
0.1
1
漏电流： -I
D
[A]
图9正向转移导纳
与漏电流
10
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TT8U1
250
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
（开） [米
]
10000
Ta=25°C
脉冲
切换时间： T [ NS ]
1000
t
f
100
t
d
（关闭）
数据表
10
反向漏电流： -Is [ A]
V
GS
=0V
脉冲
200
Ta=25°C
V
DD
= -10V
V
GS
= -4.5V
R
G
=10
Ω
脉冲
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
150
I
D
= -2.4A
100
I
D
= -1.2A
0.1
50
10
t
r
t
d
（上）
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1
1.5
0
0
2
4
6
8
10
1
0.01
源极 - 漏极电压： -V
SD
[V]
图10反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
栅源电压： -V
GS
[V]
图11静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流： -I
D
[A]
图12开关特性
5
栅源电压： -V
GS
[V]
10000
反向电流：我
R
[马]
电容： C [ pF的]
4
西塞
1000
科斯
100
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
100
10
1
脉冲
TA = 125
℃
3
TA = 75
℃
0.1
TA = 25
℃
0.01
0.001
0.0001
0
10
20
30
40
反向电压： V
R
[V]
图15反向电流与反向电压
2
Ta=25°C
V
DD
= -10V
I
D
= -2.4A
R
G
=10
脉冲
0
2
4
6
8
1
CRSS
10
0.01
0.1
1
10
100
0
TA = - 25
℃
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图13动态输入特性
漏源电压： -V
DS
[V]
图14典型电容
与漏源电压
10000
正向电流：我
F
[马]
脉冲
1000
100
TA = 125
℃
TA = 75
℃
TA = 25
℃
TA = - 25
℃
10
1
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压： V
F
[V]
图16正向电流与正向电压
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TT8U1
测量电路
脉冲宽度
I
D
V
GS
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
数据表
V
GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
V
DS
90%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
I
D
V
GS
R
L
I
G（常量）。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
通告
1. SBD具有大的反向泄漏电流相对于其他类型的二极管。因此，它会引起结温，以及
增加一个反向功率损耗。库内温度的进一步上升会导致热失控。
这个内置的SBD具有低VF的特性，因此，较高的漏电流。请考虑足够的周围
温度，产生MOSFET的热和反向电流。
2.本产品可能会造成较大的电气化环境下芯片的老化和损坏。请考虑ESD设计
保护电路。
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推荐型号
TPS2051BDBV
TC55NEM216ASTV70
TIP32C_06
TLV1117LV15DCYR
T6300620
TA8262H
TBB200G
TVP5154
TSC80C51XXX-36CH
T525D157M006AH4095
TC4949VPA
TAJV105M050R
TISP4360M3BJ-S
TL062IPWR
TIL194A
T494X156M050AS
TPS40140RHHT
TB1226
TLGU53T_07
TA8145FN
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    TT8U1
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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电话：0755-82542579
联系人：董
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一级代理
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电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
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