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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UT30N03
N沟道
增强型
特点
* R
DS ( ON)
= 30mΩ到@V
GS
= 10 V
*低电容
*优化的栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
功率MOSFET
符号
2.Drain
*无铅电镀产品编号: UT30N03L
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UT30N03L-TN3-R
UT30N03G-TN3-R
UT30N03L-TN3-T
UT30N03G-TN3-T
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-140.B
UT30N03
绝对最大额定值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DS
30
V
栅源电压
V
GS
±20
V
连续漏电流
I
D
30
A
漏电流脉冲
I
DM
40
A
雪崩能量
E
AS
90
mJ
功耗
P
D
50
W
结温
T
J
+175
储存温度
T
英镑
-55 ~ +175
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
典型值
最大
50
3.0
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A
R
DS ( ON)
(Note2)
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 12.5 A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V , F = 1mHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 15V ,我
D
30A ,R
L
= 0.5,
开启上升时间
t
R
V
GS
= 10V ,R
G
=7.5
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
(注4,5)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 15V ,我
D
= 30A ,V
GS
= 10 V
栅极 - 源电荷
Q
GS
(注4,5)
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V,I
F
= 30A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
F
= 30A ,二
F
/dt=100A/μs
注意事项: 1,保证所设计,不受生产测试。
2.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
3.基本上不受工作温度
最小典型最大单位
30
1
±100
1.0
20
30
1170
320
60
10
10
25
15
18
5.5
2
1.1
20
20
40
30
35
30
45
V
μA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
1.5
30
40
50
100
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R502-140.A
UT30N03
典型特征
40
32
漏电流,我
D
(A)
漏电流,我
D
(A)
输出特性
V
GS
=10,9,8,7,6,5V
32
40
功率MOSFET
传输特性
24
4V
16
24
16
T
C
=150℃
25℃
-55℃
0
1
2
3
4
5
栅极 - 源极电压,V
GS
(V)
6
8
3V
0
0
1
2
3
4
漏极至源极电压,V
GS
(V)
5
8
0
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
栅极 - 源极电压,V
GS
(V)
电容C (PF )
3 4
QW-R502-140.A
UT30N03
典型特征(续)
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间(秒)
归瞬态热阻抗,结至外壳
功率MOSFET
标准化的有效瞬态热
阻抗
1
3
0.07
0.06
导通电阻,R
DS ( ON)
(Ω)
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
导通电阻与漏电流
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
0
8
16
24
32
漏电流,我
D
(A)
40
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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4 4
QW-R502-140.A
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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